Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Л 27 Автор(ы) : Латохин Д. В., Воронков Э. Н. Заглавие : Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 29 (6 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование численное--структуры полупроводниковые--микроплазма--пробой--проводники--электропроводность--пленки аморфные Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках Доп.точки доступа: Воронков, Э. Н.