Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Л 27 Автор(ы) : Латохин Д. В., Коновалов А. В., Воронков Э. Н. Заглавие : Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки--пленки нанокристаллические полупроводниковые--полупроводники--электропроводность--температурная зависимость Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты Доп.точки доступа: Коновалов, А. В.; Воронков, Э. Н.