Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/И 88 Автор(ы) : Жуков Н. Д., Глуховской Е. Г., Браташов Д. Н. Заглавие : Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия Место публикации : Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр.: с. 56 (9 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанозерна антимонида и арсенида индия --метод туннельной микроскопии--полупроводники--полупроводники антимонида и арсенида индия --эмиссия низкополевая--явления кулоновской блокады--фоточувствительность--проводимость Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes Доп.точки доступа: Жуков, Н. Д.; Глуховской, Е. Г.; Браташов, Д. Н.