Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382.323/М 54 Автор(ы) : Рубан О. А., Пушкарев С. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П. Заглавие : Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 12-15. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 15 (9 назв.) УДК : 621.382.323 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): терагерцовое излучение--метаморфный буфер--наногетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метаморфных наногетероструктур InGaAs/InAlAs/GaAs с различным дизайном метаморфного буфера. Установлено, что его использование с введенными внутрь 30-периодными сверхрешетками (CP) InGaAs/InAlAs позволяет увеличить подвижность электронов на 36 % в активном слое гетероструктуры по сравнению с образцом без CP и при этом сохранить высокое структурное качество. Для оценки структурного качества исследуемых образцов определены средние квадратичные значения шероховатости поверхности RMS с помощью измерений атомно-силовой микроскопии Доп.точки доступа: Рубан, О. А.; Пушкарев, С. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Хабибуллин, Р. А.; Мальцев, П. П.