Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 623.7/Э 94 Автор(ы) : Зайцев С. А., Орлов О. М., Горнев Е. С., Егоров К. В., Киртаев Р. В., Маркеев А. М., Заблоцкий А. В. Заглавие : Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15 Примечания : Библиогр.: с. 15 (15 назв.) ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект резистивного переключения--атомно-слоевое осаждение--энергонезависимая память--оксид гафния Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах. Доп.точки доступа: Зайцев, С. А.; Орлов, О. М.; Горнев, Е. С.; Егоров, К. В.; Киртаев, Р. В.; Маркеев, А. М.; Заблоцкий, А. В.