Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/М 91 Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. Заглавие : Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 46 (7 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на сапфире--эпитаксия из твердой фазы--радиационная стойкость--плотность деффектов Доп.точки доступа: Мустафаев, Аб. Г.