Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 29 Автор(ы) : Селезнев В. А., Принц В. Я., И. А. Заглавие : Чипы с полупроводниковыми трубками-зондами для сканирующей туннельной микроскопии Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 5-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 8 (36 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроскопия сканирующая туннельная--трубки-зонды полупроводниковые--гетеропленки напряженные Аннотация: Описан метод массового изготовления чипов с трубчатыми зондами для сканирующей туннельной микроскопии из гетероструктур InP/InxGa1- xAs/InyGaj-yAs. Технология базируется на методах самосворачивания тонких напряженных гетеропленок в трубки, анизотропном и селективном травлении подложки InP и методах, используемых в технологии изготовления интегральных схем. Впервые изготовлены микротрубки из гетеропленок InxGa 1-xAs/InyGa 1-yAs с использованием селективного анизотропного травления подложки InP. Созданные чипы с полупроводниковыми трубками-зондами перспективны для применений в высоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, спиновой туннельной микроскопии и микроскопии ближнего поля Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Принц, В. Я.; И. А.