Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Т 46 Автор(ы) : Тихонов Р. Д. Заглавие : Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 31-36: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 36 (20 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитотранзистор биполярный--линии тока--эффект гальваномагнитный Аннотация: Рассмотрены механизмы формирования чувствительности двухколлекторных латерального и планарного биполярных магнитотранзисторов на основе изменения в магнитном поле линий тока инжектированных носителей заряда. Анализ распределения тока в структурах приборов дает перечень механизмов чувствительности и рекомендации по ее повышению за счет выбора структуры биполярного магнитотранзистора Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН