Инвентарный номер: нет.        Ч-34     Чеботин, В. Н.     Ближний порядок в твердых оксидных электролитах со структурой флюорита [] / В. Н. Чеботин, В. А. Мезрин // Электрохимия. - 1984. - Т. 20, N 5. - С. 693-696. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0424-8570ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ОКСИДНЫЕ -- ОКСИДНЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- СТРУКТУРА ТИПА ФЛЮОРИТА -- ПОРЯДОК БЛИЖНИЙ -- БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- ДЕФЕКТЫ -- ПРИМЕСИ

Инвентарный номер: 187309 -        К 41     Гильдерман, В. К.     Зависимость энергии удаления кислорода из твердого электролита от потенциала блокирующего электрода ячейки O2/0.85ZrO2+0.15CaO/блокирующий электрод [] / В. К. Гильдерман // Кинетика электродных процессов и ионно-электронный транспорт в твердых электролитах: Тез. докл. Всерос. конф. - 2000. - С. 62 ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- КИСЛОРОД -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- ПОТЕНЦИАЛЫ БЛОКИРУЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА -- ЭЛЕКТРОДЫ БЛОКИРУЮЩИЕ -- БЛОКИРУЮЩИЕ ЭЛЕКТРОДЫ -- 0.85ZrO2-0.15CaO -- Zr -- ZrO2 -- Ca -- CaO -- ДИОКСИД ЦИРКОНИЯ -- ЦИРКОНИЙ -- ОКСИД КАЛЬЦИЯ -- КАЛЬЦИЙ -- ДЕФЕКТЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ДЕФЕКТЫ

Инвентарный номер: нет.        С 50     Смирнов, М. В.     Термическое расширение кристаллов KBr, KI и RbI при высоких температурах [] / М. В. Смирнов, Г. В. Буров, Б. Д. Антонов // Тр. / Ин-т электрохимии УНЦ АН СССР. - 1973. - Вып. 20 : Электрохимия расплавленных солевых и твердых электролитов. - С. 13-15 ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РАСШИРЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ -- ТЕРМИЧЕСКОЕ РАСШИРЕНИЕ -- KBr -- KI -- RbI -- ТЕМПЕРАТУРЫ ВЫСОКИЕ -- ВЫСОКИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ -- БРОМИД КАЛИЯ -- ИОДИД КАЛИЯ -- ИОДИД РУБИДИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- КАЛИЙ -- РУБИДИЙ -- K -- Rb -- ДЕФЕКТ ФРЕНКЕЛЕВСКИЙ -- ФРЕНКЕЛЕВСКИЙ ДЕФЕКТ -- ДЕФЕКТЫ ТОЧЕЧНЫЕ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ Аннотация: Измерены параметры кристаллических решеток KBr, KI и RbI в широком интервале температур. Показано, что температурная зависимость параметра решетки описывается двумя уравнениями: от 20 до 450-550 С - второго порядка, от 450-550 С до точки плавления - третьего. Аномальное расширение решетки выше 450-550 С связано с образованием точечных дефектов двух типов, причем перед точкой плавления образуются преимущественно дефекты по Френкелю

Инвентарный номер: нет.        У 69     Урицкий, М. З.     Дефекты и перенос протонов в оксидах A(II)B(IV)1-XR(III)xO3-(дельта) / М. З. Урицкий, В. И. Цидильковский, А. Н. Вараксин // Физическая химия и электрохимия твёрдых электролитов. Прикладные аспекты электрохимии: XIV Российская конференция (с международным участием): тез. докл. - 2007. - Т. 2. - С. 146. : граф. - Библиогр. в конце ст. 146 ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЕРЕНОС ПРОТОНОВ -- ОКСИДЫ -- ДЕФЕКТЫ ПРОТОНОВ

Инвентарный номер: нет.        Г 15     Галашев, А. Е.     Формирование капли ртути на поверхности графена. компьютерный эксперимент / А. Е. Галашев // Коллоидный журнал. - 2015. - Т. 77, № 5. - 593-602. . - Библиогр.: с. 601-602 (39 назв.) ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГРАФЕН -- ПОДЛОЖКА -- ГАЗЫ -- СПЕКТРОСКОПИЯ Аннотация: Методом молекулярной динамики исследован быстрый нагрев пленки ртути на графене, содержащем дефекты Стоуна–Уэйлса. Гидрированные края графенового листа выдерживали рост температуры на 800 K. По мере сворачивания пленки в каплю горизонтальная компонента коэффициента самодиффузии атомов Hg монотонно уменьшалась, а вертикальная компонента проходила через глубокий минимум, отражающий начало поднятия капли над подложкой. Формирование капли проявило себя в идущем вверх уширении вертикального профиля плотности и увеличении числа пиков в нем. При этом существенно сократилась протяженность функции радиального распределения ртути, выросла интенсивность ее первого пика. Образование капли приводит к уменьшению тупого краевого угла смачивания. Температурные изменения в графене выразились в росте интенсивности дополнительных пиков углового распределения ближайших соседей, колебательном характере напряжений, действующих в его плоскости, и почти линейном росте шероховатости.

Инвентарный номер: нет.        Г 15     Галашев, А. Е.     Молекулярно-динамическое изучение миграции Li+ через графеновые мембраны / А. Е. Галашев, Ю. П. Зайков // Электрохимия. - 2015. - Т. 51, № 9. - С. 983-993. - Библиогр.: с. 992-993 (24 назв.) ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГРАФЕН -- ДЕФЕКТЫ -- ДИНАМИКА МОЛЕКУЛЯРНАЯ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ПОДВИЖНОСТЬ Аннотация: Методом молекулярной динамики исследована пропускная способность шести вариантов набора мембран из модифицированного графена, определяющая проникновение ионов лития. Модификация включала в себя создание четырех видов пор и их частичное гидрирование. Лучшую пропускную способность демонстрирует пара мембран, поры которых представляются бивакансиями. В этом случае подвижность атомов лития по направлению движущей силы в вертикальном направлении максимальна, а в горизонтальных направлениях – минимальна. Средний уровень поднятия ионов в базовой ячейке является надежным критерием эффективности исследуемого устройства. Усиление пропускной способности мембран связано с уменьшением в них локальных напряжений, создаваемых как горизонтальными, так и вертикальными силами.