Н 76 Есина, Н. О. Эпитаксиальный рост рения на прямых и изогнутых монокристаллических подложках [] / Н. О. Есина, Л. М. Минченко, А. А. Панкратов // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: 2-й семинар СО РАН - УрО РАН (24-26 сент. 2002 г.): Тез. докл. - 2002. - С. 67 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- РОСТ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ -- РЕНИЙ -- Re -- ПОДЛОЖКИ ПРЯМЫЕ -- ПРЯМЫЕ ПОДЛОЖКИ -- ПОДЛОЖКИ ИЗОГНУТЫЕ -- ИЗОГНУТЫЕ ПОДЛОЖКИ -- МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ -- ПОДЛОЖКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ РЕНИЯ -- ХЛОРИДНЫЕ РАСПЛАВЫ -- РАСПЛАВЫ ХЛОРИДНЫЕ |
Е 83 Есина, Н. О. Гетероэпитаксиальный рост рения на монокристаллических вольфрамовых подложках с ориентациями (100) и (111) [Текст] / Н. О. Есина, Л. М. Минченко, А. А. Панкратов // Физическая химия и электрохимия расплавленных электролитов: тез. докл. XIV Российской конференции 10-14 сентября (с международным участием). - Екатеринбург : РАН, 2007. - Т. 1. - С. 65-66. - Библиогр.: с. 66 (1 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РОСТ РЕНИЯ -- РОСТ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ -- ПОДЛОЖКИ ВОЛЬФРАМОВЫЕ -- ПОДЛОЖКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ |