Поисковый запрос: (<.>K=ГАЛЛИЙ<.>) |
Общее количество найденных документов : 87
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Диев В. Н. Создание галлиевого производства на Богословском алюминиевом заводе/В. Н. Диев, Г. М. Рубинштейн, С. П. Яценко // Цветная металлургия, 1996,N N 9-10.-С.23-24
|
2.
| Влияние бария и иттербия на удельное электросопротивление и вязкость жидких сплавов галлий-индий-медь/А. В. Рябина, В. И. Кононенко, С. В. Голубев, В. В. Торокин // Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл.. -Челябинск, 1998. т.Т. 2.-С.69-70
|
3.
| Зуев М. Г. Фазовые соотношения в тройных оксидных системах элементов 3 и 5В групп в субсолидусной области. Тройные оксидные соединения/М. Г. Зуев // Успехи химии, 2000. т.Т. 69,N N 7.-С.603-623
|
4.
| Яценко С. П. Жидкометаллические теплоносители и электроконтакты/С. П. Яценко, Н. А. Сабирзянов, В. Н. Диев // Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл.. -Челябинск, 1998. т.Т. 2.-С.24
|
5.
| О строении жидких сплавов системы галлий-индий/В. И. Кононенко, С. В. Голубев, А. В. Рябина, В. В. Торокин // Расплавы, 1998,N N 6.-С.33-37
|
6.
| Воробьев Ю. П. Точечные дефекты и конкуренция ионов в твердых растворах R3Fe5-tGatO12, R(3+) = Y, Nd, Pr/Ю. П. Воробьев, О. Ю. Гончаров // Оксиды: Физико-химические свойства и технология: Информ. сб. науч. тр.. -Екатеринбург, 1995.-С.22-28
|
7.
| The modern state and perspectives of gallium production at alumina plants/S. P. Yatsenko, G. M. Rubinshtein, V. N. Diev, N. A. Sabirzyanov // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr.. -Ekaterinburg, 1999.-С.2.37
|
8.
| Ивановский А. Л. Зонная структура и магнитные свойства антиперовскитов M3M'C (M = Mn, Fe; M'= Zn, Al, Ga, Sn)/А. Л. Ивановский, Р. Ф. Сабирянов, А. Н. Сказкин // Физика твердого тела, 1998. т.Т. 40,N N 9.-С.1667-1670
|
9.
| Электронное строение и химическая связь в тройных гексагональных H-фазах Ti2MC(N) (M = Al, Ga, In)/А. Л. Ивановский, Р. Ф. Сабирянов, А. Н. Сказкин, В. М. Жуковский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы, 2000. т.Т. 36,N N 1.-С.35-38
|
10.
| Yureva E. I. Electronic structure and chemical bond in Si2N2O:C, Ga, Al, Mg/E. I. Yureva, A. L. Ivanovsky, G. P. Shveikin // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr.. -Ekaterinburg, 1999.-С.2.38
|
|
|