Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (121)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (26)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (19)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (13)Публикации об УрО РАН (7)Изобретения уральских ученых (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (20)Нанотехнологии (8)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (8)Труды Института истории и археологии УрО РАН (3)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Расплавы (8)Публикации Черешнева В.А. (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ИНДИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 39

   
    Плотность и поверхностное натяжение тяжелых жидкометаллических теплоносителей. галлий и индий [] = Density and surface tension of heavy liquid-metal coolant. Indium and gallium / В. П. Ченцов, В. Г. Шевченко, А. Г. Мозговой, М. А. Покрасин // Перспективные материалы. - 2011. - № 3. - С. 46-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 51-52 (20 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАВЛЕНИЕ -- ИНДИЙ -- ГАЛЛИЙ -- ПЛОТНОСТЬ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- МЕТОД ЛЕЖАЩЕЙ КАПЛИ
Аннотация: Методом большой лежащей капли исследованы плотность и поверхностное натяжение (ПН) жидких галлия и индия в интервале от температуры плавления до ~ 1300 К. Измерения выполняли на металлах высокой чистоты в глубоком вакууме. Доверительная погрешность проведенных экспериментов составляла 0,5 и 1 % для плотности и поверхностного натяжения исследованных расплавов, соответственно. Проведено сравнение результатов настоящей работы с имеющимися в литературе рекомендуемыми справочными данными.

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 98

    Рябина, А. В.
    Безэлектродный метод измерения электросопротивления металлов в твердом и жидком состояниях и установка для его реализации = Nonelectrode method of measurement electrical resistivity of metals in solid states and in stallation for it realization / А. В. Рябина, В. И. Кононенко, А. А. Ражабов // Расплавы. - 2009. - № 1. - С. 36-42 : рис., граф. - Библиогр.: с. 42 (6 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТАЛЛЫ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- БЕЗЭЛЕКТРОДНЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ
Аннотация: Рассматриваются особенности измерения удельного электросопротивления [плотность] металлов бесконтактным методом, по углу закручивания образца во вращающемся магнитном поле. Отмечено практически полное совпадение методик измерения [плотность] по Браунбеку и Регелю в относительном варианте измерений. Приведена схема установки, наиболее важные узлы которой и процедура калибрования описаны подробно. Экспериментально исследовано электросопротивление высокочистых индия, олова и свинца (чистота металлов не ниже 99.999%) в интервале температур от Тпл до 1300 К. Полученные результаты измерений обработаны с помощью программы MATHCAD, приведены коэффициенты уравнения [плотность](Т)

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   F 56

   
    First-principles study of deformation behavior and structural defects in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 [Текст] / N. I. Medvedeva, E. V. Shalaeva, M. V. Kuznetsov, M. V. Yakushev // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. - 2006. - Vol. 73, № 3. - С. 035207/1-035207/6. - Библиогр. : с. 035207/5 (39 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ -- СЕЛЕНИД ИНДИЯ -- СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ -- СЕЛЕНИД МЕДИ
Аннотация: Electronic structure and total-energy calculations have been performed for CuInSe2 and Cu In,Ga Se2 using density-functional theory with generalized gradient corrections. To understand the fracture and deformation behavior in chalcopyrites, we calculated the cleavage and generalized stacking fault energies in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 and demonstrated a brittle character of crack propagation. Antiphase boundary and intrinsic stacking fault defects have low formation energies and are quite probable in these chalcopyrites. The main slip system and preferable cleavage plane should be (110)(112) and (112), respectively. For the (110)(001) and (110)(001) dislocations in CuInSe2, we predict a strong tendency for splitting in two partials

Полный текст
Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 44

    Киселев, А. И.
    Переход металл-неметалл в расплавах систем индия и алюминия со щелочными металлами [] = At transition "metal-nonmetal" in melt systems of indium and aluminium with alkaline metals / А. И. Киселев // Расплавы. - 2011. - № 3. - С. 77-85. - Библиогр.: с. 85 (11 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСПЛАВЫ -- ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД -- ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ИНДИЙ -- АЛЮМИНИЙ -- ЩЕЛОЧНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Представлены результаты расчета электросопротивления расплавов систем индия и алюминия со щелочными металлами. Показано, что теория электропроводности металлических расплавов Дж. Займана с успехом описывает экспериментальные эффекты возрастания электросопротивления при фазовом переходе металл-неметалл в системах индия со щелочными металлами. Эта же теория предсказывает аналогичные качественные эффекты изменения электросопротивления в расплавах систем алюминия со щелочными металлами. Предполагается, что для расплавов систем алюминия со щелочными металлами должен наблюдаться переход металл- неметалл.

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 44

    Киселев, А. И.
    О влиянии изменения плотности при сплавообразовании на избыточную энтропию и электропроводность расплавов систем индия с литием и цезием / А. И. Киселев // Расплавы. - 2013. - № 2. - С. 3-11 : ил. - Библиогр.: с. 11 (16 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСПЛАВЫ -- ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ИНДИЙ -- ЩЕЛОЧНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Представлены результаты исследования взаимосвязи физико-химических свойств систем In-Li и In-Cs с изменением плотности при сплавообразовании. Предполагается, что в расплавах этих систем должен наблюдаться переход металл-изолятор, наличие которого определяется перестройкой электронной структуры взаимодействующих ионов компонентов сплава

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 87

   
    Структура и состав химически осажденных тонких пленок IN2S3 / В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Л. Н. Маскаева, М. В. Кузнецов // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 7. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (24 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ -- КРИСТАЛЛИТЫ
Аннотация: Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода.

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   T 44

   
    The solubilities of titanium alloys steels in liquid indium and liquid indium--gallium alloy / D. M. Zakharov, S. P. Yatsenko, G. I. Kiknadze, L. V. Mel'nikova, E. N. Dieva, E. P. Danelyan // Atomic Energy. - 1973. - P. 847-849 : il. - Bibliogr. : p. 849 (7 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСТВОРИМОСТЬ -- СПЛАВЫ ТИТАНА -- СТАЛЬ -- СПЛАВЫ ИНДИЯ -- СПЛАВЫ ЖИДКИЕ -- СПЛАВ ИНДИЙ-ГАЛЛИЙ

\\\\Expert2\\nbo\\Atomic Energy\\1973, v.35, N 3, p. 847-849.pdf
Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 35

   
    Термодинамический анализ условий образования и химическое осаждение твердых растворов замещения в системе Cu2Se-In2Se3 / В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Л. Н. Маскаева, М. В. Кузнецов // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т. 26, № 12. - С. 29-36 : ил. - Библиогр.: с. 35-36 (28 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИОННЫЕ РАВНОВЕСИЯ -- СЕЛЕНИД МЕДИ -- СЕЛЕНИД ИНДИЯ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ЗАМЕЩЕНИЯ
Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системах "хлорид индия - хлорид меди - селеномочевина - аммиак - сульфит натрия" и "хлорид индия - хлорид меди - селеносульфат натрия" определены граничные условия образования Cu2Se и In2Se3 и их гидроксидов с учетом кристаллизационного фактора. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением пленок твердых растворов замещения In2Cu1-xSe2 различного состава, исследованы их состав и кристаллическая структура

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 38

    Акашев, Л. А.
    Оптические свойства жидкого сплава галлий-индий [] / Л. А. Акашев, В. И. Кононенко // Журнал технической физики. - 1998. - Т. 68, N 7. - С. 118-119. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0044-4642
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИЕ -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СПЛАВЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ СПЛАВЫ -- ГАЛЛИЙ-ИНДИЙ -- ГАЛЛИЙ -- ИНДИЙ -- МЕТОД БИТТИ -- БИТТИ МЕТОД -- МЕТОД ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ -- ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ПОКАЗАТЕЛЬ ПРЕЛОМЛЕНИЯ -- КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ СВЕТОВАЯ -- СВЕТОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ЧАСТОТА РЕЛАКСАЦИИ -- РЕЛАКСАЦИЯ -- Ga -- In
Аннотация: Эллипсометрическим методом Битти изучены показатель преломления и коэффициент поглощения жидких галлия и сплава галлий - 30 at.% индия в интервале длин волн 0.4-2.0 миm при температуре 373 К. По экспериментальным результатам вычислены дисперсионные зависимости световой проводимости и отражательной способности. С использованием результатов измерений в инфракрасной области спектра рассчитаны концентрация электронов проводимости и частота релаксации. Оказалось, что при введении в галлий 30 at. % индия концентрация носителей заряда не изменилась; но существено увеличивается частота релаксации электронов проводимости, а это приводит к уменьшению электропроводности жидкого сплава

Полный текст
Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 75

    Воробьев, Ю. П.
    Наследственность и конкуренция дефектов в редкоземельных галлогерманиевых гранатах [] = Defect Structure of Rare-Earth Gallium Germanium Garnets / Ю. П. Воробьев, О. В. Карбань // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, N 7. - С. 862-870. - Библиогр.: 20 назв. . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
Ca -- Zr -- In -- Ge -- ГРАНАТЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- ГРАНАТЫ ГАЛЛОГЕРМАНИЕВЫЕ -- ГАЛЛОГЕРМАНИЕВЫЕ ГРАНАТЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКОЕ -- СТРУКТУРА ГРАНАТОВ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ВАКАНСИИ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- ГАЛЛИЙ -- ГЕРМАНИЙ -- ГАДОЛИНИЙ -- КАЛЬЦИЙ -- ЦИРКОНИЙ -- ИНДИЙ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ГРАНАТЫ -- СТРУКТУРА КУБИЧЕСКАЯ -- КУБИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- Ga -- КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ГРАНАТ-ОКСИДЫ -- Gd
Аннотация: Проведено кристаллохимическое моделирование гранатовой структуры (распределения катионов по c-, a- и d-позициям, валентности ионов и др.). Получены полуэмпирическая зависимость параметра кристаллической решетки (a расч) от шенноновских радиусов ri катионов, заполняющих додека-, окта- и тетраузлы граната, а также экспериментальные значения a эксп. Выявлена природа дефектов элементарной ячейки, оценено их количество и предложено решение задачи о наследствености и конкуренции дефектов в редкоземельных оксидах-гранатах на основе R3Ga5O12-дельта. Показано, что в нестехиометрических Gd3-xCaxGa5-xZrxO12-дельта (0 < x < 0.8) (система А) дефектами являются вакансии галлия в a-позициях и Gd6(3+). Введение в систему А катионов In6(3+) вместо Ga6(3+) (система В) обусловливает образование вакансий индия вакансия 6(In). Дополнительное легирование гранатов системы В германием (Ge(4+)) существенно изменяет разновидности дефектов

Найти похожие
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика