Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (121)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (26)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (19)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (13)Публикации об УрО РАН (7)Изобретения уральских ученых (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (20)Нанотехнологии (8)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (8)Труды Института истории и археологии УрО РАН (3)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Расплавы (8)Публикации Черешнева В.А. (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Индия<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/П 39
Автор(ы) : Ченцов В. П., Шевченко В. Г., Мозговой А. Г., Покрасин М. А.
Заглавие : Плотность и поверхностное натяжение тяжелых жидкометаллических теплоносителей. галлий и индий
Параллельн. заглавия :Density and surface tension of heavy liquid-metal coolant. Indium and gallium
Место публикации : Перспективные материалы. - 2011. - № 3. - С. 46-52: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 51-52 (20 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Методом большой лежащей капли исследованы плотность и поверхностное натяжение (ПН) жидких галлия и индия в интервале от температуры плавления до ~ 1300 К. Измерения выполняли на металлах высокой чистоты в глубоком вакууме. Доверительная погрешность проведенных экспериментов составляла 0,5 и 1 % для плотности и поверхностного натяжения исследованных расплавов, соответственно. Проведено сравнение результатов настоящей работы с имеющимися в литературе рекомендуемыми справочными данными.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Р 98
Автор(ы) : Рябина А. В., Кононенко В. И., Ражабов А. А.
Заглавие : Безэлектродный метод измерения электросопротивления металлов в твердом и жидком состояниях и установка для его реализации
Параллельн. заглавия :Nonelectrode method of measurement electrical resistivity of metals in solid states and in stallation for it realization
Место публикации : Расплавы. - 2009. - № 1. - С. 36-42: рис., граф.
Примечания : Библиогр.: с. 42 (6 назв.)
ISSN: 0235-0106
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металлы--электросопротивление--безэлектродный метод измерения
Аннотация: Рассматриваются особенности измерения удельного электросопротивления [плотность] металлов бесконтактным методом, по углу закручивания образца во вращающемся магнитном поле. Отмечено практически полное совпадение методик измерения [плотность] по Браунбеку и Регелю в относительном варианте измерений. Приведена схема установки, наиболее важные узлы которой и процедура калибрования описаны подробно. Экспериментально исследовано электросопротивление высокочистых индия, олова и свинца (чистота металлов не ниже 99.999%) в интервале температур от Тпл до 1300 К. Полученные результаты измерений обработаны с помощью программы MATHCAD, приведены коэффициенты уравнения [плотность](Т)
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/F 56
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Shalaeva E. V., Kuznetsov M. V., Yakushev M. V.
Заглавие : First-principles study of deformation behavior and structural defects in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2
Место публикации : Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. - 2006. - Vol. 73, № 3. - С. 035207/1-035207/6
Примечания : Библиогр. : с. 035207/5 (39 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): первопринципные расчеты--селенид индия--селенид галлия--селенид меди
Аннотация: Electronic structure and total-energy calculations have been performed for CuInSe2 and Cu In,Ga Se2 using density-functional theory with generalized gradient corrections. To understand the fracture and deformation behavior in chalcopyrites, we calculated the cleavage and generalized stacking fault energies in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 and demonstrated a brittle character of crack propagation. Antiphase boundary and intrinsic stacking fault defects have low formation energies and are quite probable in these chalcopyrites. The main slip system and preferable cleavage plane should be (110)(112) and (112), respectively. For the (110)(001) and (110)(001) dislocations in CuInSe2, we predict a strong tendency for splitting in two partials
Полный текст
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/К 44
Автор(ы) : Киселев А. И.
Заглавие : Переход металл-неметалл в расплавах систем индия и алюминия со щелочными металлами
Параллельн. заглавия :At transition "metal-nonmetal" in melt systems of indium and aluminium with alkaline metals
Место публикации : Расплавы. - 2011. - № 3. - С. 77-85
Примечания : Библиогр.: с. 85 (11 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Представлены результаты расчета электросопротивления расплавов систем индия и алюминия со щелочными металлами. Показано, что теория электропроводности металлических расплавов Дж. Займана с успехом описывает экспериментальные эффекты возрастания электросопротивления при фазовом переходе металл-неметалл в системах индия со щелочными металлами. Эта же теория предсказывает аналогичные качественные эффекты изменения электросопротивления в расплавах систем алюминия со щелочными металлами. Предполагается, что для расплавов систем алюминия со щелочными металлами должен наблюдаться переход металл- неметалл.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/К 44
Автор(ы) : Киселев А. И.
Заглавие : О влиянии изменения плотности при сплавообразовании на избыточную энтропию и электропроводность расплавов систем индия с литием и цезием
Место публикации : Расплавы. - 2013. - № 2. - С. 3-11: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 11 (16 назв.)
ISSN: 0235-0106
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): расплавы--фазовый переход--электросопротивление--индий--щелочные металлы
Аннотация: Представлены результаты исследования взаимосвязи физико-химических свойств систем In-Li и In-Cs с изменением плотности при сплавообразовании. Предполагается, что в расплавах этих систем должен наблюдаться переход металл-изолятор, наличие которого определяется перестройкой электронной структуры взаимодействующих ионов компонентов сплава
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/С 87
Автор(ы) : Марков В. Ф., Туленин С. С., Маскаева Л. Н., Кузнецов М. В.
Заглавие : Структура и состав химически осажденных тонких пленок IN2S3
Место публикации : Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 7. - С. 42-48
Примечания : Библиогр.: с. 48 (24 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): халькогениды--осаждение гидрохимическое--кристаллиты
Аннотация: Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/T 44
Автор(ы) : Zakharov D. M., Yatsenko S. P., Kiknadze G. I., Mel'nikova L. V., Dieva E. N., Danelyan E. P.
Заглавие : The solubilities of titanium alloys steels in liquid indium and liquid indium--gallium alloy
Место публикации : Atomic Energy. - 1973. - С. P. 847-849: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 849 (7 ref.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): растворимость--сплавы титана--сталь--сплавы индия--сплавы жидкие--сплав индий-галлий
\\\\Expert2\\nbo\\Atomic Energy\\1973, v.35, N 3, p. 847-849.pdf
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Т 35
Автор(ы) : Марков В. Ф., Туленин С. С., Маскаева Л. Н., Кузнецов М. В.
Заглавие : Термодинамический анализ условий образования и химическое осаждение твердых растворов замещения в системе Cu2Se-In2Se3
Место публикации : Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т. 26, № 12. - С. 29-36: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 35-36 (28 назв.)
ISSN: 2074-0212
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионные равновесия--селенид меди--селенид индия--твердые растворы замещения
Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системах "хлорид индия - хлорид меди - селеномочевина - аммиак - сульфит натрия" и "хлорид индия - хлорид меди - селеносульфат натрия" определены граничные условия образования Cu2Se и In2Se3 и их гидроксидов с учетом кристаллизационного фактора. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением пленок твердых растворов замещения In2Cu1-xSe2 различного состава, исследованы их состав и кристаллическая структура
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 38
Автор(ы) : Акашев Л. А., Кононенко В. И.
Заглавие : Оптические свойства жидкого сплава галлий-индий
Место публикации : Журнал технической физики. - 1998. - Т. 68, N 7. - С. 118-119. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 8 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свойства оптические--оптические свойства--сплавы жидкие--жидкие сплавы--галлий-индий--галлий--индий--метод битти--битти метод--метод эллипсометрический--эллипсометрический метод--показатель преломления--коэффициенты поглощения--проводимость световая--световая проводимость--проводимость электронная--электронная проводимость--частота релаксации--релаксация--ga--in
Аннотация: Эллипсометрическим методом Битти изучены показатель преломления и коэффициент поглощения жидких галлия и сплава галлий - 30 at.% индия в интервале длин волн 0.4-2.0 миm при температуре 373 К. По экспериментальным результатам вычислены дисперсионные зависимости световой проводимости и отражательной способности. С использованием результатов измерений в инфракрасной области спектра рассчитаны концентрация электронов проводимости и частота релаксации. Оказалось, что при введении в галлий 30 at. % индия концентрация носителей заряда не изменилась; но существено увеличивается частота релаксации электронов проводимости, а это приводит к уменьшению электропроводности жидкого сплава
Полный текст
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 75
Автор(ы) : Воробьев Ю. П., Карбань О. В.
Заглавие : Наследственность и конкуренция дефектов в редкоземельных галлогерманиевых гранатах
Параллельн. заглавия :Defect Structure of Rare-Earth Gallium Germanium Garnets
Место публикации : Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, N 7. - С. 862-870. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
Примечания : Библиогр.: 20 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведено кристаллохимическое моделирование гранатовой структуры (распределения катионов по c-, a- и d-позициям, валентности ионов и др.). Получены полуэмпирическая зависимость параметра кристаллической решетки (a расч) от шенноновских радиусов ri катионов, заполняющих додека-, окта- и тетраузлы граната, а также экспериментальные значения a эксп. Выявлена природа дефектов элементарной ячейки, оценено их количество и предложено решение задачи о наследствености и конкуренции дефектов в редкоземельных оксидах-гранатах на основе R3Ga5O12-дельта. Показано, что в нестехиометрических Gd3-xCaxGa5-xZrxO12-дельта (0 x 0.8) (система А) дефектами являются вакансии галлия в a-позициях и Gd6(3+). Введение в систему А катионов In6(3+) вместо Ga6(3+) (система В) обусловливает образование вакансий индия вакансия 6(In). Дополнительное легирование гранатов системы В германием (Ge(4+)) существенно изменяет разновидности дефектов
Найти похожие

 1-10    11-16 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика