Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (3)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Публикации об УрО РАН (2)Нанотехнологии (11)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (76)Расплавы (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРИСТАЛЛА<.>)
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-17 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/К 89
Автор(ы) : Кузнецов М. В., Разинкин А. С., Шалаева Е. В.
Заглавие : Фотоэлектронная спектроскопия и дифракция поверхностных наноразмерных структур NbO/Nb(110)
Параллельн. заглавия :X-ray photoelectron spectroscopy and diffraction of surface nanostructures NbO/Nb(110)
Место публикации : Журнал структурной химии. - Т. 50, № 3. - С. 536-543: рис., граф.
Примечания : Библиогр.: с. 543 (10 назв.)
ISSN: 00136-7463
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид ниобия--структура поверхностная--спектроскопия фотоэлектронная--наноструктура
Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции (РФЭС и РФД) исследованы кислород-индуцированные поверхностные структуры на грани Nb(110), сформированные в результате сегрегации кислорода из объема кристалла при термическом отжиге до 2000 K в вакууме и/или адсорбции кислорода in situ при температурах выше 1100 K. Методом РФЭС исследованы электронные состояния Nb3d, O1s и спектры валентной полосы поверхности NbOx/Nb(110), результаты сопоставлены с данными для оксидов NbO, NbO2 и Nb2O5. Показано, что атомы ниобия, входящие в состав поверхностных "оксидных" структур на Nb(110), с точки зрения ближайшего окружения и химической связи подобны состояниям металла в NbO. Толщина слоя NbOx оценена в 0,5 нм. Выделено два химически неэквивалентных состояния кислорода на Nb(110), предположительно: атомарный хемосорбированный кислород на участках чистой поверхности монослоя Nb с гексагональной упаковкой и кислород в составе NbOx-подобных линейных кластеров на Nb(110). Модель поверхности NbOx/Nb(110) учитывает искажение структуры кластеров NbOx: периодическое смещение атомов металла в Nb-цепочках по высоте и изменение углов связей Nb-O
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/О-30
Автор(ы) : Огородников И. И., Ворох А. С., Титов А.Н., Кузнецов М. В.
Заглавие : Атомная структура поверхностного слоя 1T-TiSe2 по данным фото- и оже-электронной голографии
Место публикации : Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, № 7. - С. 414-422: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 422 (23 назв.)
ISSN: 0370-274X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура атомная--голография оже-электронная--селен--титан
Аннотация: Проведена 3D-реконструкция атомной структуры поверхности (100) кристалла слоистого дихалькогенида 1T-TiSe2 по данным рентгеновской фото- и оже-электронной дифракции. Дифракционные картины эмиссии оже-электронов Se(LMM)-селена и фотоэлектронов Ti2p-титана рассмотрены в качестве голографических диаграмм. Обработанные с помощью алгоритма SPEA (Scattering Pattern Extraction Algorithm with Method Entropy Maximum), они дают индивидуальные трехмерные изображения ближайшего окружения атомов селена и титана в решетке TiSe2. На основе реконструированных 3D-изображений определены позиции 128 атомов в области 2?2?1.5 нм3 поверхностного слоя TiSe2. Структура поверхности имеет политип 1T. Межатомные расстояния в слое и ванн-дер-ваальсова щель увеличены по сравнению с аналогичными параметрами объема кристалла. Предполагается, что слои титана в двух верхних поверхностных структурных блоках Se-Ti-Se претерпевают смещение по оси [001]. Структура поверхностного слоя может быть описана элементарной ячейкой пространственной группы P3 и параметрами a=3.85 A и c=14.4 A.
\\\\Expert2\\nbo\\Электрон. библиотека (Отеч.периодика)\\Письма в ЖЭТФ\\2012, т.95, № 7-8, с.414.pdf
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Б 23
Автор(ы) : Банников В. В., Шеин И. Р., Ивановский А. Л.
Заглавие : Механические свойства и электронное строение циркона по данным первопринципных FLAPW-GGA расчетов
Место публикации : Материаловедение. - 2011. - № 7. - С. 2-5: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 5 (10 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Первопринципным методом FLAPW-GGA проведены расчеты механических параметров и электронной структуры циркона ZrSiO4. Установлено, что параметром, лимитирующим механическую стабильность кристалла, является модуль сдвига G. Согласно критерию Пуга, ZrSiO4 лежит на границе хрупко-пластичного перехода, и этот материал будет крайне чувствительным к различным эффектам разупорядочения, которые, в принципе, могут способствовать как его охрупчиванию, так и повышению пластичности.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 92
Автор(ы) : Разникин А.С., Еняшин А.Н., Кузнецова Т.В., Титов А.Н., Кузнецов М.В., Ивановский А.Л.
Заглавие : Атомные дефекты поверхности квазидвумерных слоистых дихалькогенидов титана: СТМ-эксперимент и квантово-химическое моделирование
Параллельн. заглавия :Atomic defects on the surface of quasi two-dimensional layered titanium dichalcogenides: stm experiment and quantum chemical simulation
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51, № 4. - С. 765-771: рис., граф. - ISSN 00136-7463. - ISSN 00136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 771 (13 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- КАЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛИЗ
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) при комнатной температуре исследована атомная структура поверхности слоистого дихалькогенида 1T-TiSe2. В СТМ-изображениях наблюдаются упорядоченные структуры в виде треугольников 6?6?6 из атомов Se, выступающих на 0,3±0,20 A над поверхностью кристалла. На примере изоструктурной и изоэлектронной системы 1T-TiS2 методом DFTB выполнено моделирование влияния на топологию поверхности дисульфида титана серии различных атомных структурных дефектов. Установлено, что хорошее согласие с СТМ-экспериментом показывает модель локальных дефектов упаковки 1T-TiS2, где координация атомов титана меняется с октаэдрической на призматическую. Для этих систем представлены также результаты расчетов электронной структуры и энергии образования дефектов
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Р 17
Автор(ы) : Разинкин А. С., Шалаева Е. В., Кузнецов М. В.
Заглавие : Фотоэлектронная спектроскопия и дифракция поверхности NbOx/Nb(110)
Параллельн. заглавия :Photoelectron Spectroscopy and Diffraction of NbOx/Nb(110)
Место публикации : Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, № 1. - С. 59-69: рис., граф. - ISSN 0015-3230. - ISSN 0015-3230
Примечания : Библиогр.: с. 68-69 (20 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотоэлектронная спектроскопия--дифракция поверхности--ниобий--сплавы ниобия
Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции исследованы кислород-индуцированные поверхностные структуры на грани Nb(110), сформированные в результате сегрегации кислорода из объема кристалла при термическом отжиге до 2000 К в вакууме и/или адсорбции кислорода in situ при температурах выше 1100 К. Атомы ниобия на поверхности кристалла формируют квазиупорядоченные структуры в виде моноатомных Nb-цепочек в окружении кислорода и с точки зрения ближайшего окружения и химической связи близки к состояниям металла в NbOx. Толщина NbOx-подобной структуры оценена в 0.5 нм при степени покрытия поверхности 50%. Выделено два химически неэквивалентных состояния кислорода на Nb(110), предположительно: (1) атомарный хемосорбированный кислород на поверхности Nb-металла и (2) кислород в составе NbOx-подобных кластеров на Nb(110). Модель поверхности NbOx/Nb(110) учитывает искажение структуры NbOx-кластеров: периодическое смещение атомов металла в Nb-цепочках по высоте и изменение углов Nb-O-связей
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Рыжков М. В., Ивановский А. Л., Поротников А. В., Щапова Ю. В., Вотяков С. Л.
Заглавие : Электронное строение примесного центра урана в цирконе
Параллельн. заглавия :Electronic structure of uranium impurity center in zircon
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2008. - Т. 49, № 2. - С. 215-220: граф., табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 220 (17 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кластерный расчет--электронное строение--уран--циркон--химическая связь--примеси
Аннотация: С использованием полностью релятивистского кластерного метода ДВ исследовано электронное строение большого фрагмента кристаллической решетки циркона ZrSiO4 с примесным атомом урана, замещающим атом циркония. Результаты сопоставлены с аналогичным расчетом идеального кристалла ZrSiO4. Анализ заселенностей перекрывания и эффективных зарядов на атомах матрицы и примеси показал, что химическое связывание урана с окружением носит ковалентный характер, а перераспределение электронной плотности при таком замещении затрагивает не только примесь и ближайшее окружение, но и атомы следующих координационных сфер
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/М 43
Автор(ы) : Еняшин А. Н., Ивановская В. В., Шеин И. Р., Макурин Ю. Н., Медведева Н. И., Софронов А. А., Ивановский А. Л.
Заглавие : Межатомные взаимодействия и электронное строение нанотрубок диселенидов ниобия NbSe2 и Nb1.25Se2
Параллельн. заглавия :Chemical bonding and electronic structure of NbSe2 and Nb1.25Se2 based nanotubes
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 4. - С. 579-588: ил. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 587-588 (42 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложены атомные модели и проведены зонные расчеты электронного строения и параметров межатомных взаимодействий для нехиральных нанотрубок диселенида ниобия NbSe2. Распределение плотности состояний и заселенности парных связей NbSe2 нанотрубок анализируется в зависимости от типа их атомных конфигураций и диаметров и сопоставляется с зонной структурой кристалла 2H-NbSe2. Проведены расчеты гипотетических "сверхстехиометрических" нанотрубок формального состава Nb1.25Se2 как возможностей квазиодномерной наноформы автоинтеркалированного диселенида ниобия
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 58
Автор(ы) : Лошкарева Н. Н., Михалев К. Н., Фогель И. А., Мостовщикова Е. В., Королев А. В., Солин Н. И., Сухоруков Ю. П., Наумов С. В., Костромитина Н. В., Балбашов А. М., Лукин Н. В.
Заглавие : Влияние легирования церием на свойства монокристаллов LaMnO3
Место публикации : Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т. 95, N 2. - С. 22-30: табл., граф. - ISSN 0015-3230. - ISSN 0015-3230
Примечания : Библиогр.: с. 30 (24 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитные свойства--свойства магнитные--свойства электрические--электрические свойства--легирование--церий--cr--монокристаллы--lamno3--растворимость--манганиты--фазовое расслоение--расслоение фазовое
Аннотация: Исследованы спектры ЯМР 55Mn, магнитные, электрические и оптические свойства монокристаллов La1-xCexMnO3 (x = 0.07, 0.10, 0.14). Определен предел растворимости Ce в LaMnO3 (менее 10 %). Отсутствие в ЯМР спектрах кристалла La0.93Ce0.07MnO3 линии, обусловленной ионами Mn(4+), наряду с данными других свойств показывает, что церий является донорной примесью, а кристалл - сильно компенсированным полупроводником. Неоднородное магнитное состояние, обусловленное включениями ферромагнитной фазы в антиферромагнитной матрице, обнаружено для всех составов. Обсуждаются особенности микроскопического фазового расслоения в изучаемых манганитах
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/И 22
Автор(ы) : Ивановский А. Л., Окатов С. В.
Заглавие : Моделирование структуры и электронного строения многокомпонентных систем: вюртцитоподобные твердые растворы AlN-SiC
Параллельн. заглавия :Modelling the common structures and electronic structures of multicomponent systems: wurzite-like solid solutions of AlN-SiC
Место публикации : Материаловедение. - 2001. - N 2. - С. 13-19: табл., граф. - ISSN 1684-579X. - ISSN 1684-579X
Примечания : Библиогр.: с. 19 (25 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Параметризованным зонным методом сильной связи в модели 72-атомных сверхъячеек исследованы электронные свойства, условия химической стабильности и особенности межатомных взаимодействий в многокомпонентных системах на основе вюртцитоподобных AlN, SiC. Рассмотрены варианты образования твердых растворов при легировании исходного кристалла парами различных примесных атомов в процессе замещения: Si - Al, C - N (или Si - N, C - Al) в матрице AlN и Al - Si, N - C (или Al - C, N - Si) в матрице SiC. Данные системы моделировали возможные механизмы формирования разбавленных твердых растворов (составы Al0,484Si0,016N0,484C0,016 и Si0,484Al0,016C0,484N0,016). На основании расчетов обсуждается возможность формирования переходного структурного и химического состояний многокомпонентных конденсированных систем
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Р 93
Автор(ы) : Рыжков М. В., Ивановский А. Л.
Заглавие : Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана
Параллельн. заглавия :Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide
Место публикации : Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - ISSN 0044-457X. - ISSN 0044-457X
Примечания : Библиогр.: 10 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C
Найти похожие

 1-10    11-17 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика