Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (82)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (12)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Публикации об УрО РАН (12)Изобретения уральских ученых (4)Нанотехнологии (3)История Урала (46)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды Института истории и археологии УрО РАН (255)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (15)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОСТНИКОВ<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 54/Э 45
Автор(ы) : Анисимов В. И., Антропов В. П., Губанов В. А., Ивановский А. Л., Курмаев Э. З., Лихтенштейн А. И., Постников А. В.
Заглавие : Электронная структура примесей и дефектов в переходных металлах, их сплавах и соединениях
Выходные данные : М.: Наука, 1982
Колич.характеристики :222 с.
Цена : Б.ц.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--электронная структура--структура электронная--примеси--дефекты--переходные металлы--металлы переходные--сплавы
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/С 17
Автор(ы) : Анисимов В. И., Губанов В. А., Коротин М. А., Лихтенштейн А. И., Постников А. В., Туржевский С. А.
Заглавие : Самосогласованные ЛМТО расчеты электронной структуры высокотемпературных сверхпроводников
Место публикации : Проблемы высокотемпературной проводимости: Информ. материалы. - Свердловск, 1987. - Ч. 1. - С. 171-173
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--расчеты сс-лмто--структура электронная--электронная структура--высокотемпературные сверхпроводники--сверхпроводники высокотемпературные
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Р 39
Автор(ы) : Галахов В. Р., Ефремова Н. Н., Курмаев Э. З., Постников А. В., Черкашенко В. М., Финкельштейн Л. Д., Ярмошенко Ю. М., Кожевников В. Л.
Заглавие : Рентгеновские спектры и электронная структура соединения La1.83Sr0.17CuO4
Место публикации : Физика металлов и металловедение. - 1987. - Т. 64, N 1. - С. 186-188. - ISSN 0015-3230. - ISSN 0015-3230
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--la--sr--cu--лантан--стронций--медь--купраты--рентгеновские спектры--спектры рентгеновские--структура электронная--электронная структура
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 72
Автор(ы) : Антропов В. П., Постников А. В., Лихтенштейн А. И.
Заглавие : Взаимодействие магнитных примесей в металлах
Место публикации : Квантово-химические методы исследования твердого тела/ Ин-т химии твердого тела УНЦ АН СССР: Препр. - Свердловск, 1984. - С. 28-30
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--магнитные примеси--примеси магнитные--металлы
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 32
Автор(ы) : Кулькова С. Е., Еремеев С. В., Постников А. В., Шеин И. Р.
Заглавие : Адсорбция цезия на поверхности бета2-GaAs(001)
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, № 4. - С. 667-680: рис., табл. - ISSN 0044-4510. - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 679-680 (50 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адсорбция цезия--электронная плотность--адсорбция, цезий, cs--гибридизация
Аннотация: Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности бета2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T3 в случае мышьяка в поверхностном слое и T4 -в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев. При этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика