Поисковый запрос: (<.>K=СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 84
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Ивановский А. Л. Электронные свойства примесей кислорода и углерода в бета-BN/А. Л. Ивановский, А. П. Гаршин // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл.. -Свердловск; Одесса, 1990. т.Т. 1.-С.111
|
2.
| Ханин С. Д. Влияние анионных вакансий на электронные свойства стеклообразного пентоксида Та/С. Д. Ханин, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл.. -Свердловск; Одесса, 1990. т.Т. 3.-С.52
|
3.
| Сабирянов Р. Ф. Квантово-химическое моделирование электронных свойств (3) грани карбида титана, содержащей адсорбированные водород и кислород/Р. Ф. Сабирянов, А. Л. Ивановский // Конференция по квантовой химии твердого тела (Рига, 26-30 нояб. 1990 г.): Тез. докл.. -Рига, 1990.-С.233
|
4.
| Ivanovsky A. L. Electronic properties of carbides, nitrides and oxides of subgroup 4A transition metals: Theory and experiment/A. L. Ivanovsky, D. L. Novikov, V. A. Gubanov // Physica Status Solidi B, 1987. т.V. 141,N N 1.-С.9-33
|
5.
| Ivanovsky A. L. Влияние дефектов структуры на электронные свойства "междоузельных" сплавов. 4. Электронная структура примесей 3d-, 4d-металлов в ScC, TiC, VC и ZrC/A. L. Ivanovsky, V. I. Anisimov, V. A. Gubanov // Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1989. т.V. 50,N N 9.-С. 883-892
|
6.
| Ивановский А. Л. Влияние примеси водорода на электронные свойства аморфного оксида алюминия/А. Л. Ивановский, И. В. Удачин, С. Д. Ханин // Неорганические материалы, 1994. т.Т. 30,N N 4.-С.496-500
|
7.
| Ивановский А. Л. Электронные свойства оксида тантала (5) с примесями азота и фтора/А. Л. Ивановский, О. В. Мрясов // Неорганические материалы, 1993. т.Т. 29,N N 9.-С.1257-1262
|
8.
| Ивановский А. Л. Бор и его соединения с неметаллами: химическая связь и электронные свойства/А. Л. Ивановский // Успехи химии, 1997. т.Т. 66,N N 6.-С.511-536
|
9.
| Самитин В. В. Электронные свойства оксидных ванадиевых бронз MxV2O5 типа бета и VO2/В. В. Самитин, П. Я. Новак, А. А. Гниломедов // Химия, технология и применение ванадиевых соединений: 4-е Всесоюз. совещ. (Нижний Тагил, 15-18 июня 1982 г.): Тез. докл.. -Свердловск, 1982. т.Т. 2.-С.25
|
10.
| Электронные свойства кластеров M19 (M = Pd, Ni) и Ti9X9 (X = C, N)/И. В. Удачин, Д. Л. Новиков, А. Л. Ивановский, В. А. Губанов // Физика кластеров. -Новосибирск, 1987.-С.155-160
|
|
|