Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (13)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (54)Изобретения уральских ученых (1)Нанотехнологии (4)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (88)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (3)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (8)Расплавы (41)Публикации Чарушина В.Н. (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=GA<.>)
Общее количество найденных документов : 110
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   A 10

   
    A Novel Complex Cobalt Gallium Oxide Ca2Co0.8Ga1.2O4.8: Synthesis and High-Temperature Electron Transport Properties [] = A Novel Complex Cobalt Gallium Oxide Ca2Co0.8Ga1.2O4.8: Synthesis and High-Temperature Electron Transport Properties / S. Ya. Istomin, E. V. Antipov, G. Svensson, J. P. Attfield, V. L. Kozhevnikov, I. A. Leonidov, M. V. Patrakeev, E. B. Mitberg // Journal of Solid State Chemistry. - 2002. - V. 167, N 1. - С. 196-202 . - ISSN 0022-4596
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ДИФРАКЦИЯ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПОРОШКИ -- ОКСИД КОБАЛЬТА -- ОКСИД ГАЛЛИЯ -- СИНТЕЗ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- Co -- Ga -- Ga -- КОБАЛЬТ -- ГАЛЛИЙ -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКЦИЯ
Аннотация: A new complex oxide with the cation ratio Ca:Co:Ga = 2:0.8:1.2 has been synthesized in air at 1150oC. The cobalt atoms adopt oxidation states 2+ and 3+ in equal amounts giving an oxygen content corresponding to the composition Ca2Co0.8Ga1.2O4.8. It crystallizes in F-centered cubic structure with a = 15.0558 Angstrom. Conductivity measurements performed at high temperatures revealed that the temperature increase gives a charge disproportionation of Co3+ species resulting in a small concentration of Co4+ species and thus a small p-type conductivity in the oxide. A decrease of the oxygen pressure promotes oxygen depletion from the oxide and a deterioration of the conductivity. The electric properties are interpreted within a small polaron conduction mechanism. An unusually large mobility activation energy of 0.45 eV can be explained by a large spatial separation of cobalt cations in the structure

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   A 10

   
    A Study of the Cerium Valence in Multinary Garnet Compounds / N. N. Efremova, N. I. Lobachevskaya, V. I. Nefedov, L. D. Finkel’shtein, V. G. Bamburov // Russian Journal of Inorganic Chemistry. - 2006. - Vol. 51, № 2. - P277-280 : il. - Bibliogr. : p. 280 (6 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЦЕРИЙ -- ГРАНАТЫ МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ
Аннотация: The valence state of cerium ions in the ferrite garnets {Gd1.96BiCe0.04}Ga1.2Fe3.8O12,{GdBiCe 0.5Ca0.5}Ga1.2Fe3.8O12, and {GdBiCe0.25Ca0.25}Ga1.2Fe.8O12 was studied by L3 X-ray absorption spectroscopy. Information on the change in the chemical bonding in ferrite garnets upon the violation of lattice completeness was obtained from the shifts of absorption maxima

Полный текст
Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   C 32

   
    Cation Mobility in Modified Li1+xTi2-xCax(PO4)3 Lithium Titanium NASICON Phosphates / I. Yu. Pinus, I. V. Arkhangel’skii, N. A. Zhuravlev, A. B. Yaroslavtsev // Russian Journal of Inorganic Chemistry. - 2009. - Vol. 54, № 8. - P1173-1176 : il. - Bibliogr. : p. 1176 (11 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОСФАТЫ -- ТИТАНАТ ЛИТИЯ
Аннотация: Li1 +xTi2 –xGax(PO4)3(x= 0–0.2) NASICON double phosphates are prepared and studied by hightemperature X-ray diffraction, 7Li NMR spectroscopy, impedance spectroscopy, and calorimetry. Doping with Ga3+cations increases cation mobility in LiTi2(PO4)3. Ion conductivity, NMR spectroscopy, and calorimetry data imply the occurrence of a phase transition in LiTi2(PO4)3 and in products of partial gallium-for-titanium substitution

Полный текст
Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   D 30

   
    Defect interactions in La0.3Sr0.7Fe(M')O3-delta (M' = Al, Ga) perovskites: Atomistic simulations and analysis of p(O2)-T-delta diagrams [] = Defect interactions in La0.3Sr0.7Fe(M')O3-delta (M' = Al, Ga) perovskites: Atomistic simulations and analysis of p(O2)-T-delta diagrams / E. N. Naumovich, M. V. Patrakeev, V. V. Kharton, M. S. Islam, A. A. Yaremchenko, J. R. Frade, F. M. B. Marques // Solid State Ionics. - 2006. - V. 177, N 5-6. - С. 457-470. - Библиогр.: с. 469-470 (39 назв.) . - ISSN 0167-2738
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КИСЛОРОДНАЯ НЕСТЕХИОМЕТРИЯ -- НЕСТЕХИОМЕТРИЯ КИСЛОРОДНАЯ -- ДЕФЕКТЫ -- ФЕРРИТЫ -- ПЕРОВСКИТЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ТЕРМОДИНАМИКА -- ОКСИДЫ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ДОБАВКИ
Аннотация: Atomistic modelling showed that a key factor affecting the p(O2) dependencies of point defect chemical potentials in perovskite-type La0.3Sr0.7Fe1-xM'xO3-delta (M' = Ga, Al; x = 0-0.4) under oxidizing conditions, relates to the coulombic repulsion between oxygen vacancies and/or electron holes. The configurations of A- and B-site cations with stable oxidation states have no essential influence on energetics of the mobile charge carriers, whereas the electrons formed due to iron disproportionation are expected to form defect pair clusters with oxygen vacancies. These results were used to develop thermodynamic models, adequately describing the p(O2)-T-delta diagrams of La0.3Sr0.7Fe(M')O3-delta determined by the coulometric titration technique at 923-1223 K in the oxygen partial pressure range from 1 x 10(-5) to 0.5 atm. The thermodynamic functions governing the oxygen intercalation process were found independent of the defect concentration.
Doping with aluminum and gallium leads to increasing oxygen deficiency and induces substantial changes in the behavior of iron cations, increasing the tendencies to disproportionation and hole localization. Despite similar oxygen nonstoichiometry in the Al- and Ga-substituted ferrites at a given dopant content, the latter tendency is more pronounced in the case of aluminum-containing perovskites

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   V 92

    Vorob'ev, Yu. P.
    Defect Structure of Rare-Earth Gallium Germanium Garnets / Yu. P. Vorob'ev, O. V. Karban // Inorganic Materials. - 2000. - Vol. 36, № 7. - P.718-725 : il. - Bibliogr. : p. 725 (20 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ГРАНАТОВ -- ГАЛЛОГЕРМАНИЕВЫЕ ГРАНАТЫ -- ДЕФЕКТНАЯ СТРУКТУРА
Аннотация: The garnet structure (cation distributions over c, a, and d sites; valence states of ions; etc.) was modeled using a semiempirical relation between the lattice parameter and Shannon's radii of the cations occupying dodecahedral, octahedral, and tetrahedral sites and earlier experimental data. The nature of the defect species present and their concentrations are assessed and the competition between defects in R3Ga5Ol2- delta-based garnets is examined

Полный текст
Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   D 55

   
    Die Struktur von Sm9Ga4 [Text] / S. P. Yatsenko, Yu. N. Hryn, O. M. Sitschewitsch, K. A. Tschuntonow, Ya. P. Yarmolyuk // Journal of Less-Common Metals. - 1985. - V. 106, N 1. - P35-40 . - ISSN 0925-8388
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- Sm9Ga4 -- ГАЛЛАТ САМАРИЯ -- ГАЛЛАТЫ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   S 53

    Shein, I. R.
    Electronic properties of superconducting ternary alloys (Ca,Sr,Ba)(Ga1-xSix)2 with AlB2-like structure [Текст] / I. R. Shein, N. I. Medvedeva, A. L. Ivanovskii // Computational Materials Science. - 2006. - Vol. 36, № 1-2. - С. 203-206. - Bibliogr. : p. 205-206 (16 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СИЛИЦИДЫ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ
Аннотация: The electronic properties of superconducting ternary silicides M(Ga1-xSix)2 with M = Ca, Sr and Ba are studied as a function of x (0.35 6<= x<= 6 0.75) by using density functional calculations within the Korringa–Kohn–Rostoker coherent potential—atomic sphere approximation (KKR-CPA-ASA). Our results show that the changes of density of states from x at the Fermi level in Ca-, Sr- and Ba-containing systems are completely different and are mostly dictated by the Ga and Si states

Полный текст
Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Y 95

    Yureva, E. I.
    Electronic structure and chemical bond in Si2N2O:C, Ga, Al, Mg [] / E. I. Yureva, A. L. Ivanovsky, G. P. Shveikin // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - 1999. - С. 2.38
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ОКСИНИТРИДЫ -- МАТЕРИАЛЫ ОГНЕУПОРНЫЕ -- ОГНЕУПОРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- УСТОЙЧИВОСТЬ ХИМИЧЕСКАЯ -- ХИМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ -- Ga -- ГАЛЛИЙ -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- Mg -- МАГНИЙ -- Si -- КРЕМНИЙ

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   F 56

   
    First-principles study of deformation behavior and structural defects in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 [Текст] / N. I. Medvedeva, E. V. Shalaeva, M. V. Kuznetsov, M. V. Yakushev // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. - 2006. - Vol. 73, № 3. - С. 035207/1-035207/6. - Библиогр. : с. 035207/5 (39 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ -- СЕЛЕНИД ИНДИЯ -- СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ -- СЕЛЕНИД МЕДИ
Аннотация: Electronic structure and total-energy calculations have been performed for CuInSe2 and Cu In,Ga Se2 using density-functional theory with generalized gradient corrections. To understand the fracture and deformation behavior in chalcopyrites, we calculated the cleavage and generalized stacking fault energies in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 and demonstrated a brittle character of crack propagation. Antiphase boundary and intrinsic stacking fault defects have low formation energies and are quite probable in these chalcopyrites. The main slip system and preferable cleavage plane should be (110)(112) and (112), respectively. For the (110)(001) and (110)(001) dislocations in CuInSe2, we predict a strong tendency for splitting in two partials

Полный текст
Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   H 65

   
    High Pressure Synthesis and Polymorphism of Complex Oxides Mn2BSbO6 (B = Fe, V, Cr, Ga, Al) [] / G. V. Bazuev, B. G. Golovkin, N. V. Lukin, N. I. Kadyrova, Yu. G. Zainulin // Journal of Solid State Chemistry. - 1996. - V. 124, N 2. - С. 333-337 . - ISSN 0022-4596
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАВЛЕНИЕ ВЫСОКОЕ -- ВЫСОКОЕ ДАВЛЕНИЕ -- ПОЛИМОРФИЗМ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- Fe -- ЖЕЛЕЗО -- V -- ВАНАДИЙ -- Cr -- ХРОМ -- Ga -- ГАЛЛИЙ -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- Mn2BSbO6

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика