Поисковый запрос: (<.>K=Ge<.>) |
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Юрьева Э. И. Атомное упорядочение в CuGeO3 в условиях спин-пайерлсовского перехода: расчеты частот ЯКР (63)Cu/Э. И. Юрьева, В. А. Губанов // Журнал структурной химии, 1997. т.Т. 38,N N 1.-С.43-50
|
2.
| Электронное строение и химическая связь в некоторых тройных карбидах и нитридах систем Ti-Al(Ge)-C(N)/А. Л. Ивановский, В. И. Анисимов, И. В. Соловьев, Ю. Г. Зайнулин, В. А. Губанов // Известия Академии наук СССР. Сер. Неорганические материалы, 1988. т.Т. 24,N N 8.-С.1311-1317
|
3.
| Электронное строение и рентгеновские фотоэлектронные спектры диоксида германия в аморфном и кристаллическом состояниях/Ю. Ф. Журавлев, А. Ф. Зацепин, C. П. Фрейдман, Г. Б. Черлов // Физика и химия стекла, 1986. т.Т. 12,N N 4.-С.471-474
|
4.
| Швейкин Г. П. Квантовохимическое моделирование фундаментальных свойств новых керамических материалов на основе бета-Si3N4/Г. П. Швейкин, О. Ю. Концевой // Физико-химические проблемы создания керамики специального и общего назначения на основе синтетических и природных материалов: Всерос. конф. (Сыктывкар, 4-7 сент. 1997 г.): Тез. докл.. -Сыктывкар, 1997.-С.62
|
5.
| Фазы переменного состава со структурой шпинели в системе LiCoVO4-Co2GeO4/И. А. Леонидов, Р. Ф. Самигуллина, О. Н. Леонидова, С. А. Ковязина, Л. А. Переляева, Д. Г. Келлерман, В. В. Карелина // Журнал неорганической химии, 2003. т.Т. 48,N N 9.-С.1554-1558: граф.
|
6.
| Синтез, кристаллическая структура и люминесцентные свойства CaY2Ge3O10 : Ln3+, Ln = Eu, Tb/О. А. Липина, Л. Л. Сурат, М. А. Мелкозерова, А. П. Тютюнник, И. А. Леонидов, В. Г. Зубков // Оптика и спектроскопия, 2014. т.Т. 116,N № 5.-С.751-754
|
7.
| Синтез и свойства оксидных композиций на основе диоксида германия/Н. А. Сабирзянов, Д. А. Петреев, С. С. Зобнин, С. П. Яценко // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл.. -Екатеринбург, 1996. т.Т. 2.-С.314
|
8.
| Рентгеновские эмиссионные спектры и электронная структура соединений V3Si и V3Ge, легированных переходными металлами/А. В. Медведев, В. Е. Долгих, А. Л. Ивановский, Е. В. Кузнецов, В. А. Губанов, Э. З. Курмаев // Физика металлов и металловедение, 1984. т.Т. 57,N N 2.-С.245-253
|
9.
| Петреев Д. А. Новые оксидные материалы и их возможное практическое использование в практике электролиза/Д. А. Петреев, С. П. Яценко // Оксиды: Физико-химические свойства: 5-я Всерос. науч. конф.: Сб. тр.. -Екатеринбург, 2000.-С.389-391
|
10.
| Окатов С. В. Моделирование электронных свойств и атомного упорядочения в системе бета-Si3N4-Mg-O/С. В. Окатов, А. Л. Ивановский // Огнеупоры и техническая керамика, 2002,N N 11.-С.26-33
|
|
|