Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (27)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (12)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (28)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (34)Расплавы (22)Публикации Чарушина В.Н. (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SILICON<.>)
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-17 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   A 10

   
    A study of cadmium sulfide nanocrystalline films by grazing incidence X-ray diffraction [Text] / N. S. Kozhevnikova, A. A. Rempel, F. Hergert, A. Magerl // Russian Journal of Physical Chemistry A. - 2007. - Vol. 81, № 5. - P768-772. - Библиогр. : с. 772 (18 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СУЛЬФИД КАДМИЯ -- НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Аннотация: Thin cadmium sulfide films were prepared on a monocrystalline crystal silicon substrate by chemical deposition from aqueous solutions. Grazing incidence X-ray diffraction revealed that the cadmium sulfide films are comprised of nanocrystal particles, with 80% of the particles having a size of 5±1 nm. Some nanocrystals have a wurtzite structure, while others, a sphalerite one. The presence of cubic phase in the films is indicative of a nonequilibrium state of the nanocrystalline films. Thirty minutes after the onset of the formation of cadmium sulfide, the size and crystal structure of the constituent particles of the film become independent of the deposition time—only the film thickness increases. In addition, the initial stage of the formation of the cadmium sulfide film is accompanied by the deposition of cadmium hydroxide Cd(OH)2

Полный текст
Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   E 66

   
    Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures [Текст] / V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, K. E. Kudryavtsev, V. N. Shabanov, S. V. Obolensky, O. V. Belova, M. V. Kuznetsov, A. V. Kornaukhov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik // Semiconductors. - 2007. - Vol. 41, № 11. - С. 1312-1314. - Библиогр. : с. 1314 (12 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   I-98

    Ivanovskii, A. L.
    Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon / A. L. Ivanovskii, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - P612-615 : il. - Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCx>L0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx>1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed

Полный текст
Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites / N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - P1243-1246 : il. - Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДОПИРОВАНИЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti -->Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me--> Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me--> Si, C) is studied

Полный текст
Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects / N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - P751-754 : il. - Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities

Полный текст
Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   N 52

   
    New hybrid chelating sorbents with grafted 3-aminopropionate groups based on mixed silicon, aluminum, titanium, or zirconium oxides [Текст] / Yu. G. Yatluk, N. A. Zhuravlev, O. V. Koryakova, L. K. Neudachina, Yu. A. Skorik // Russian Chemical Bulletin. - 2005. - Vol. 54, № 8. - С. 1836-1841. - Библиогр. : с. 1841 (21 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД -- СИЛИКАГЕЛИ -- АЛЮМИНИЙ -- ОКСИД ТИТАНА -- ОКСИД ЦИРКОНИЯ
Аннотация: A series of new hybrid organo inorganic sorbents with the 3 aminopropionate chelating group was synthesized. The synthesis includes the copolycondensation (sol—gel method) of tetraethoxysilane, 3 aminopropyltriethoxysilane, and several modifiers (MeSi(OEt)3, EtSi(OEt)3, Ti(OEt)4, AlONO3, ZrOCl2) followed by carboxyethylation with acrylic acid. The obtained chelating sorbents were characterized by elemental analysis, FT IR and 1H NMR spectroscopy, and thermogravimetry. The N carboxylated sorbents have a higher sorption capacity with respect to metal ions (0.5—0.9 mmol g–1, pH 6.3, NH4OAc, 20 °C) than the starting sorbents with the primary amino group (0.05—0.2 mmol g–1) and manifest high selec tivity for copper(II) ion extraction

Полный текст
Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   N 64

    Nikolaenko, I. V.
    The use of microwave radiation for synthesis of a ceramic based on silicon carbide and complex oxides: a study of physicochemical properties / I. V. Nikolaenko, G. P. Shveikin // Refractories and Industrial Ceramics. - 2001. - Vol. 42, № 7-8. - P276-279 : il. - Bibliogr. : p. 279 (6 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОВОЛНОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- КЕРАМИКА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
Аннотация: A new composite ceramic material based on silicon carbide and complex oxide is synthesized by the microwave radiation method at a frequency of 2450 MHz. The material is characterized by loss tangent tan δ = 0.072 – 0.075 and has prospective applications in radio and microwave technology. The material, owing to its radio-absorbing properties, can be used to fabricate heaters for microwave muffle furnaces

Полный текст
Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   R 42

    Rempel, A. A.
    Identification of Structural Vacancies in Carbides, Oxides, and Sulfides by Doppler Broadening of the Gamma-Ray Line / A. A. Rempel, A. A. Valeeva, N. S. Kozhevnikova // JETP Letters. - 2010. - Vol. 92, № 3. - P146-150 : il. - Bibliogr. : p. 150 (9 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- КАРБИДЫ -- ОКСИДЫ -- СУЛЬФИДЫ
Аннотация: A method has been developed to identify the sublattices of a crystal structure in which there are atomic vacancies. This method is based on determining the chemical environment of vacancies and is implemented using the method of the positron annihilation by measuring the momentum distribution of core electrons. To determine the characteristic momentum distribution of electrons, a special two-detector spectroscopy is used, which ensures measurements of Doppler broadening of the annihilation gamma ray line with a high (up to 106) signal-to-noise ratio. To test the method, vacancies in irradiated silicon carbide (6H SiC), sintered nonstoichiometric titanium carbides (TiCy) and titanium monoxides (TiOy), and chemically deposited lead and cadmium sulfides (PbS and CdS) have been identified. Vacancies in the carbon and silicon sublattices have been identified in silicon carbide after irradiation by low- and high-energy electrons, respectively. Vacancies in the nonmetal sublattice have been identified in TiCy. Vacancies in the metal sublattice have been identifiedin TiCy, as well as in PbS and CdS

Полный текст
Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   T 44

   
    Silicon carbide refractories in the lining of the cooler drum / K. V. Simonov, A. P. Kukushkin, S. I. Rabochkin, Yu. P. Vorob'ev, V. A. Bron, V. D. Koksharov, T. A. Vyaznikova, V. V. Alekseev // Refractories and Industrial Ceramics. - 1978. - Vol. 19, № 3-4. - P294-296 : il.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТУГОПЛАВКИЕ КАРБИДЫ -- КРЕМНИЙ

Полный текст
Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   S 89

   
    Structure of silicon-based novel ceramics studied by means of positron annihilation [] / K. Reichle, A. A. Rempel, R. K. R. Boda, F. Aldinger, H. -E. Schaefer // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - 1999. - С. 2.7. - Bibliogr.: 4 ref.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КЕРАМИКА СИЛИКОНОВАЯ -- СИЛИКОНОВАЯ КЕРАМИКА -- АННИГИЛЯЦИЯ ПОЗИТРОНОВ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТВЕРНЫЕ -- ЧЕТВЕРНЫЕ СИСТЕМЫ -- ВАКАНСИИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ПИРОЛИЗ -- СОСТОЯНИЕ АМОРФНОЕ -- АМОРФНОЕ СОСТОЯНИЕ

Найти похожие
 1-10    11-17 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика