Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (27)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (12)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (28)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (34)Расплавы (22)Публикации Чарушина В.Н. (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SILICON<.>)
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-17 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   S 89


   
    Structure of silicon-based novel ceramics studied by means of positron annihilation [] / K. Reichle, A. A. Rempel, R. K. R. Boda, F. Aldinger, H. -E. Schaefer // Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - 1999. - С. 2.7. - Bibliogr.: 4 ref.
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КЕРАМИКА СИЛИКОНОВАЯ -- СИЛИКОНОВАЯ КЕРАМИКА -- АННИГИЛЯЦИЯ ПОЗИТРОНОВ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТВЕРНЫЕ -- ЧЕТВЕРНЫЕ СИСТЕМЫ -- ВАКАНСИИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ПИРОЛИЗ -- СОСТОЯНИЕ АМОРФНОЕ -- АМОРФНОЕ СОСТОЯНИЕ

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) [] = Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СИАЛОНЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- УГЛЕРОД -- C -- АЛЮМИНИЙ -- Al -- ГАЛЛИЙ -- Ga -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПОДРЕШЕТКА КАТИОННАЯ -- КАТИОННАЯ ПОДРЕШЕТКА -- Si2N2O -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- КРЕМНИЙ -- Si
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si->C, Al, Ga, Be и Mg

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния [] = Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - 203-209: табл. - Библиогр.: с. 209 (27 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- Si2N2O -- КРЕМНИЙ -- Si -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- СИАЛОНЫ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ -- МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ СИАЛОНЫ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 22


    Ивановский, А. Л.
    Межатомные взаимодействия и электронная структура гексагональных диборидов магния, алюминия и кремния: неэмпирические ПП-ЛМТО расчеты [] = Interatomic Interactions and Electronic Structure of Hexagonal Magnesium, Aluminum, and Silicon Diborides: Ab initio Full-Potential LMTO Calculations / А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 45, N 8. - С. 1355-1361. - Библиогр.: 27 назв. . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- МАГНИЙ -- ДИБОРИД МАГНИЯ -- ДИБОРИД АЛЮМИНИЯ -- ДИБОРИД КРЕМНИЯ -- РАСЧЕТЫ НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- СТРУКТУРА ЗОННАЯ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- БОР -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- Mg -- Al -- Si -- B
Аннотация: Первопринципным самосогласованным полнопотенциальным методом ЛМТО исследованы зонная структура и природа межатомных связей для D(1)6h - MgB2, AlB2, а также для гипотетического гексагонального диборида кремния. Сопоставлены электронные свойства данных фаз и изоструктурного диборида TiB2

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42


    Медведева, Н. И.
    Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C)

Полный текст
Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   N 52


   
    New hybrid chelating sorbents with grafted 3-aminopropionate groups based on mixed silicon, aluminum, titanium, or zirconium oxides [Текст] / Yu. G. Yatluk, N. A. Zhuravlev, O. V. Koryakova, L. K. Neudachina, Yu. A. Skorik // Russian Chemical Bulletin. - 2005. - Vol. 54, № 8. - С. 1836-1841. - Библиогр. : с. 1841 (21 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД -- СИЛИКАГЕЛИ -- АЛЮМИНИЙ -- ОКСИД ТИТАНА -- ОКСИД ЦИРКОНИЯ
Аннотация: A series of new hybrid organo inorganic sorbents with the 3 aminopropionate chelating group was synthesized. The synthesis includes the copolycondensation (sol—gel method) of tetraethoxysilane, 3 aminopropyltriethoxysilane, and several modifiers (MeSi(OEt)3, EtSi(OEt)3, Ti(OEt)4, AlONO3, ZrOCl2) followed by carboxyethylation with acrylic acid. The obtained chelating sorbents were characterized by elemental analysis, FT IR and 1H NMR spectroscopy, and thermogravimetry. The N carboxylated sorbents have a higher sorption capacity with respect to metal ions (0.5—0.9 mmol g–1, pH 6.3, NH4OAc, 20 °C) than the starting sorbents with the primary amino group (0.05—0.2 mmol g–1) and manifest high selec tivity for copper(II) ion extraction

Полный текст
Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   A 10


   
    A study of cadmium sulfide nanocrystalline films by grazing incidence X-ray diffraction [Text] / N. S. Kozhevnikova, A. A. Rempel, F. Hergert, A. Magerl // Russian Journal of Physical Chemistry A. - 2007. - Vol. 81, № 5. - P768-772. - Библиогр. : с. 772 (18 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СУЛЬФИД КАДМИЯ -- НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Аннотация: Thin cadmium sulfide films were prepared on a monocrystalline crystal silicon substrate by chemical deposition from aqueous solutions. Grazing incidence X-ray diffraction revealed that the cadmium sulfide films are comprised of nanocrystal particles, with 80% of the particles having a size of 5±1 nm. Some nanocrystals have a wurtzite structure, while others, a sphalerite one. The presence of cubic phase in the films is indicative of a nonequilibrium state of the nanocrystalline films. Thirty minutes after the onset of the formation of cadmium sulfide, the size and crystal structure of the constituent particles of the film become independent of the deposition time—only the film thickness increases. In addition, the initial stage of the formation of the cadmium sulfide film is accompanied by the deposition of cadmium hydroxide Cd(OH)2

Полный текст
Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   E 66


   
    Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures [Текст] / V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, K. E. Kudryavtsev, V. N. Shabanov, S. V. Obolensky, O. V. Belova, M. V. Kuznetsov, A. V. Kornaukhov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik // Semiconductors. - 2007. - Vol. 41, № 11. - С. 1312-1314. - Библиогр. : с. 1314 (12 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 90


    Суриков, В. Т.
    Кислотное растворение кремния и его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой = Acid dissolution of silicon and its compounds for analysis by inductively coupled plasma mass-spectrometry / В. Т. Суриков // Аналитика и контроль. - 2008. - Т. 12, № 3-4. - С. 93-100 : рис. - Библиогр.: с. 99-100 (44 назв.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСТВОРЕНИЕ -- КРЕМНИЙ -- МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ -- ИНДУКТИВНО СВЯЗАННАЯ ПЛАЗМА
Аннотация: Рассмотрены химия и технология кислотного растворения кремния и некоторых его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой, а также способ устранения матричных спектральных помех путем удаления кремния из растворов. Показано устройство наиболее известных современных и предшествующих (разработанных для других аналитических методов) нагреваемых аппаратов для кислотного парофазного разложения образцов под давлением или с выпуском летучих продуктов наружу, выявлены их достоинства и недостатки

Найти похожие

 1-10    11-17 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика