Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>) |
Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Способ переработки лейкоксеновых концентратов с получение раствора титанилсульфата и карбида кремния/Г. П. Швейкин, И. И. Калиниченко, А. П. Штин, И. В. Николаенко. - 1999
|
2.
| Ивановский А. Л. Квантовая химия в материаловедении. Неметаллические тугоплавкие соединения и неметаллическая керамика/А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин. - 2000
|
3.
| Ершова Л. А. Взаимодействие оксидов алюминия и кремния в присутствии криолита/Л. А. Ершова, В. Г. Бамбуров, Т. К. Протопопова // Известия Академии наук СССР. Сер. Неорганические материалы, 1986. т.Т. 22,N N 12.-С.2001-2004
|
4.
| Электронная структура кислородновакансионных дефектов в диоксиде кремния/В. А. Губанов, А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов, С. П. Фрейдман, Г. Б. Черлов // Журнал прикладной спектроскопии, 1988. т.Т. 49,N N 1.-С.97-102
|
5.
| Рентгеновские эмиссионные спектры и электронная структура соединений V3Si и V3Ge, легированных переходными металлами/А. В. Медведев, В. Е. Долгих, А. Л. Ивановский, Е. В. Кузнецов, В. А. Губанов, Э. З. Курмаев // Физика металлов и металловедение, 1984. т.Т. 57,N N 2.-С.245-253
|
6.
| Ionic and electronic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta apatites /A. A. Yaremchenko, A. L. Shaula, V. V. Kharton, J. C. Waerenborgh, D. P. Rojas, M. V. Patrakeev, F. M. B. Marques // Solid State Ionics, 2004. т.V. 171,N N 1-2.-С.51-59
|
7.
| Oxygen Ionic and Electronic Transport in Apatite-Type Solid Electrolytes/V. V. Kharton, A. L. Shaula, M. V. Patrakeev, J. C. Waerenborgh, D. P. Rojas, N. P. Vyshatko, E. V. Tsipis, A. A. Yaremchenko, F. M. B. Marques // Journal of the Electrochemical Society, 2004. т.V. 151,N N 8.-С.A1236-A1246
|
8.
| Влияние сортового ближнего порядка на расчет полного и парциальных структурных факторов аморфного сплава Pd85Si15/Р. М. Кобелева, Э. А. Пастухов, Л. Е. Михайлова, Н. И. Сидоров, В. Л. Лисин, В. Г. Постовалов // Проблемы исследования структуры аморфных металлических сплавов: 3-я Всесоюз. конф.: Тез. докл.. -М., 1988. т.Т. 1.-С.11-12
|
9.
| Electronic structure charge distribution and X-ray emission spectra of V3Si/V. I. Anisimov, V. A. Gubanov, A. L. Ivanovsky, E. Z. Kurmaev, J. Weber, R. Lacroix // Solid State Communications, 1979. т.V. 29,N N 3.-С.185-190
|
10.
| Рентгеноэлектронное исследование влияния поверхностного SiO2 на профиль распределения As+, имплантированного в Si при электронном отжиге/Д. П. Фриккель, Ю. Ф. Журавлев, М. В. Кузнецов, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Спектроскопические методы анализа поверхности аморфных и жидких металлов: Школа-семинар (Челябинск, 21-26 мая 1990 г.): Тез. докл.. -Челябинск, 1990.-С.15-16
|
|
|