Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>) |
Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Electronic structure charge distribution and X-ray emission spectra of V3Si/V. I. Anisimov, V. A. Gubanov, A. L. Ivanovsky, E. Z. Kurmaev, J. Weber, R. Lacroix // Solid State Communications, 1979. т.V. 29,N N 3.-С.185-190
|
2.
| Влияние макроструктуры тонкой анизотропной ленты Fe-3Si на электромагнитные потери при упругих воздействиях/В. А. Зайкова, Н. К. Есина, Ю. Н. Драгошанский, А. П. Штин, Т. А. Ханжина // Физика металлов и металловедение, 1983. т.Т. 55,N N 6.-С.1125-1132
|
3.
| Рентгеновские эмиссионные спектры и электронная структура соединений V3Si и V3Ge, легированных переходными металлами/А. В. Медведев, В. Е. Долгих, А. Л. Ивановский, Е. В. Кузнецов, В. А. Губанов, Э. З. Курмаев // Физика металлов и металловедение, 1984. т.Т. 57,N N 2.-С.245-253
|
4.
| Ершова Л. А. Взаимодействие оксидов алюминия и кремния в присутствии криолита/Л. А. Ершова, В. Г. Бамбуров, Т. К. Протопопова // Известия Академии наук СССР. Сер. Неорганические материалы, 1986. т.Т. 22,N N 12.-С.2001-2004
|
5.
| Влияние сортового ближнего порядка на расчет полного и парциальных структурных факторов аморфного сплава Pd85Si15/Р. М. Кобелева, Э. А. Пастухов, Л. Е. Михайлова, Н. И. Сидоров, В. Л. Лисин, В. Г. Постовалов // Проблемы исследования структуры аморфных металлических сплавов: 3-я Всесоюз. конф.: Тез. докл.. -М., 1988. т.Т. 1.-С.11-12
|
6.
| Электронная структура кислородновакансионных дефектов в диоксиде кремния/В. А. Губанов, А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов, С. П. Фрейдман, Г. Б. Черлов // Журнал прикладной спектроскопии, 1988. т.Т. 49,N N 1.-С.97-102
|
7.
| Березовская И. В. Влияние кремния на люминесценцию марганца в алюминатах ЩЗМ/И. В. Березовская, М. Г. Зуев, Н. П. Ефрюшина // Физика, химия и технология люминофоров: 6-е Всесоюз. совещ. (Ставрополь, 11-13 окт. 1989 г.): Тез. докл.. -Ставрополь, 1989,N Ч. 2.-С.121
|
8.
| Еременко В. В. Изучение фазового перехода в кристалле FeSiF6 ? 6H2O оптическими методами/В. В. Еременко, Н. В. Песчанский, В. И. Фомин // Кристаллография, 1989. т.Т. 34,N N 3.-С.658-662
|
9.
| Особенности формирования поверхностного слоя Si[100] импланированного As при электронном отжиге/Ю. Ф. Журавлев, Д. П. Фриккель, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Химия твердого тела: Междунар. конф. (Одесса, 16-20 окт. 1990 г.): Тез. докл.. -Свердловск; Одесса, 1990. т.Т. 1.-С.94
|
10.
| Рентгеноэлектронное исследование влияния поверхностного SiO2 на профиль распределения As+, имплантированного в Si при электронном отжиге/Д. П. Фриккель, Ю. Ф. Журавлев, М. В. Кузнецов, Д. И. Проскуровский, В. А. Губанов // Спектроскопические методы анализа поверхности аморфных и жидких металлов: Школа-семинар (Челябинск, 21-26 мая 1990 г.): Тез. докл.. -Челябинск, 1990.-С.15-16
|
|
|