Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Нанотехнологии (24)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ
Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i)

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния [] = Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - 203-209: табл. - Библиогр.: с. 209 (27 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- Si2N2O -- КРЕМНИЙ -- Si -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- СИАЛОНЫ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ -- МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ СИАЛОНЫ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура и химическая связь примесных атомов Mn, Co в 3C-SiC [] / Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 236
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Si -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КЛАСТЕРЫ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- Mn -- Co -- МАРГАНЕЦ -- КОБАЛЬТ -- ДОПИРОВАНИЕ

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Химическая связь и электронное строение орторомбических O'-сиалона и оксинитрида кремния с примесями замещения (C, Al, Ga, Be, Mg) [] = Chemical bonding and electronic structure of orthorhombic O'-sialon and silicon oxynitride with substitution impurities (C, Al, Ga, Be, Mg) / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2000. - Т. 41, N 4. - С. 687-695. - Библиогр.: 28 назв. . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СИАЛОНЫ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- УГЛЕРОД -- C -- АЛЮМИНИЙ -- Al -- ГАЛЛИЙ -- Ga -- БЕРИЛЛИЙ -- Be -- МАГНИЙ -- Mg -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ПОДРЕШЕТКА КАТИОННАЯ -- КАТИОННАЯ ПОДРЕШЕТКА -- Si2N2O -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СИСТЕМЫ ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ -- ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- КРЕМНИЙ -- Si
Аннотация: Первопринципным самосогласованным X альфа-методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в кластерах, моделирующих орторомбические O'-сиалон и оксинитрид кремния с примесями замещения по катионной подрешетке. Обсуждены закономерности изменения локальных межатомных взаимодействий и эффективных атомных зарядов в Si2N2O при изо- и гетеровалентном замещении, Si->C, Al, Ga, Be и Mg

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Квантовохимическое моделирование Me-O взаимодействие в 3C-SiC [] / Э. И. Юрьева // Новые неорганические материалы и химическая термодинамика: Второй семинар СО РАН - УрО РАН: Тез. докл. - 2002. - С. 235
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА SiC-МАТРИЦЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC -- Si -- КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КЛАСТЕРЫ

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния [] = Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - 220-225: табл. - Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- Ti -- V -- Ni -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ
Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i)

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co [] = Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co / Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - 207-214: табл. - Библиогр.: с. 214 (16 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
SiC -- Cr -- Mn -- Fe -- Co -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ХРОМ -- МАРГАНЕЦ -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- 3C-SiC -- 3d-ПРИМЕСИ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M -> Si, Si -> i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электронные свойства 3C-SiC, содержащего структурные дефекты [] / Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62 . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- 3C-SiC -- SiC -- Si -- C -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электронная структура кислородновакансионных дефектов в диоксиде кремния [] / В. А. Губанов, А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов, С. П. Фрейдман, Г. Б. Черлов // Журнал прикладной спектроскопии. - 1988. - Т. 49, N 1. - С. 97-102 . - ISSN 0514-7506
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КИСЛОРОДНОВАКАНСИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ДЕФЕКТЫ КИСЛОРОДНОВАКАНСИОННЫЕ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 41

   
    Экспериментальное и теоретическое исследование влияния метастабильной микрогетерогенности жидких эвтектических сплавов на их склонность к аморфизации и на структуру и свойства в аморфном состоянии [Текст] / П. С. Попель, Грушевский К. И., А. В. Конюкова, А. В. Рябина, Сивков Г. М., В. Е. Сидоров, Л. Д. Сон, Щенова М. Н., Ягодин Д. А. // Региональный конкурс РФФИ "Урал". Свердловская область [Текст] : результаты научных работ, полученные за 2006 г. : аннот. отчеты / Рос. фонд фундамент. исслед., РАН, УрО, Регион. науч.-техн. центр. - Екатеринбург, 2007. - С. 244-246
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛОТНОСТЬ РАСПЛАВОВ -- СПЛАВЫ Pd-Si -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- ПЛАВЛЕНИЕ

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика