Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Нанотехнологии (24)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/C 91
Автор(ы) : Tyutyunnik A. P., Leonidov I. A., Surat L. L., Berger I. F., Zubkov V. G.
Заглавие : Crystal structure, morphotropic phase transition and luminescence in the new cyclosilicates Sr3R2(Si3O9)2, R=Y, Eu–Lu
Место публикации : Journal of Solid State Chemistry. - 2013. - Vol. 197. - С. 447-455: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 454-455 (71 ref.)
ISSN: 0022-4596
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рентгеновская дифракция--силикаты--люминесценция
Аннотация: A new series of promising luminescent materials, cyclosilicates Sr3R2(Si3O9)2, R=Y, Eu–Lu, has been synthesized via a solid-state reaction. X-ray and neutron powder diffraction studies show that these oxides crystallize in the monoclinic crystal system (S.G. C2/c, Z=4) and have a morphotropic phase transition between Er and Tm compounds followed by a step-like change of the unit cell constants. Isolated [Si3O9] rings located in layers are basic building units and stack with Sr/R layers along the [1 0 ] direction. The rare earth atoms are distributed among three independent Sr/R sites coordinated by 8, 7 and 6 oxygen atoms, and the Sr-R populations change from mixed to 0.5/0.5 over site (1) and full occupation of sites (2) and (3) by Sr and R, respectively, at the transition. Changes of the conformation and mutual arrangement of [Si3O9] rings, as well as exchange of oxygen atoms from the first and the second coordination sphere of two Sr/R sites also feature the phase transition. Luminescence in Sr3Y2(Si3O9)2:Eu3+ under ultraviolet (UV) excitation has been discussed
Полный текст
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/C 94
Автор(ы) : Kuznetsov M. V., Shalaeva E. V., Borisov S. V., Mitrofanov B. V., Ivanovsky A. L., Shveikin G. P.
Заглавие : Cubic solid solution TixSiyNz(O) films: Synthesis, structure and electronic properties
Место публикации : Mendeleev Communications. - 1995. - N 3. - С. 94-96. - ISSN 0959-9436. - ISSN 0959-9436
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки поликристаллические--поликристаллические пленки--свойства электронные--электронные свойства--растворы твердые--твердые растворы--tisin(o)--ti--титан--si--кремний--дуговой метод--метод дуговой
Аннотация: Поликристаллические монофазные пленки твердых растворов TixSiyNz(O) со структурой В1 получены дуговым методом (состав мишени Ti0.7Si0.3, температура подложки 470 К, давление N 2 от 6 * 10(-2) до 1 * 10(-1) Па). Параметры решетки полученных кубических фаз изменяются в зависимости от состава от 4,21 до 4,30 А
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 27
Автор(ы) : Valiev E. Z., Berger I. F., Voronin V. I., Glazkov V. A., Kaloyan A. A., Podurets K. M.
Заглавие : Effect of hydrostatic pressure on the magnetic and lattice properties of the ferromagnet La(Fe0.86Si0.14)13
Место публикации : Physics of the Solid State. - 2014. - Vol. 56, № 1. - С. 14-16
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферромагнетики--сжатие--температурные зависимости
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 27
Автор(ы) : Shchapova Yu. V., Votyakov S. L., Kuznetsov M. V., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Effect of radiation defects on the electronic structure of zircon by X-ray photoelectron
Место публикации : Journal of Structural Chemistry. - 2010. - Vol. 51, № 4. - С. 657-662: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 662 (12 ref.)
ISSN: 0022-4766
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия--цирконий--циркон
Аннотация: X-Ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to study the electronic structure of radiation damaged samples of ZrSiO4 zircon mineral at early and middle stages of its radiation destruction. The effects of radiation induced atomic disordering are found to be most distinctly manifested in the spectra of O1s states and to a smaller extent in the spectra of Si2p states, and also in the zircon valence band. Based on the quantum chemical calculation results the conclusion is drawn that the observed changes in XPS lines are caused by the formation of oxygen vacancy defects and an increase in the covalency of interatomic bonds near oxygen vacancies. For zircon samples with a low/moderate degree of radiation damage these changes reflect the initial stage of the polymerization of the ZrSiO4 structure due to the formation of Si–O–Si chain fragments
Полный текст
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 43
Автор(ы) : Belova O. V., Shabanov V. N., Kasatkin A. P., Kuznetsov O. A., Yablonskii A. N., Kuznetsov M. V., Kuznetsov V. P., Kornaukhov A. V., Andreev B. A., Krasil'nik Z. F.
Заглавие : Electrical properties of Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy
Место публикации : Semiconductors. - 2008. - Vol. 42, № 2. - С. 137-141
Примечания : Библиогр. : с. 140 (12 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
\\\\Expert2\\nbo\\Semiconductors (ФТП)\\2008, v.42, N 2, p.137-141.pdf
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 43
Автор(ы) : Gubanov V. A., Zatsepin A. F., Kortov V. S., Novikov D. L., Freidman S. P., Cherlov G. B., Shchapova U. V.
Заглавие : Electronic states spectrum for lead silicate glasses with different short-range order structures
Место публикации : Journal of Non-Crystalline Solids. - 1991. - V. 127, N 3. - С. 259-266. - ISSN 0022-3093. - ISSN 0022-3093
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): стекла свинцовосиликатные--свинцовосиликатные стекла--строение электронное--pb--свинец--si--кремний--электронное строение--метод дискретного варьирования--спектры электронные--электронные спектры--кластерные модели--модели кластерные--метод мо лкао
Аннотация: В рамках метода МО ЛКАО с использованием кластерных моделей, приближения Х альфа для обменно-корреляционного взаимодействия и метода дискретного варьирования для оценки матричных элементов электронного гамильтониана изучено электронное строение свинцовосиликатных стекол. Показано, что при низких концентрациях Pb электронная структура стекол приближенно описывается как суперпозиция состояний почти свободных ионов Pb(2+) и состояний SiO2.При высоких концентрациях Pb наблюдается значительная гибридизация 6s(Pb)-состояний и валентных АО атомов О. Оптическое поглощение в области 3,0-5,2 эВ во всех стеклах связывают с 6s-6p-переходами на металле
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 43
Автор(ы) : Anisimov V. I., Gubanov V. A., Ivanovsky A. L., Kurmaev E. Z., Weber J., Lacroix R.
Заглавие : Electronic structure charge distribution and X-ray emission spectra of V3Si
Место публикации : Solid State Communications. - 1979. - V. 29, N 3. - С. 185-190. - ISSN 0038-1098. - ISSN 0038-1098
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--v3si--структура электронная--электронная структура--рентгеновские эмиссионные спектры--распределение зарядов
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 66
Автор(ы) : Kuznetsov V. P., Remizov D. Yu., Shmagin V. B., Kudryavtsev K. E., Shabanov V. N., Obolensky S. V., Belova O. V., Kuznetsov M. V., Kornaukhov A. V., Andreev B. A., Krasil'nik Z. F.
Заглавие : Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures
Место публикации : Semiconductors. - 2007. - Vol. 41, № 11. - С. 1312-1314
Примечания : Библиогр. : с. 1314 (12 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/H 99
Автор(ы) : Yaremchenko A. A., Shaula A. L., Kharton V. V., Waerenborgh J. C., Rojas D. P., Patrakeev M. V., Marques F. M. B.
Заглавие : Ionic and electronic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta apatites
Параллельн. заглавия :Ionic and electronic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta apatites
Место публикации : Solid State Ionics. - 2004. - V. 171, N 1-2. - С. 51-59. - ISSN 0167-2738. - ISSN 0167-2738
Примечания : Библиогр.: с. 59 (30 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: The incorporation of praseodymium in the apatite-type lattice of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta (x = 0-6) decreases the unit cell volume, suppresses Fe4+ formation according to Mossbauer spectroscopy, and increases p- and n-type electronic contributions to total conductivity, studied by the impedance spectroscopy and modified faradaic efficiency (FE) and electromotive force (EMF) methods at 973-1223 K. The additions of praseodymia have no essential effect on the ionic transport, with an activation energy of 99-109 kJ/mol, under oxidizing conditions. Contrary to the Al-containing analogue, La9.83Si4.5Al1.5O26, exhibiting p(O2)-independent conductivity at oxygen pressures from 10(-20) to 0.5 atm, the ionic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta decreases on reducing p(O2) below 10(-14)-10(-12) atm. The observed behavior suggests a presence of hyperstoichiometric oxygen, critical for the level of ionic conduction and compensated by the formation of Fe4+ or Pr4+. The ion transference numbers in air vary in the range 0.979-0.994 for La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26+delta, whilst for La9.83Si4.5Al1.5O26 the p-type electronic contribution to the total conductivity is lower than 0.5%. The average thermal expansion coefficients (TECs) of silicate-based solid electrolytes are (8.8-9.4)x10(-6)K(-1) at 300-1200 K and (14.2-15.8)x10(-6)K(-1) at 1200-1350 K
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/I-98
Автор(ы) : Ivanovskii A. L., Medvedeva N. I., Okatov S. V.
Заглавие : Effect of Al, Si, B, and C Impurities on the Electronic Structure and Bonding of Zirconium Nitride
Место публикации : Inorganic Materials. - 2001. - Vol. 37, № 6. - С. P. 595-602: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 602 (12 ref.)
ISSN: 0020-1685
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитрид циркония--алюминий--кремний--карбиды переходных металлов
Аннотация: The electronic structure and bonding configuration of cubic (B1 type) ZrN-based substitutional solid solutions containing Al, Si, B, or C atoms on the Zr and/or N sites were investigated using self-consistent linearized muffin-tin-orbital calculations in the atomic-sphere approximation. The total and partial densities of states, cohesion energy of the solid solutions, and charge states of the constituent atoms were evaluated. Interatomic interactions were analyzed using the semiempirical tight-binding method. The results were used to discuss the possible mechanisms of formation of ternary ZrN-based solid solutions and compare their chemical stability
Полный текст
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика