Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Нанотехнологии (24)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 114
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-60   61-90   91-114 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Ю 85
Автор(ы) : Юрьева Э. И.
Заглавие : Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Параллельн. заглавия :Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - С. 207-214: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 214 (16 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M - Si, Si - i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/V 92
Автор(ы) : Vorob'ev Yu. P., Shveikin G. P.
Заглавие : Compositions of Two Morphological Forms of beta-Si6 – zAlzOzN8 – z
Место публикации : Inorganic Materials. - 2000. - Vol. 36, № 12. - С. P. 1239-1242: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 1242 (14 ref.)
ISSN: 0020-1685
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сиалон--морфология бета-сиалонов--стехиометрия
Аннотация: Analysis of experimental data on the formation of beta-sialon (beta-Si6- zAlzOzN8- z) at high temperatures (1300–1500°C) indicates that two morphological forms—fibers and spherical particles—differ in chemical composition: z = 3.58 in the fibers and 2.60 in the spherical particles. The formation of fibers is assumed to follow the whisker growth mechanism, while the spherical particles are likely to grow via diffusion
Полный текст
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/C 91
Автор(ы) : Tyutyunnik A. P., Leonidov I. A., Surat L. L., Berger I. F., Zubkov V. G.
Заглавие : Crystal structure, morphotropic phase transition and luminescence in the new cyclosilicates Sr3R2(Si3O9)2, R=Y, Eu–Lu
Место публикации : Journal of Solid State Chemistry. - 2013. - Vol. 197. - С. 447-455: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 454-455 (71 ref.)
ISSN: 0022-4596
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рентгеновская дифракция--силикаты--люминесценция
Аннотация: A new series of promising luminescent materials, cyclosilicates Sr3R2(Si3O9)2, R=Y, Eu–Lu, has been synthesized via a solid-state reaction. X-ray and neutron powder diffraction studies show that these oxides crystallize in the monoclinic crystal system (S.G. C2/c, Z=4) and have a morphotropic phase transition between Er and Tm compounds followed by a step-like change of the unit cell constants. Isolated [Si3O9] rings located in layers are basic building units and stack with Sr/R layers along the [1 0 ] direction. The rare earth atoms are distributed among three independent Sr/R sites coordinated by 8, 7 and 6 oxygen atoms, and the Sr-R populations change from mixed to 0.5/0.5 over site (1) and full occupation of sites (2) and (3) by Sr and R, respectively, at the transition. Changes of the conformation and mutual arrangement of [Si3O9] rings, as well as exchange of oxygen atoms from the first and the second coordination sphere of two Sr/R sites also feature the phase transition. Luminescence in Sr3Y2(Si3O9)2:Eu3+ under ultraviolet (UV) excitation has been discussed
Полный текст
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/C 94
Автор(ы) : Kuznetsov M. V., Shalaeva E. V., Borisov S. V., Mitrofanov B. V., Ivanovsky A. L., Shveikin G. P.
Заглавие : Cubic solid solution TixSiyNz(O) films: Synthesis, structure and electronic properties
Место публикации : Mendeleev Communications. - 1995. - N 3. - С. 94-96. - ISSN 0959-9436. - ISSN 0959-9436
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки поликристаллические--поликристаллические пленки--свойства электронные--электронные свойства--растворы твердые--твердые растворы--tisin(o)--ti--титан--si--кремний--дуговой метод--метод дуговой
Аннотация: Поликристаллические монофазные пленки твердых растворов TixSiyNz(O) со структурой В1 получены дуговым методом (состав мишени Ti0.7Si0.3, температура подложки 470 К, давление N 2 от 6 * 10(-2) до 1 * 10(-1) Па). Параметры решетки полученных кубических фаз изменяются в зависимости от состава от 4,21 до 4,30 А
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/I-98
Автор(ы) : Ivanovskii A. L., Medvedeva N. I., Okatov S. V.
Заглавие : Effect of Al, Si, B, and C Impurities on the Electronic Structure and Bonding of Zirconium Nitride
Место публикации : Inorganic Materials. - 2001. - Vol. 37, № 6. - С. P. 595-602: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 602 (12 ref.)
ISSN: 0020-1685
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитрид циркония--алюминий--кремний--карбиды переходных металлов
Аннотация: The electronic structure and bonding configuration of cubic (B1 type) ZrN-based substitutional solid solutions containing Al, Si, B, or C atoms on the Zr and/or N sites were investigated using self-consistent linearized muffin-tin-orbital calculations in the atomic-sphere approximation. The total and partial densities of states, cohesion energy of the solid solutions, and charge states of the constituent atoms were evaluated. Interatomic interactions were analyzed using the semiempirical tight-binding method. The results were used to discuss the possible mechanisms of formation of ternary ZrN-based solid solutions and compare their chemical stability
Полный текст
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 27
Автор(ы) : Valiev E. Z., Berger I. F., Voronin V. I., Glazkov V. A., Kaloyan A. A., Podurets K. M.
Заглавие : Effect of hydrostatic pressure on the magnetic and lattice properties of the ferromagnet La(Fe0.86Si0.14)13
Место публикации : Physics of the Solid State. - 2014. - Vol. 56, № 1. - С. 14-16
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферромагнетики--сжатие--температурные зависимости
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 27
Автор(ы) : Shchapova Yu. V., Votyakov S. L., Kuznetsov M. V., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Effect of radiation defects on the electronic structure of zircon by X-ray photoelectron
Место публикации : Journal of Structural Chemistry. - 2010. - Vol. 51, № 4. - С. 657-662: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 662 (12 ref.)
ISSN: 0022-4766
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия--цирконий--циркон
Аннотация: X-Ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to study the electronic structure of radiation damaged samples of ZrSiO4 zircon mineral at early and middle stages of its radiation destruction. The effects of radiation induced atomic disordering are found to be most distinctly manifested in the spectra of O1s states and to a smaller extent in the spectra of Si2p states, and also in the zircon valence band. Based on the quantum chemical calculation results the conclusion is drawn that the observed changes in XPS lines are caused by the formation of oxygen vacancy defects and an increase in the covalency of interatomic bonds near oxygen vacancies. For zircon samples with a low/moderate degree of radiation damage these changes reflect the initial stage of the polymerization of the ZrSiO4 structure due to the formation of Si–O–Si chain fragments
Полный текст
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 43
Автор(ы) : Belova O. V., Shabanov V. N., Kasatkin A. P., Kuznetsov O. A., Yablonskii A. N., Kuznetsov M. V., Kuznetsov V. P., Kornaukhov A. V., Andreev B. A., Krasil'nik Z. F.
Заглавие : Electrical properties of Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy
Место публикации : Semiconductors. - 2008. - Vol. 42, № 2. - С. 137-141
Примечания : Библиогр. : с. 140 (12 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
\\\\Expert2\\nbo\\Semiconductors (ФТП)\\2008, v.42, N 2, p.137-141.pdf
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/O-39
Автор(ы) : Okatov S. V., Ivanovskii A. L., Shveikin G. P.
Заглавие : Electronic properties and atom ordering effects in solid solutions AlN1-xOx and AlxSi1-xN
Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.24
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свойства электронные--электронные свойства--растворы твердые--твердые растворы--al--алюминий--si--кремний--метод хюккеля--хюккеля метод--связи межатомные--межатомные связи
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 43
Автор(ы) : Gubanov V. A., Zatsepin A. F., Kortov V. S., Novikov D. L., Freidman S. P., Cherlov G. B., Shchapova U. V.
Заглавие : Electronic states spectrum for lead silicate glasses with different short-range order structures
Место публикации : Journal of Non-Crystalline Solids. - 1991. - V. 127, N 3. - С. 259-266. - ISSN 0022-3093. - ISSN 0022-3093
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): стекла свинцовосиликатные--свинцовосиликатные стекла--строение электронное--pb--свинец--si--кремний--электронное строение--метод дискретного варьирования--спектры электронные--электронные спектры--кластерные модели--модели кластерные--метод мо лкао
Аннотация: В рамках метода МО ЛКАО с использованием кластерных моделей, приближения Х альфа для обменно-корреляционного взаимодействия и метода дискретного варьирования для оценки матричных элементов электронного гамильтониана изучено электронное строение свинцовосиликатных стекол. Показано, что при низких концентрациях Pb электронная структура стекол приближенно описывается как суперпозиция состояний почти свободных ионов Pb(2+) и состояний SiO2.При высоких концентрациях Pb наблюдается значительная гибридизация 6s(Pb)-состояний и валентных АО атомов О. Оптическое поглощение в области 3,0-5,2 эВ во всех стеклах связывают с 6s-6p-переходами на металле
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Y 95
Автор(ы) : Yureva E. I., Ivanovsky A. L., Shveikin G. P.
Заглавие : Electronic structure and chemical bond in Si2N2O:C, Ga, Al, Mg
Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.38
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура электронная--электронная структура--связи химические--химические связи--оксинитриды--материалы огнеупорные--огнеупорные материалы--устойчивость химическая--химическая устойчивость--ga--галлий--al--алюминий--mg--магний--si--кремний
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 43
Автор(ы) : Anisimov V. I., Gubanov V. A., Ivanovsky A. L., Kurmaev E. Z., Weber J., Lacroix R.
Заглавие : Electronic structure charge distribution and X-ray emission spectra of V3Si
Место публикации : Solid State Communications. - 1979. - V. 29, N 3. - С. 185-190. - ISSN 0038-1098. - ISSN 0038-1098
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--v3si--структура электронная--электронная структура--рентгеновские эмиссионные спектры--распределение зарядов
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Yur`eva E. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites
Место публикации : Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - С. 1243-1246: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ISSN: 1063-7826
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--допирование--переходные металлы
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti --Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me-- Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me-- Si, C) is studied
Полный текст
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/I-98
Автор(ы) : Ivanovskii A. L., Medvedeva N. I., Shveikin G. P.
Заглавие : Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon
Место публикации : Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - С. 612-615: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)
ISSN: 1066-5285
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--стехиометрия
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCxL0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed
Полный текст
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/H 99
Автор(ы) : Ivanovskii A. L., Novikov D. L., Shveikin G. P.
Заглавие : Electronic Structure of Ti3SiC2
Место публикации : Mendeleev Communications. - 1995. - V. 5, N 6. - С. 90-91. - ISSN 0959-9436. - ISSN 0959-9436
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): расчеты самосогласованные--самосогласованные расчеты--параметры спектров--связи структурные--структурные связи--плотность--фазы тройные--тройные фазы--ti3sic2--титан--кремний--лмто метод--структура электронная--электронная структура--ti--si--c--углерод
Аннотация: Self-consistent calculations of the band structure, total and local densities of states and energy spectrum parameters of the ordered ternary phase Ti3SiC2 have been carried out using the full-potential LMTO method
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/E 66
Автор(ы) : Kuznetsov V. P., Remizov D. Yu., Shmagin V. B., Kudryavtsev K. E., Shabanov V. N., Obolensky S. V., Belova O. V., Kuznetsov M. V., Kornaukhov A. V., Andreev B. A., Krasil'nik Z. F.
Заглавие : Erbium ion electroluminescence in p++/n+/n-Si:Er/n++ silicon diode structures
Место публикации : Semiconductors. - 2007. - Vol. 41, № 11. - С. 1312-1314
Примечания : Библиогр. : с. 1314 (12 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/H 99
Автор(ы) : Yaremchenko A. A., Shaula A. L., Kharton V. V., Waerenborgh J. C., Rojas D. P., Patrakeev M. V., Marques F. M. B.
Заглавие : Ionic and electronic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta apatites
Параллельн. заглавия :Ionic and electronic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta apatites
Место публикации : Solid State Ionics. - 2004. - V. 171, N 1-2. - С. 51-59. - ISSN 0167-2738. - ISSN 0167-2738
Примечания : Библиогр.: с. 59 (30 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: The incorporation of praseodymium in the apatite-type lattice of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta (x = 0-6) decreases the unit cell volume, suppresses Fe4+ formation according to Mossbauer spectroscopy, and increases p- and n-type electronic contributions to total conductivity, studied by the impedance spectroscopy and modified faradaic efficiency (FE) and electromotive force (EMF) methods at 973-1223 K. The additions of praseodymia have no essential effect on the ionic transport, with an activation energy of 99-109 kJ/mol, under oxidizing conditions. Contrary to the Al-containing analogue, La9.83Si4.5Al1.5O26, exhibiting p(O2)-independent conductivity at oxygen pressures from 10(-20) to 0.5 atm, the ionic conductivity of La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26 + or - delta decreases on reducing p(O2) below 10(-14)-10(-12) atm. The observed behavior suggests a presence of hyperstoichiometric oxygen, critical for the level of ionic conduction and compensated by the formation of Fe4+ or Pr4+. The ion transference numbers in air vary in the range 0.979-0.994 for La9.83-xPrxSi4.5Fe1.5O26+delta, whilst for La9.83Si4.5Al1.5O26 the p-type electronic contribution to the total conductivity is lower than 0.5%. The average thermal expansion coefficients (TECs) of silicate-based solid electrolytes are (8.8-9.4)x10(-6)K(-1) at 300-1200 K and (14.2-15.8)x10(-6)K(-1) at 1200-1350 K
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/O-56
Автор(ы) : Kuznetsov V. P., Alyabina N. A., Bozhenkin V. A., Belova O. V., Kuznetsov M. V.
Заглавие : On the modes of evaporation of Si and dopants in vacuum epitaxy procedures
Место публикации : Semiconductors. - 2008. - Vol. 42, № 3. - С. 251-256
Примечания : Библиогр. : с. 256 (8 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
\\\\Expert2\\nbo\\Semiconductors (ФТП)\\2008, v.42, N 3, p.251-256.pdf
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/O-97
Автор(ы) : Kharton V. V., Shaula A. L., Patrakeev M. V., Waerenborgh J. C., Rojas D. P., Vyshatko N. P., Tsipis E. V., Yaremchenko A. A., Marques F. M. B.
Заглавие : Oxygen Ionic and Electronic Transport in Apatite-Type Solid Electrolytes
Параллельн. заглавия :Oxygen Ionic and Electronic Transport in Apatite-Type Solid Electrolytes
Место публикации : Journal of the Electrochemical Society. - 2004. - V. 151, N 8. - С. A1236-A1246. - ISSN 0013-4651. - ISSN 0013-4651
Примечания : Библиогр.: с. A1246 (35 назв.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: The oxygen ionic conductivity of apatite-type La9.83Si4.5Al1.5-yFeyO26 + - delta (y = 0-1.5), La10-xSi6-yFeyO26 + - delta (x = 0-0.77; y = 1-2), and La7-xSr3Si6O26 + - delta (x = 0-1) increases with increasing oxygen content. The ion transference numbers, determined by faradaic efficiency measurements at 973-1223 K in air, are close to unity for La9.83Si4.5Al1.5-yFeyO26 + - delta and La10Si5FeO26.5, and vary in the range 0.96-0.99 for other compositions. Doping of La9.83(Si, Al)6O26 with iron results in an increasing Fe4+ fraction, which was evaluated by Mossbauer spectroscopy and correlates with partial ionic and p-type electronic conductivities, whereas La-stoichiometric La10(Si, Fe)O26 + delta apatites stabilize the Fe3+ state. Among the studied materials, the highest ionic and electronic transport is observed for La10Si5FeO26.5, where oxygen interstitials are close neighbors of Si-site cations. Data on transference numbers, total conductivity, and Seebeck coefficientas a function of the oxygen partial pressure confirm that the ionic conduction in Fe-substituted apatites remains dominant under solid oxide fuel cell operation conditions. However, reducing p (O2) leads to a drastic decrease in the ionic transport, presumably due to a transition from the prevailing interstitial to a vacancy diffusion mechanism, which is similar to the effect of acceptor doping. Iron additions improve the sinterability of silicate ceramics, increase the n-type electronic conductivity at low p(O2), and probably partly suppress the ionic conductivity drop. The thermal expansion coefficients of apatite solid electrolytes in air are (8.8-9.9)x10(-6) K(-1) at 300-1250 K
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/S 70
Автор(ы) : Polyakov E. V., Volkov V. L., Surikov V. T., Perelyaeva L. A.
Заглавие : Solubility of monazite chemical components in humic acid solutions
Место публикации : Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry. - 2010. - Vol. 286. - С. 707-711: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 711 (17 ref.)
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монацит--гуминовая кислота--растворимость--редкоземельные элементы--фосфаты
Аннотация: Using physicochemical methods we showed that continuous (15 days) exposure of monazite powder in humic acid (HA) solutions with different acidity gives rise to one to two orders of magnitude growth in the concentration of the monazite’ p-, d- and f-elements of Periodic Table (Mg, Al, Si, P, Pb, Ti, Bi, Sc, Ti-Zn, REE, Th, U). The growth in the elements concentration in the humic solutions contacting monazite is shown to depend on the initial concentration of HA in the solutions, pH. It is concluded that these factors should be taken into consideration when inorganic phosphates and alike phases are used as a matrix for the radionuclide wastes solidification
Полный текст
Найти похожие

21.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/M 46
Автор(ы) : Medvedeva N. I., Ivanovskii A. L., Shveikin G. P.
Заглавие : The electronic structure of A2N2O, A = Si, C, Ge
Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.21
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): керамика--si--кремний--ge--германий--структура электронная--электронная структура--si2n2o--оксинитрид кремния--c2n2o--ge2n2o--оксинитрид германия--свойства электрофизические--электрофизические свойства--свойства механические--механические свойства--свойства термические--термические свойства--лмто метод--сопротивление термическое--термическое сопротивление
Найти похожие

22.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/T 44
Автор(ы) : Borukhovich A. S., Galyas A. I., Demidenko O. F., Dyakonov V., Ketsko V. A., Ignat’eva N. I., Novitskii N. N., Stognij A. I., Szymczak H., Yanushkevich K. I.
Заглавие : The Production and Structure of Submicrometer Eu0.75Fe0.25O Films on InSb, Si, and GaAs Substrates
Место публикации : Inorganic Materials. - 2009. - Vol. 45, № 3. - С. P. 254-257: il.
Примечания : Bibliogr. : p. 256-257 (12 ref.)
ISSN: 0020-1685
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--ферромагнетики--пленки тонкие
Аннотация: The conditions for fabrication and the crystal structure of the up-to-350-nm-thick Eu0.75Fe0.25O layers formed on InSb, Si, and GaAs substrates are studied. For the first time, 100–200 nm films with morphological surface inhomogeneities not exceeding 10 nm in size are produced by flash evaporation of targets close in composition to Eu0.75Fe0.25O onto InSb(001) substrates. The films exhibit ferromagnetic properties in combination with semiconductor properties at room temperatures
Полный текст
Найти похожие

23.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/S 53
Автор(ы) : Shein I. R., Shein K. I., Ivanovskii A. L.
Заглавие : Thorite versus huttonite: stability, electronic properties, and x-ray emission spectra from first-principle calculations
Место публикации : Physics and Chemistry of Minerals. - 2006. - Vol. 33, № 8-9. - С. 545-552
Примечания : Bibliogr. : p. 551
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ортосиликат тория--рентгеновская эмиссионная спектроскопия--электронная структура
Аннотация: The structural, electronic properties and stability of thorium orthosilicate ThSiO4 polymorphs: thorite and huttonite are investigated by means of the full-potential linearized ugmented-plane-wave method with the generalized gradient approximation for the exchange-correlation potential (FLAPW-GGA). The forbidden gaps of thorite and huttonite are estimated at about 7.8 and 7.6 eV, respectively. It is found that Th5f states in ThSiO4 partially overlap with occupied O2p bands. The data obtained showed that thorite is more stable than huttonite; in turn both ThSiO4 polymorphs are unstable with respect to their constituent binary oxides (thorianite ThO2 and a-quartz SiO2) in agreement with the experiments. The theoretical shapes of X-ray emission (XES) (Si,O)Ka,b spectra for thorite, huttonite as well as for SiO2 and ThO2 are calculated and discussed. We show that the XES spectroscopy near the (Si,O)K edge may be very useful technique not only for detailed investigation of the bulk-electronic structure of Th silicates but also for the phase analysis of complex mineral samples containing these species
Полный текст
Найти похожие

24.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 16
Автор(ы) : Швейкин Г. П., Смольников Ю. А., Тимощук Т. А., Ивановский А. Л., Карташов В. В., Бекетов А. Р.
Заглавие : Абразивная способность бета'-сиалонов, синтезированных методом горячего прессования
Место публикации : Огнеупоры и техническая керамика. - 1999. - N 5. - С. 20-22. - ISSN 0369-7290. - ISSN 0369-7290
Примечания : Библиогр.: 18 назв.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): абразивные свойства--свойства абразивные--бета-сиалоны--горячее прессование--прессование горячее--порошки--si3n4--al2o3--aln--si--al--кремний--алюминий--микроструктура--химический состав--состав химический--фазовый состав--состав фазовый
Аннотация: Изучена абразивная способность бета'-сиалонов, синтезированных горячим прессованием смеси порошков Si3N4, Al2O3 и AlN, в зависимости от микроструктуры, химического и фазового составов
Найти похожие

25.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 64
Автор(ы) : Анциферов В. Н., Швейкин Г. П., Любимов В. Д., Авдеева Н. М., Данченко Ю. В., Лихтенштейн В. И., Калачева М. В., Сапожникова Н. Г., Тимощук Т. А.
Заглавие : Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния
Место публикации : Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981. - ISSN 0044-4618. - ISSN 0044-4618
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--фазоструктурные превращения--превращения фазоструктурные--пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний--фенолформальдегидная смола--кремний--si--тройные системы--системы тройные--карбид кремния
Найти похожие

26.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/А 64
Автор(ы) : Анциферов В. Н., Швейкин Г. П., Любимов В. Д., Авдеева Н. М., Данченко Ю. В., Лихтенштейн В. И., Калачева М. В., Сапожникова Н. Г., Тимощук Т. А.
Заглавие : Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния
Место публикации : Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981. - ISSN 0044-4618. - ISSN 0044-4618
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ--превращения фазоструктурные--фазоструктурные превращения--системы тройные--тройные системы--пенополиуретан--смола фенолформальдегидная--фенолформальдегидная смола--кремний--si--карбид кремния--sic
Найти похожие

27.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/С 38
Автор(ы) : Богданова Е. А., Сабирзянов Н. А., Хонина Т. Г.
Заглавие : Биоактивные Ca-, P-, Si-содержащие гидрогели на основе глицеролатов кремния и гидроксиапатита
Место публикации : Физика и химия стекла. - 2011. - Т. 37, № 6. - С. 928-935: граф., фото
Примечания : Библиогр.: с. 934-935 (16 назв.)
ISSN: 0132-6651
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гидрогели--гидроксиапатиты--глицеролат кремния--фаза дисперсная--среда дисперсионная
Аннотация: Выделены и охарактеризованы рядом физико-химических и физических методов исследований дисперсная фаза и дисперсионная среда комбинированного Ca-, P-, Si-содержащего гидрогеля, полученного из глицеролатов кремния в избытке глицерина и коллоидного раствора гидроксиапатита. Предложены механизм образования и схема строения каркаса гидрогеля
Найти похожие

28.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/Е 80
Автор(ы) : Ершова Л. А., Бамбуров В. Г., Протопопова Т. К.
Заглавие : Взаимодействие оксидов алюминия и кремния в присутствии криолита
Место публикации : Известия Академии наук СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1986. - Т. 22, N 12. - С. 2001-2004. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--оксиды--взаимодействие оксидов--оксид алюминия--оксид кремния--алюминий--кремний--криолит--al--si
Найти похожие

29.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 40
Автор(ы) : Галактионов В. Н., Кононенко В. И., Безукладникова Л. Л., Торокин В. В., Голубев С. В.
Заглавие : Взаимодействие расплавов на основе алюминия с карбидом кремния
Место публикации : Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - Екатеринбург, 1996. - Т. 1. - С. 215
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): расплавы--алюминий--карбид кремния--взаимодействие расплавов--кремний--al--si--химия
Найти похожие

30.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 54/В 58
Автор(ы) : Валиев Э. З., Бергер И. Ф., Воронин В. И., Глазков В. А., Калоян А. А., Подурец К. М.
Заглавие : Влияние всестороннего давления на магнитные и решеточные свойства ферромагнетика La(Fe0.86Si0.14)13
Место публикации : Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, № 1. - С. 21-23.
ББК : 54
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): температурные зависимости--сжатие
Аннотация: Приведены результаты измерений температурной зависимости постоянной решетки ферромагнетика La(Fe0.86Si0.14)13 при различных давлениях и температурах. Определено численное значение модуля всестороннего сжатия при комнатной температуре. Измерения температурной зависимости постоянной решетки ферромагнетика La(Fe0.86Si0.14)13 при давлении 0 и 11.5 kbar показали, что при отсутствии давления на температурной зависимости параметра решетки наблюдается резкое уменьшение в интервале от 160 до 210 K, в то время как под давлением 11.5 kbar уменьшение происходит в интервале от 110 до 180 K. Это свидетельствует об изменении TC под давлением от 210 до ~170 K. Результаты экспериментов проанализированы с помощью уравнений состояния для магнитной и упругой подсистем ферромагнетика. Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13394, шифр "Импульс"), при частичной поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН (проект N 12-П-2-1019 УрО РАН), государственных контрактов N 14.518.11.7020, 16.552.11.7055 и РФФИ (гранты N 12-02-12070-офи\_м и 12-02-12069-офи\_м).
Найти похожие

 1-30    31-60   61-90   91-114 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика