Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Нанотехнологии (6)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Расплавы (12)Публикации Чарушина В.Н. (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SiC<.>)
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40  
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   E 58

    Enyashin, A. N.
    Prediction of atomic structure and electronic properties of Ti3SiC2 based nanotubes by DFTB theory [Текст] / A. N. Enyashin, A. L. Ivanovskii // Materials Letters. - 2008. - Vol. 62, № 4-5. - С. 663-665
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   E 58

    Enyashin, A. N.
    Quantum-chemical modelling of nanotubes of titanium silicocarbides Ti2SiC, Ti3SiC2, and Ti4SiC3 / A. N. Enyashin, A. L. Ivanovskii // Theoretical and Experimental Chemistry. - 2009. - Vol. 45, № 2. - P98-102 : il. - Bibliogr. : p. 101-102 (13 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ -- КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- СИЛИКОКАРБИД ТИТАНА
Аннотация: Atomic models are proposed for nanotubes of the titanium silicocarbides Ti2SiC, Ti3SiC2, and Ti4SiC3, and their electronic structure and interatomic interactions are investigated by the density functional tight-binding method (DFTB) in comparison with the corresponding crystalline phases

Полный текст
Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   I-98

    Ivanovskii, A. L.
    Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon / A. L. Ivanovskii, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Russian Chemical Bulletin. - 1999. - Vol. 48, № 3. - P612-615 : il. - Bibliogr. : p. 615 (9 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: Electronic structure of superstoichiometric silicon carbide, β-SiCx>L0 , was studied by the self-consistent ab initio linearized "muffin-tin" orbital method. It is most likely that the formation of β-SiCx>1,0 occurs by replacement of silicon atoms by carbon atoms rather than by insertion of carbon atoms into interstitial lattice sites. The C → Si replacement is accompanied by lattice compression (the equilibrium lattice parameter for a superstoichiometric phase of composition Si0.75CI1.25 is -2% smaller than for SIC). In the presence of superstoichiometric carbon the type of interaction between silicon and carbon atoms changes and additional bonds characteristic of diamond are formed

Полный текст
Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   H 99

    Ivanovskii, A. L.
    Electronic Structure of Ti3SiC2 [] / A. L. Ivanovskii, D. L. Novikov, G. P. Shveikin // Mendeleev Communications. - 1995. - V. 5, N 6. - С. 90-91 . - ISSN 0959-9436
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСЧЕТЫ САМОСОГЛАСОВАННЫЕ -- САМОСОГЛАСОВАННЫЕ РАСЧЕТЫ -- ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРОВ -- СВЯЗИ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ СВЯЗИ -- ПЛОТНОСТЬ -- ФАЗЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ ФАЗЫ -- Ti3SiC2 -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- ЛМТО МЕТОД -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- Ti -- Si -- C -- УГЛЕРОД
Аннотация: Self-consistent calculations of the band structure, total and local densities of states and energy spectrum parameters of the ordered ternary phase Ti3SiC2 have been carried out using the full-potential LMTO method

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Cleavage fracture in Ti3SiC2 from first-principles [Текст] / N. I. Medvedeva, A. J. Freeman // Scripta Materialia. - 2008. - Vol. 58, № 8. - С. 671-674
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Electronic Structure of Cubic Silicon Carbide with Substitutional 3d Impurities at Si and C Sites / N. I. Medvedeva, E. I. Yur`eva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2003. - Vol. 37, № 11. - P1243-1246 : il. - Bibliogr. : p. 1245 (19 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДОПИРОВАНИЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: The full-potential linear muffin-tin orbital method is used to calculate the electronic structure and cohesive energies for cubic silicon carbide doped with transition 3d metal impurities (Me = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), substituting Si or C at the corresponding sublattice of the atomic matrix. It is established that all 3d impurities mainly occupy silicon sites. For the Ti -->Si substitution, dopant impurity levels are located in the conduction band of SiC, whereas doping silicon carbide with other 3d impurities gives rise to additional donor or acceptor levels in the band gap. For 3C-SiC the effect of impurities on the lattice parameter (with the substitutions Me--> Si) and on the impurity local magnetic moments (with the substitutions Me--> Si, C) is studied

Полный текст
Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Titanium, Vanadium, and Nickel Impurities in 3C-SiC: Electronic Structure and Lattice Relaxation Effects / N. I. Medvedeva, E. I. Yuryeva, A. L. Ivanovskii // Semiconductors. - 2002. - Vol. 36, № 7. - P751-754 : il. - Bibliogr. : p. 754 (16 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ
Аннотация: Variations of chemical bonding and lattice relaxation in cubic silicon carbide in the presence of 3d-series impurity atoms (M = Ti, V, and Ni) were studied within the total-potential version of the method of linear muffin-tin orbitals. Substitution of the silicon atom with M causes a displacement of the closest carbon atoms outward from the impurity atom; the greatest effect is observed for the Ti atom. The conducting properties in doped compounds vary from semiconductor for the titanium atom (electron conduction) and nickel (hole conduction) to metallic in the case of vanadium. Features of chemical bonding were analyzed on the basis of the cohesion energy and charge densities

Полный текст
Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   R 42

    Rempel, A. A.
    Identification of Structural Vacancies in Carbides, Oxides, and Sulfides by Doppler Broadening of the Gamma-Ray Line / A. A. Rempel, A. A. Valeeva, N. S. Kozhevnikova // JETP Letters. - 2010. - Vol. 92, № 3. - P146-150 : il. - Bibliogr. : p. 150 (9 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- КАРБИДЫ -- ОКСИДЫ -- СУЛЬФИДЫ
Аннотация: A method has been developed to identify the sublattices of a crystal structure in which there are atomic vacancies. This method is based on determining the chemical environment of vacancies and is implemented using the method of the positron annihilation by measuring the momentum distribution of core electrons. To determine the characteristic momentum distribution of electrons, a special two-detector spectroscopy is used, which ensures measurements of Doppler broadening of the annihilation gamma ray line with a high (up to 106) signal-to-noise ratio. To test the method, vacancies in irradiated silicon carbide (6H SiC), sintered nonstoichiometric titanium carbides (TiCy) and titanium monoxides (TiOy), and chemically deposited lead and cadmium sulfides (PbS and CdS) have been identified. Vacancies in the carbon and silicon sublattices have been identified in silicon carbide after irradiation by low- and high-energy electrons, respectively. Vacancies in the nonmetal sublattice have been identified in TiCy. Vacancies in the metal sublattice have been identifiedin TiCy, as well as in PbS and CdS

Полный текст
Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   R 42

    Rempel, A. A.
    Irradiation-induced atomic defects in SiCstudied by positron annihilation / A. A. Rempel, H. -E. Schaefer // Applied Physics A. - 1995. - Vol. 61. - P.51-53 : il. - Bibliogr. : p. 52-53 (11 ref.)
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАРБИД КРЕМНИЯ -- АННИГИЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ПОЗИТРОННАЯ
Аннотация: The present paper reports on positron lifetime??measurements on atomic defects in SiC after low-temperature (80 K) electron irradiation of low (0.47 MeV) and high (2.5 MeV)electron energies and doses from 1.8 x 10 (17) to 1.9 x 10(19) e/cm 2 as well as after subsequent isochronal annealing up to 1900 K. For these studies the single crystals??of nitrogen doped (2-3 x 10(18) cm (-3) SiC grown by??a modified Lely technique with hexagonal structure (6H polytype) were used. According to the positron lifetime measurements, very different types of vacancy-like positron traps are introduced??after irradiation with electrons of either low or high??energy. The formation of defect agglomerates and their decay at high temperatures is studied during isochronal annealing and related to earlier studies

\\\\Expert2\\nbo\\Applied Physics A Materials Science and Processing\\1995, v. 61, N 1, p.51-53.pdf
Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 64

   
    Анализ фазоструктурных превращений системы пенополиуретан-фенолформальдегидная смола-кремний в процессе трансформации в карбид кремния [] / В. Н. Анциферов, Г. П. Швейкин, В. Д. Любимов, Н. М. Авдеева, Ю. В. Данченко, В. И. Лихтенштейн, М. В. Калачева, Н. Г. Сапожникова, Т. А. Тимощук // Журнал прикладной химии. - 1994. - Т. 67, N 6. - С. 977-981 . - ISSN 0044-4618
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИЗ -- ПРЕВРАЩЕНИЯ ФАЗОСТРУКТУРНЫЕ -- ФАЗОСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- ПЕНОПОЛИУРЕТАН -- СМОЛА ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНАЯ -- ФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНАЯ СМОЛА -- КРЕМНИЙ -- Si -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- SiC

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40  
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика