Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Нанотехнологии (6)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Расплавы (12)Публикации Чарушина В.Н. (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=SiC<.>)
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40  
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   E 58

    Enyashin, A. N.
    Prediction of atomic structure and electronic properties of Ti3SiC2 based nanotubes by DFTB theory [Текст] / A. N. Enyashin, A. L. Ivanovskii // Materials Letters. - 2008. - Vol. 62, № 4-5. - С. 663-665
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 39

   
    Рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры Ti3SiC2 [] / В. Р. Галахов, С. Н. Шамин, В. А. Трофимова, Н. А. Овечкина, Д. Г. Келлерман, В. С. Горшков, М. В. Кузнецов, Я. Н. Блиновсков, В. А. Переляев // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - С. 57-60
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- Ti3SiC2 -- РЕНТГЕНОВСКИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ ЭМИССИОННЫЕ СПЕКТРЫ

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   M 46

    Medvedeva, N. I.
    Cleavage fracture in Ti3SiC2 from first-principles [Текст] / N. I. Medvedeva, A. J. Freeman // Scripta Materialia. - 2008. - Vol. 58, № 8. - С. 671-674
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Е 64

    Еняшин, А. Н.
    Квантовохимическое моделирование нанотрубок силикокарбидов титана Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3 = Quantum-Chemical Simulation of Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3 nanotubes / А. Н. Еняшин, А. Л. Ивановский // Теоретическая и экспериментальная химия. - 2009. - Т. 45, № 2. - С. 88-92 : ил., табл., граф. - Библиогр.: с. 91 (13 назв.) . - ISSN 0497-2627
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ -- КВАНТОВОХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- СТРУКТУРА АТОМНАЯ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СИЛИКОКАРБИДЫ ТИТАНА
Аннотация: Предложены атомные модели и методом функционала электронной плотности сильной связи (DFTB) исследованы особенности электронной структуры и межатомных взаимодействий для нанотрубок силикокарбидов титана Ti2SiC, Ti3SiC2 и Ti4SiC3 в сравнении с соответствующими кристаллическими фазами

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42

    Медведева, Н. И.
    Моделирование процессов скольжения разрыва силикокарбида титана = Modelling the processes of sliding and breaking of silicocarbide of titanium / Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Деформация и разрушение материалов. - 2008. - № 1. - С. 18-21 : ил., граф., табл. - Библиогр.: с. 21 (20 назв.) . - ISSN 1814-4632
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СКОЛЬЖЕНИЕ -- СИЛИКОКАРБИД ТИТАНА -- ТИТАН
Аннотация: Приведены результаты моделирования процессов разрыва и скольжения для перспективной керамики- силикокарбида титана Ti3SiC2. В рамках модели Райса - Томпсона с использованием расчитанных (неэмпирическим зонным методом FLMTO) величин энергий декогезии и дефекта упаковки установлена тенденция к хрупкому распространению трещин в исследуемом материале

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85

    Юрьева, Э. И.
    Ab initio моделирование межатомных взаимодействий в 3C-SiC:M, M = Cr, Mn, Fe, Co [] = Ab initio modelling interatomic interactions in 3C-SiC : M, M = Cr, Mn, Fe, Co / Э. И. Юрьева // Журнал структурной химии. - 2004. - Т. 45, N 2. - 207-214: табл. - Библиогр.: с. 214 (16 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
SiC -- Cr -- Mn -- Fe -- Co -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ХРОМ -- МАРГАНЕЦ -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- 3C-SiC -- 3d-ПРИМЕСИ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СТЕХИОМЕТРИЯ
Аннотация: В рамках приближений теории функционала электронной плотности и X альфа-дискретного варьирования расчетной схемы рассмотрены параметры электронной структуры и химического связывания примесных атомов M = Cr, Mn, Fe, Co в кубическом карбиде кремния. Предложена схема расчета энергии связи для кластерного подхода. Изучены модели стехиометрического и сверхстехиометрического внедрения атомов примеси. Получено, что энергия связи выше для стехиометрического внедрения. Атомы титана и железа при сверхстехиометрическом внедрении предпочтительно локализуются в Si4-междоузлии. Для всех остальных атомов предпочтительна модель M -> Si, Si -> i. Введение примеси ослабляет базовые связи Si-C

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 42

    Медведева, Н. И.
    Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C)

Полный текст
Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 38

   
    Синтез и исследование свойств тройной фазы Ti3SiC2 [] / Д. Г. Келлерман, В. С. Горшков, Я. Н. Блиновсков, И. Г. Григоров, В. А. Переляев, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы. - 1997. - Т. 33, N 3. - С. 329-332 . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- СИНТЕЗ -- ТРОЙНЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ ТРОЙНЫЕ -- Ti3SiC2 -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электронные свойства 3С-SiC, содержащего структурные дефекты [] / Н. И. Медведева, Ж. В. Гертнер, В. В. Красковская, В. М. Жуковский, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин // Неорганические материалы. - 1995. - Т. 31, N 1. - С. 55-62 . - ISSN 0002-337X
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- 3С-SiC

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 73

    Новиков, Д. Л.
    Электронные свойства M3SiX2-фаз (M = Ti, V, Zr; X = C, N) [] / Д. Л. Новиков, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (Екатеринбург, 14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - Ч. 1. - С. 308
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- Ti3SiC2 -- V3SiC2 -- Zr3SiC2 -- Ti3SiN2 -- V3SiN2 -- Zr3SiN2 -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА

Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40  
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика