Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   И 22

    Ивановский, А. Л.
    Моделирование структуры и электронного строения многокомпонентных систем: вюртцитоподобные твердые растворы AlN-SiC [] = Modelling the common structures and electronic structures of multicomponent systems: wurzite-like solid solutions of AlN-SiC / А. Л. Ивановский, С. В. Окатов // Материаловедение. - 2001. - N 2. - 13-19: табл., граф. - Библиогр.: с. 19 (25 назв.) . - ISSN 1684-579X

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ -- ЗОННЫЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СИСТЕМЫ МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ -- МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ВЮРТЦИТОПОДОБНЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ВЮРТЦИТОПОДОБНЫЕ -- AlN-SiC -- AlN -- НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- SiC -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- МЕТОД ЗОННЫЙ
Аннотация: Параметризованным зонным методом сильной связи в модели 72-атомных сверхъячеек исследованы электронные свойства, условия химической стабильности и особенности межатомных взаимодействий в многокомпонентных системах на основе вюртцитоподобных AlN, SiC. Рассмотрены варианты образования твердых растворов при легировании исходного кристалла парами различных примесных атомов в процессе замещения: Si - Al, C - N (или Si - N, C - Al) в матрице AlN и Al - Si, N - C (или Al - C, N - Si) в матрице SiC. Данные системы моделировали возможные механизмы формирования разбавленных твердых растворов (составы Al0,484Si0,016N0,484C0,016 и Si0,484Al0,016C0,484N0,016). На основании расчетов обсуждается возможность формирования переходного структурного и химического состояний многокомпонентных конденсированных систем

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 22

    Ивановский, А. Л.
    О "переходном" химическом состоянии в многокомпонентных системах: примеси Si и C в нитриде алюминия [] = About "chemical transition state" in multicomponent systems: Si- and C-impurities in AlN / А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2003. - Т. 44, N 2. - 331-333: табл. - Библиогр.: с. 333 (4 назв.) . - ISSN 0136-7463

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОЖНОЛЕГИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ СЛОЖНОЛЕГИРОВАННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- КЛАСТЕРИЗАЦИЯ -- ПРИМЕСИ -- КРЕМНИЙ -- УГЛЕРОД -- Si -- C -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ХИМИЯ
Аннотация: С использованием зонного метода сильной связи на примере нитрида алюминия, легированного кремнием и углеродом, рассмотрена проблема стабилизации сложнолегированной системы при кластеризации разносортных примесей, образующих фрагмент их "собственной" фазы (SiC), который "погружен" в изоструктурную матрицу (AlN). Эффект предложено описать как формирование локального "переходного" химического состояния между составами матрицы и бинарных фаз, которые примесные элементы образуют между собой

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 89

    Кузнецов, М. В.
    Защитные покрытия на основе (TiAl)N: модификация поверхностных слоев при температурном прогреве на воздухе [] / М. В. Кузнецов, Е. В. Шалаева, В. А. Губанов // Поверхность: физика, химия, механика. - 1994. - N 2. - С. 95-102 . - ISSN 0207-3528

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХИМИЯ -- TiN -- AlN -- НИТРИД ТИТАНА -- НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- ЗАЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ПОКРЫТИЯ ЗАЩИТНЫЕ -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ -- СЛОИ ПОВЕРХНОСТНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПРОГРЕВ -- ПРОГРЕВ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 38


    Синтез наноразмерных слоев / Л. А. Акашев, Н. А. Попов, В. А. Кочедыков, В. Г. Шевченко // Письма в Журнал технической физики. - 2013. - Т. 39, № 3. - С. 26-32 : ил. - Библиогр.: с. 31-32 (13 назв.)

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- НАНОСЛОИ
Аннотация: Эллипсометрическим методом исследовано взаимодействие поверхности поликристаллического алюминия с азотом при медленном нагреве до температуры 623oC и давлении 1.25 atm. Показано, что процесс образования наноразмерного сплошного слоя нитрида алюминия происходит в интервале температур 520-580oC и выше. Максимальная толщина синтезированного наноразмерного слоя нитрида алюминия составляла 32 nm. Образование нитрида на поверхности алюминия подтверждено методом ИК-спектроскопии на порошках с удельной поверхностью 6.4 m2/g

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   S 98


    Synthesis of aluminum nitride nanolayers / L. A. Akashev, N. A. Popov , V. A. Kochedykov, V. G. Shevchenko // Technical Physics Letters. - 2013. - Vol. 39, № 2. - С. 154-156

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- НАНОСЛОИ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 38


    Синтез наноразмерных слоев нитрида алюминия / Л. А. Акашев, Н. А. Попов, В. А. Кочедыков, В. Г. Шевченко // Письма в Журнал технической физики. - 2013. - Т. 39, № 3. - С. 26-32

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОРОШКИ -- НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ
Аннотация: Эллипсометрическим методом исследовано взаимодействие поверхности поликристаллического алюминия с азотом при медленном нагреве до температуры 623oC и давлении 1.25 atm. Показано, что процесс образования наноразмерного сплошного слоя нитрида алюминия происходит в интервале температур 520-580oC и выше. Максимальная толщина синтезированного наноразмерного слоя нитрида алюминия составляла 32 nm. Образование нитрида на поверхности алюминия подтверждено методом ИК-спектроскопии на порошках с удельной поверхностью 6.4 m2/g.

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)