О-11 О строении жидких сплавов системы галлий-индий [] = About Structure of Liquid Alloys Gallium-Indium System / В. И. Кононенко, С. В. Голубев, А. В. Рябина, В. В. Торокин // Расплавы. - 1998. - N 6. - С. 33-37. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): Ga-In -- Ga -- In -- ВЯЗКОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- ПЛОТНОСТЬ -- СПЛАВЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ СПЛАВЫ -- ГАЛЛИЙ -- ИНДИЙ -- ГАЛЛИЙ-ИНДИЙ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- СИСТЕМЫ ДВОЙНЫЕ -- ДВОЙНЫЕ СИСТЕМЫ Аннотация: Анализируются полученные авторами результаты экспериментальных исследований температурной зависимости вязкости, электросопротивления, поверхностного натяжения и плотности сплава галлия с 30 ат.% In. Политермы структурно-чувствительных свойств обнаруживают гистерезис, обусловленный микронеоднородным строением сплава и стремлением его компонентов к расслоению |
Р 34 Резницких, О. Г. Исследование низкочастотного электросопротивления высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3Ox [] / О. Г. Резницких, В. В. Осипов, А. С. Борухович // Оксиды: Физико-химические свойства: 5-я Всерос. науч. конф.: Сб. тр. - 2000. - С. 408-410. - Библиогр.: 5 назв. Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ НИЗКОЧАСТОТНОЕ -- НИЗКОЧАСТОТНОЕ ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- YBa2Cu3Ox -- КЕРАМИКА СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ -- СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ КЕРАМИКА -- ВТСП-КЕРАМИКА -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ГИСТЕРЕЗИС |
Г 51 Гистерезис сопротивления в LaSrCuO и YBaCuO [] / В. Л. Кожевников, К. Р. Крылов, М. В. Медведев, А. И. Пономарев, И. М. Цидильковский, С. М. Чешницкий // Проблемы высокотемпературной проводимости: Информ. материалы. - 1987. - Т. 2. - С. 96-99 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- LaSrCuO -- YBaCuO -- ГИСТЕРЕЗИС СОПРОТИВЛЕНИЯ |
О-75 Особенности антиферромагнитного упорядочения в ромбическом LiMnO2 / Д. Г. Келлерман, Н. А. Журавлев, С. В. Верховский, Е. Ю. Медведев, А. В. Королев, Ю. Е. Медведева // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, № 7. - С. 1243-1251 : табл., граф. - Библиогр.: с. 1250-1251 (20 назв.) . - ISSN 0367-3294 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНТИФЕРРОМАГНИТНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ -- ЯМР -- ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС -- МАНГАНИТ ЛИТИЯ Аннотация: Методами магнитной восприимчивости, калориметрии и ядерного магнитного резонанса исследовано антиферромагнитное упорядочение в ромбическом манганите лития LiMnO2. Минимальный гистерезис, отсутствие скачков в температурной зависимости подрешеточной намагниченности M(T) и магнитной восприимчивости в окрестности TN свидетельствуют в пользу классификации упорядочения как непрерывного фазового перехода второго рода. В критической области температур изменение M(T-TN) удовлетворительно описывается степенной зависимостью с критическим индексом beta=0.25(4), существенно меньшим предсказываемого для магнитных 3D-систем с изотропным обменом Гейзенберга. В рамках метода LMTO-ASA выполнен расчет зонной структуры ромбического LiMnO2. Учет спинового состояния ионов марганца позволил получить адекватную картину распределения плотностей состояний с энергетической щелью вблизи уровня Ферми (~ 0.7 eV), что соответствует реально измеренным электрическим параметрам манганита лития. Проведенные расчеты показали, что обменные взаимодействия между ионами Mn3+, приводящие к антиферромагнитному упорядочению, существенно анизотропны. Установлено, что ниже температуры Нееля в манганите сохраняются небольшие парамагнитные области, и сделан вывод о том, что это вызвано частичным структурным разупорядочением LiMnO2, в результате которого определенная доля кристаллографических позиций марганца занята ионами лития (LiMn) и наоборот (MnLi). Указанные дефекты не участвуют в образовании правильной магнитной структуры, а формируют парамагнитную фракцию |