546 Л 61 Липатников, В. Н. Упорядочение в карбидах титана и ванадия [] / В. Н. Липатников, А. И. Гусев ; отв. ред. А. А. Ремпель ; Ин-т химии твердого тела УрО РАН; Отв. ред. А. А. Ремпель. - Екатеринбург : Изд-во УрО РАН, 2000. - 265 с. : ил. - Библиогр.: с. 255-264 (172 назв.). - Б. ц. РУБ 546 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УПОРЯДОЧЕНИЕ АТОМНО-ВАКАНСИОННОЕ -- АТОМНО-ВАКАНСИОННОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ -- КАРБИД ВАНАДИЯ -- КАРБИД ТИТАНА -- ВАНАДИЙ -- ТИТАН -- V -- Ti -- СВЕРХСТРУКТУРА -- НЕСТЕХИОМЕТРИЯ -- ДИАГРАММЫ ФАЗОВЫЕ -- ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ -- СВЕРХСТРУКТУРА НЕСОРАЗМЕРНАЯ -- НЕСОРАЗМЕРНАЯ СВЕРХСТРУКТУРА -- Ti-C -- V-C -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ВОСПРИИМЧИВОСТЬ МАГНИТНАЯ -- МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ -- МИКРОТВЕРДОСТЬ -- ВАКАНСИИ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- АННИГИЛЯЦИЯ ПОЗИТРОНОВ Аннотация: В монографии впервые обобщены экспериментальные и теоретические результаты по влиянию атомно-вакансионного упорядочения на структуру и свойства двух наиболее известных нестехиометрических соединений карбидов титана и ванадия. Обсуждаются новые соединения, образующиеся в системах Ti-C и V-C экспериментально и предсказываемые теоретически. Описываются методы получения нанокристаллических карбидов титана и ванадия |
А 90 Аскарова, Л. Х. Окисление кубических карбидов и нитридов переходных металлов 4 и 5 групп [] / Л. Х. Аскарова, В. А. Жиляев ; Институт химии твердого тела УрО РАН. - Екатеринбург : [б. и.], 1994. - 25 с. - Б. ц. Деп. в ВИНИТИ 18.04.94, N 927-B94 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОКИСЛЕНИЕ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- НИТРИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ НИТРИДЫ -- КАРБИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- НИТРИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- МЕТАЛЛЫ ЧЕТВЕРТОЙ ГРУППЫ -- МЕТАЛЛЫ ПЯТОЙ ГРУППЫ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- МЕТАЛЛЫ ПЕРЕХОДНЫЕ |
С 12 Сабирянов, Р. Ф. Влияние примесей замещения на электронный энергетический спектр кубического карбида кремния [] / Р. Ф. Сабирянов, А. Л. Ивановский, Г. П. Швейкин> // Журнал неорганической химии. - 1993. - Т. 38, N 9. - С. 1572-1575 . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ -- СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- СПЕКТРЫ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ХИМИЯ |
А 90 Аскарова, Л. Х. Низкотемпературное окисление кубических карбидов М(IV,V)C1-x на воздухе [] / Л. Х. Аскарова, В. А. Жиляев> // Журнал неорганической химии. - 1993. - Т. 38, N 12. - С. 1935-1939 . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОКИСЛЕНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ -- НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ВОЗДУХ -- МЕТАЛЛЫ -- ОКИСЛЕНИЕ -- КАРБИДЫ |
М 42 Медведева, Н. И. Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки [] = Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - Библиогр.: с. 808 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- V -- Ni -- 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ РЕШЕТОЧНАЯ -- РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей Полный текст |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния [] = Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - 220-225: табл. - Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- Ti -- V -- Ni -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i) |
Ц 91 Цхай, В. А. Конфигурационная энтропия нестехиометрических кубических карбидов ванадия и ниобия [] / В. А. Цхай> // Журнал физической химии. - 1991. - Т. 65, N 6. - С. 1663-1665 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭНТРОПИЯ КОНФИГУРАЦИОННАЯ -- КОНФИГУРАЦИОННАЯ ЭНТРОПИЯ -- КАРБИДЫ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИЕ -- НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИД ВАНАДИЯ -- КАРБИД НИОБИЯ -- ВАНАДИЙ -- НИОБИЙ -- Nb -- V -- NbC -- VC |
Ю 85 Юрьева, Э. И. Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния [] = Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - 943-950: граф., табл. - Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) . - ISSN 0132-344X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ПРИМЕСИ -- НИКЕЛЬ -- Ni -- 3D-МЕТАЛЛЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫЕ -- ТВЕРДОФАЗНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i) |
М 42 Медведева, Н. И. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения [] = Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский> // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - 1281-1284: табл., граф. - Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- ПРИМЕСИ -- МЕТОД ПП-ЛМТО -- КОГЕЗИВНЫЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА КОГЕЗИВНЫЕ -- ТИТАН -- КРЕМНИЙ -- Ti -- Si -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- 3d-МЕТАЛЛЫ Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C) Полный текст |
В 58 Влияние примесей d-металлов на электронное строение кубических карбидов и нитридов титана, ванадия и ниобия [] / А. Л. Ивановский, В. И. Анисимов, В. М. Черкашенко, А. В. Ежов, Э. З. Курмаев, В. А. Губанов> // Журнал физической химии. - 1987. - Т. 61, N 12. - С. 3278-3284 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ПРИМЕСИ -- d-МЕТАЛЛЫ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ НИТРИДЫ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- НИТРИД ВАНАДИЯ -- НИТРИД НИОБИЯ -- НИТРИД ТИТАНА |
Э 45 Электронное строение низших кубических карбидов скандия и иттрия [] / А. Л. Ивановский, Д. Л. Новиков, В. И. Анисимов, В. А. Губанов> // Металлофизика. - 1988. - Т. 10, N 1. - С. 3-10 . - ISSN 0204-3580 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД СКАНДИЯ -- КАРБИД ИТТРИЯ -- СКАНДИЙ -- ИТТРИЙ -- Sc -- Y |
И 22 Ивановский, А. Л. Влияние структурных дефектов на электронное строение и стабильность кубического карбида молибдена [] / А. Л. Ивановский, В. И. Анисимов, В. А. Губанов> // Журнал структурной химии. - 1989. - Т. 30, N 2. - С. 19-24 . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРНЫЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД МОЛИБДЕНА -- МОЛИБДЕН -- Mo |
Ц 91 Цхай, В. А. Статистический расчет распределения C-вакансий в кубическом карбиде ванадия [] / В. А. Цхай> // Журнал физической химии. - 1979. - Т. 53, N 8. - С. 2004-2007 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- C-ВАКАНСИИ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД ВАНАДИЯ |
Ц 91 Цхай, В. А. Расчет электронных параметров и распределения вакансий в кубическом карбиде ниобия [] / В. А. Цхай, П. В. Гельд> // Журнал физической химии. - 1980. - Т. 54, N 6. - С. 1408-1411 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПАРАМЕТРОВ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ВАКАНСИЙ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД НИОБИЯ |
Ц 91 Цхай, В. А. Влияние экранирования М-М-связей в кубических карбидах, нитридах и оксидах переходных металлов на электронные состояния валентной полосы [] / В. А. Цхай, П. В. Гельд> // Журнал физической химии. - 1987. - Т. 61, N 9. - С. 2531-2535 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ЭКРАНИРОВАНИЕ M-M-СВЯЗЕЙ -- M-M-СВЯЗИ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КУБИЧЕСКИЕ НИТРИДЫ -- КУБИЧЕСКИЕ ОКСИДЫ -- НИТРИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- ОКСИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- НИТРИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- СОСТОЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СОСТОЯНИЕ -- ВАЛЕНТНОСТЬ |
Ц 91 Цхай, В. А. Концентрационная зависимость конфигурационной энтропии кубического карбида циркония [] / В. А. Цхай> // Журнал физической химии. - 1990. - Т. 64, N 9. - С. 2354-2359 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ЗАВИСИМОСТИ КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ -- КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- КАРБИД ЦИРКОНИЯ -- ЭНТРОПИЯ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ |
Ц 91 Цхай, В. А. Статистический расчет распределения C-вакансий в кубическом карбиде циркония [] / В. А. Цхай> // Журнал физической химии. - 1990. - Т. 64, N 3. - С. 689-693 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- СТАТИСТИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ -- РАСЧЕТЫ СТАТИСТИЧЕСКИЕ -- C-ВАКАНСИИ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИД ЦИРКОНИЯ |
Ш 34 Швейкин, Г. П. Зависимость микротвердости кубических карбидов и нитридов переходных металлов 4-6 групп от параметров электронной структуры [] / Г. П. Швейкин, В. А. Цхай, Б. В. Митрофанов> // Известия Академии наук СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1987. - Т. 23, N 6. - С. 940-944 . - ISSN 0002-337X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- МИКРОТВЕРДОСТЬ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- НИТРИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- НИТРИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ -- МЕТАЛЛЫ ПЯТОЙ ГРУППЫ -- МЕТАЛЛЫ ЧЕТВЕРТОЙ ГРУППЫ -- МЕТАЛЛЫ ШЕСТОЙ ГРУППЫ -- МЕТАЛЛЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА |
Ц 91 Цхай, В. А. Анализ закономерностей изменения микротвердости с составом кубических карбидов, нитридов металлов 4а и 5а подгрупп [] / В. А. Цхай, Г. П. Швейкин> // 4-е Всесоюз. совещ. по химии твердого тела: Тез. докл. - 1985. - Ч. 2. - С. 30 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- МИКРОТВЕРДОСТЬ -- КАРБИДЫ МЕТАЛЛОВ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КУБИЧЕСКИЕ НИТРИДЫ -- НИТРИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛЫ 4A ПОДГРУППЫ -- МЕТАЛЛЫ 5A ПОДГРУППЫ -- НИТРИДЫ МЕТАЛЛОВ |
Ц 91 Цхай, В. А. Особенности электронной структуры кубических карбидов, нитридов, оксидов металлов 4а-6а подгрупп и экранирование Ме-Ме-связей [] / В. А. Цхай> // 4-е Всесоюз. совещ. по химии твердого тела: Тез. докл. - 1985. - Ч. 1. - С. 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭКРАНИРОВАНИЕ M-M-СВЯЗЕЙ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КУБИЧЕСКИЕ НИТРИДЫ -- КУБИЧЕСКИЕ ОКСИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- НИТРИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- ОКСИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛЫ 4A-6A ПОДГРУПП |