Р 93 Рыжков, М. В. Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана [] = Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТЫ ЛОКАЛЬНЫЕ -- ЛОКАЛЬНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- TiC -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ПОДРЕШЕТКА МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СВЯЗИ КОВАЛЕНТНЫЕ -- КОВАЛЕНТНЫЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C |