Р 93 Рыжков, М. В. Квантовохимическое описание локальных электронных состояний в кристаллах. Карбид и нитрид титана [] = Quantum chemical description of local electron states in crystals. Titanium carbide and nitride / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 1999. - Т. 40, N 4. - С. 630-638. - Библиогр.: 42 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ КВАНТОВАЯ -- КВАНТОВАЯ ХИМИЯ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- КРИСТАЛЛЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- НИТРИД ТИТАНА -- РАСЧЕТЫ -- КЛАСТЕРЫ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ Аннотация: С использованием кластерного метода ДВ выполнены расчеты электронного строения 63- и 219-атомных кластеров в TiC и TiN. Рассмотрены новые возможности моделирования граничных условий кластера в кристалле. Для расчета эффективных зарядов на атомах применена новая методика интегрирования электронной плотности по пространству между ядрами |
О-49 Окатов, С. В. Моделирование электронных свойств и атомного упорядочения в системе бета-Si3N4-Mg-O [] / С. В. Окатов, А. Л. Ивановский // Огнеупоры и техническая керамика. - 2002. - N 11. - С. 26-33. - Библиогр.: с. 33 (16 назв.) . - ISSN 0369-7290 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- АТОМНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ -- УПОРЯДОЧЕНИЕ АТОМНОЕ -- БЕТА-СИАЛОНЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТУГОПЛАВКИЕ -- ТУГОПЛАВКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕЖАТОМНЫЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ МЕЖАТОМНЫЕ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ КЕРАМИЧЕСКИЕ Аннотация: Зонным методом сильной связи проведено моделирование электронной структуры, межатомных связей, химического состава и атомного упорядочения в твердых растворах Si6-xMgxO2xN8-2x системы бета-Si3N4-Mg-O, а также более сложных по составу твердых растворов (ТР) Si6-xMgxOxN8-2xXx (X = S, Se) и Si6-xMgx/2Mx/2OxN8-x (M = C, Si, Ti, Ge, Zr, Sn, Pb). Показано, что стабилизация твердых растворов Si6-xMgxO2xN8-2x может быть достигнута в присутствии S, Se или Zr. Выполнено исследование эффектов атомного упорядочения, установлено, что в данных ТР атомы Mg и O могут образовывать квазиодномерные структуры (примесные каналы), подобные предсказанными авторами для бета-сиалонов |
И 22 Ивановский, А. Л. Новые углеродные наноструктуры: синтез, свойства, моделирование [] / А. Л. Ивановский // Углерод: минералогия, геохимия и космохимия: Междунар. конф. (Сыктывкар, 24-26 июня 2003 г.): Материалы конф. - 2003. - С. 21-23. - Библиогр.: с. 23 (4 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УГЛЕРОДНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СИНТЕЗ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ГИБРИДНЫХ НАНОСТРУКТУР |