И 22 Ивановская, В. В. Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки [] / В. В.; Институт химии твердого тела УрО РАН Ивановская, Г. Зейферт, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, N 9. - 1093-1100: ил. - Библиогр.: с. 1099-1100 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- НАНОСТРУКТУРА -- ДИСУЛЬФИД ТИТАНА -- МОНОСЛОИ -- НАНОЛЕНТЫ -- НАНОТРУБКИ -- САМОСОГЛАСОВАННЫЙ ЗОННЫЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ Аннотация: Предложены атомные модели квазиодномерных (1D) плоских (наноленты) и цилиндрических (нанотрубки) наноструктур 1T- и 2H-фаз TiS2. Самосогласованным зонным методом функционала электронной плотности в схеме сильной связи исследованы особенности электронного строения и факторы устойчивости этих наноструктур в сравнении с двумерной (2D, молекулярный монослой) и трехмерной (3D, кристалл) формами дисульфида титана. Впервые выполнен анализ возможности фазовых переходов (1T<->2H) в наноструктурах. Установлено, что октаэдрический тип атомного окружения, присущий устойчивой фазе 1T кристаллического TiS2, в 2D, 1D наноструктурах сохраняется. В отличие от 3D TiS2, все стабильные 2D и 1D наноструктуры являются полупроводниками; определены закономерности изменений зонного спектра наноструктур TiS2 в зависимости от их типа и атомного строения Полный текст |