К 92 Купряжкин, А. Я. Взаимодействие гелия с ионами при его растворении в кристаллах фторида стронция [] = Interaction of Helium with Ions during Its Solution in Strontium Fluoride Crystals / А. Я. Купряжкин, М. В. Рыжков, А. Г. Дудоров // Журнал физической химии. - 1998. - Т. 72, N 11. - С. 2016-2020 . - ISSN 0044-4537 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЕЛИЙ -- He -- ИОНЫ -- РАСТВОРЕНИЕ -- КРИСТАЛЛЫ -- ФТОРИД СТРОНЦИЯ -- СТРОНЦИЙ -- Sr -- АНИОННЫЕ ВАКАНСИИ -- ВАКАНСИИ АНИОННЫЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ИОНЫ Аннотация: Из исследований растворимости He в кристаллах SrF2 при температурах 715-1215 К получены энергии растворения He в примесных (-0,33+ or - 0.04 эВ) и "собственных" (0.66+ or - 0.04 эВ) анионных вакансиях, а также энергии взаимодействия He с ближайшим окружением катионов Sr (-0.4+ or - 0.1 эВ), указывающие на химический характер взаимодействия He-Sr(2+). С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения нескольких фрагментов кристаллической решетки SrF2 и примесных центров He в нескольких позициях. На основе развитой методики вычисления эффективных зарядов, как интегралов от электронной плотности, получена детальная картина распределения заряда в идеальных и дефектных системах SrF2:He. Найдено, что на He образуется отрицательный заряд -0.07е в междоузлии и 0.14е в анионной вакансии |
Э 45 Электронная структура и химическая связь в полиморфных модификациях оксида висмута [] = Electronic structure and chemical bonding in polimorphs of bismuthsesquioxide / В. П. Жуков, В. М. Жуковский, В. М. Зайнуллина, Н. И. Медведева // Журнал структурной химии. - 1999. - Т. 40, N 6. - С. 1029-1036. - Библиогр.: 23 назв. . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МОДИФИКАЦИИ ПОЛИМОРФНЫЕ -- ПОЛИМОРФНЫЕ МОДИФИКАЦИИ -- ОКСИД ВИСМУТА -- ВИСМУТ -- Bi -- МЕТОД ЛМТО -- МЕТОД ХЮККЕЛЯ -- ХЮККЕЛЯ МЕТОД -- ПЛОТНОСТЬ -- КРИСТАЛЛЫ -- Bi-O -- ИОНЫ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ -- СУПЕРИОННЫЕ ПРОВОДНИКИ Аннотация: Первопринципным самосогласованным методом ЛМТО в приближении сильной связи и полуэмпирическим методом Хюккеля исследована электронная структура альфа-Bi2O3, бета-Bi2O3, гамма-Bi2O3 фаз. Получены полные парциальные плотности состояний и малликеновские заселенности перекрывания. На основе расчетов полной энергии кристалла обсуждается стабильность полиморфных модификаций оксида висмута. Анализ химической связи показывает доминирующую роль взаимодействия Bi-O. Металлическая связь Bi-Bi практически отсутствует. Обсуждаются механизмы миграции ионов кислорода и возможность стабилизации структуры суперионного проводника бета-Bi2O3 |
О-11 О строении жидких сплавов системы галлий-индий [] = About Structure of Liquid Alloys Gallium-Indium System / В. И. Кононенко, С. В. Голубев, А. В. Рябина, В. В. Торокин // Расплавы. - 1998. - N 6. - С. 33-37. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): Ga-In -- Ga -- In -- ВЯЗКОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- ПЛОТНОСТЬ -- СПЛАВЫ ЖИДКИЕ -- ЖИДКИЕ СПЛАВЫ -- ГАЛЛИЙ -- ИНДИЙ -- ГАЛЛИЙ-ИНДИЙ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- СИСТЕМЫ ДВОЙНЫЕ -- ДВОЙНЫЕ СИСТЕМЫ Аннотация: Анализируются полученные авторами результаты экспериментальных исследований температурной зависимости вязкости, электросопротивления, поверхностного натяжения и плотности сплава галлия с 30 ат.% In. Политермы структурно-чувствительных свойств обнаруживают гистерезис, обусловленный микронеоднородным строением сплава и стремлением его компонентов к расслоению |
E 43 Electronic structure and chemical bonding in beta-Bi2O3 [] / N. I. Medvedeva, V. P. Zhukov, V. A. Gubanov, D. L. Novikov, B. M. Klein // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1996. - V. 57, N 9. - С. 547-551 . - ISSN 0022-3697 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- Bi2O3 -- ОКСИД ВИСМУТА -- ПРОВОДНИКИ КИСЛОРОДНО-ИОННЫЕ -- КИСЛОРОДНО-ИОННЫЕ ПРОВОДНИКИ -- СТРУКТУРА ЗОННАЯ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ПЛОТНОСТЬ -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПАРЦИАЛЬНОЕ ДАВЛЕНИЕ -- ЭНЕРГИЯ СЦЕПЛЕНИЯ -- ОКСИДЫ -- ФЛЮОРИТЫ Аннотация: Теоретически в рамках методов полного ПТ исследована система кислородно-ионного проводника, кубического бета-Bi2O3 типа флюорита с различными конфигурациями кислородных вакансий. Рассчитаны полные энергии, зонные структуры, плотности состояний, энергии сцепления и парциальные давления. Структура оксида с двумя кислородными вакансиями на элементарную ячейку наиболее стабильная. Найдены нелинейные изменения энергии сцепления с изменением концентрации |
Ш 95 Шубин, А. Б. Предельная плотность случайной упаковки одинаковых фигур в D-метровом пространстве [] = Limiting Density of Accidental Packing of Identical Figures in D-meter space / А. Б. Шубин // Расплавы. - 1999. - N 3. - С. 95-100. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛОТНОСТЬ ПРЕДЕЛЬНАЯ -- ПРЕДЕЛЬНАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ГЕОМЕТРИЯ СТАТИСТИЧЕСКАЯ -- СТАТИСТИЧЕСКАЯ ГЕОМЕТРИЯ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ОДНОРОДНОСТЬ -- ЕВКЛИДОВО ПРОСТРАНСТВО -- ПРОСТРАНСТВО ЕВКЛИДОВО -- ФИГУРЫ ПРОИЗВОЛЬНОЙ ФОРМЫ Аннотация: На основе представленной системы определений найдены условия однородности и предельной плотности для случайных ансамблей одинаковых фигур произвольной формы в евклидовом пространстве размерности D |
М 42 Медведева, Н. И. Теоретическое исследование адсорбции азота на поверхности Ti(0001) [] = Theoretical Study of Nitrogen Adsorption on Ti(0001) Surface / Н. И. Медведева, М. В. Кузнецов, А. Л. Ивановский // Физика металлов и металловедение. - 1999. - Т. 88, N 2. - С. 23-31. - Библиогр.: 24 назв. . - ISSN 0015-3230 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АДСОРБЦИЯ АЗОТА -- ПОВЕРХНОСТИ -- МЕТОД ЛМТО -- РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ТИТАН -- Ti -- N -- АЗОТ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ Аннотация: Линейным методом muffin-tin (МТ) орбиталей в полнопотенциальной версии (ЛМТО-ПП) проведены первопринципные расчеты систем, моделирующих процесс адсорбции N2 на поверхности Ti (0001). Построены карты зарядовой плотности и послойные плотности электронных состояний, выполнены энергетические оценки адсорбции, рассчитаны величины работы выхода и химических сдвигов внутренних электронных уровней. В согласии с экспериментом расчеты свидетельствуют об энергетической целесообразности локализации хемосорбированного азота в октаэдрических междоузлиях под поверхностным монослоем титана с формированием адсорбционной структуры (1x1)-N. Образованный в результате адсорбции поверхностный слой Ti(0001)-(1x1)-N подобен трехслойному фрагменту грани TiN(111) |
Р 93 Рыжков, М. В. Электронное строение и химическая связь в YBa2M3O7 (M = Cu, Ag, Au) [] / М. В. Рыжков, Д. Л. Новиков, В. А. Губанов // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, N 4. - С. 777-781 . - ISSN 0002-337X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- YBa2Cu3O7 -- Cu -- МЕДЬ -- Ag -- СЕРЕБРО -- Au -- ЗОЛОТО -- ПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- Ba -- БАРИЙ -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ Аннотация: Частичное или полное замещение меди в YBa2Cu3O7 на однотипные по конфигурации Ag и Au должно приводить к образованию соединений со схожим электронным строением, химическим связыванием и распределением зарядовой плотности. Вследствие уменьшения плотности состояний на уровне Ферми в соединениях с серебром, по сравнению с медью, следует ожидать, что Тс в YBa2Ag3O7 будет ниже, чем в YBa2Cu3O7, кроме того, характер проводимости в соединениях с золотом может отличаться от YBa2Cu3O7. |
H 99 Ivanovsky, A. L. Electronic properties of solid solutions in Ti-Al-(N,C) systems [] / A. L. Ivanovsky, N. I. Medvedeva, G. P. Shveikin // Mendeleev Communications. - 1994. - N 5. - С. 176-178 . - ISSN 0959-9436 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- Ti-Al-N -- Ti-Al-C -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- РАСЧЕТЫ САМОСОГЛАСОВАННЫЕ -- САМОСОГЛАСОВАННЫЕ РАСЧЕТЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ДАВЛЕНИЕ ПАРЦИАЛЬНОЕ -- ПАРЦИАЛЬНОЕ ДАВЛЕНИЕ -- СВЯЗИ КОГЕЗИОННЫЕ -- КОГЕЗИОННЫЕ СВЯЗИ Аннотация: На основе результатов самосогласованных расчетов энергетических зон кубических твердых растворов, которые предположительно образуются в системах Ti-Al-N и Ti-Al-C, исследованы электронные свойства и устойчивости этих тройных кубических твердых растворов. Рассчитаны плотности состояний, энергии когезионной связи и парциальное давление и их зависимость от отношения Ti/Al в твердых растворах |
Ш 34 Швейкин, Г. П. Переработка минерального и техногенного сырья карботермическим восстановлением [] / Г. П. Швейкин, В. А. Переляев // Известия РАН. Сер. химическая . - 1997. - N 2. - С. 233-245. - Библиогр.: 30 назв. . - ISSN 0002-3353 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЫРЬЕ МИНЕРАЛЬНОЕ -- МИНЕРАЛЬНОЕ СЫРЬЕ -- СЫРЬЕ ТЕХНОГЕННОЕ -- ТЕХНОГЕННОЕ СЫРЬЕ -- ВОССТАНОВЛЕНИЕ КАРБОТЕРМИЧЕСКОЕ -- КАРБОТЕРМИЧЕСКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ -- МАТЕРИАЛЫ КЕРАМИЧЕСКИЕ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ОТЖИГ -- ГАЗОВЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ ГАЗОВЫЕ -- ПЛОТНОСТЬ ШИХТЫ -- ШИХТА Аннотация: Обобщены результаты современных исследований по получению перспективных материалов (прежде всего, керамических) с использованием карботермического процесса восстановления (КПВ) минерального и техногенного сырья. Особое внимание уделено рассмотрению механизма и кинетики протекания химических реакций в ходе КПВ, а также влиянию разнообразных факторов, варьируемых в процессе восстановления (температура, продолжительность отжига, состав газовой фазы, соотношение компонентов, плотность шихты и т.д.) на состав и свойства конечных продуктов. Обсуждены способы оптимизации конкретных технологических схем получения новых материалов методом КПВ |
Ф 45 Фетисов, А. В. Исследование окисления керамики YBa2Cu3O дельта с различной плотностью [] / А. В. Фетисов, А. А. Фотиев // Структура, свойства и синтез высокотемпературных сверхпроводников: Информ. материалы. - 1991. - С. 49-55. - Библиогр.: 7 назв. Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОКИСЛЕНИЕ -- КЕРАМИКА -- YBaCuO -- КУПРАТ ИТТРИЙ-БАРИЕВЫЙ -- ИТТРИЙ-БАРИЕВЫЙ КУПРАТ -- СВОЙСТВА ОКИСЛИТЕЛЬНО-ВОССТАНОВИТЕЛЬНЫЕ -- ОКИСЛИТЕЛЬНО-ВОССТАНОВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА -- ПЛОТНОСТЬ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА |
Р 93 Рыжков, М. В. Электронное строение локальных дефектов в карбиде титана [] = Electronic Structure of Local Defects in Titanium Carbide / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский // Журнал неорганической химии. - 2000. - Т. 45, N 12. - С. 2035-2041. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТЫ ЛОКАЛЬНЫЕ -- ЛОКАЛЬНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- КАРБИД ТИТАНА -- TiC -- Al -- АЛЮМИНИЙ -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- РЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА -- ПОДРЕШЕТКА МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СВЯЗИ КОВАЛЕНТНЫЕ -- КОВАЛЕНТНЫЕ СВЯЗИ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- Ti -- C -- ТИТАН -- УГЛЕРОД Аннотация: С использованием кластерного метода дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения больших фрагментов кристаллической решетки TiC, моделирующих изолированную вакансию в металлической подрешетке и неизовалентное замещение Ti на Al. На основании полученных результатов показано, что вакансия приводит к деформации электронной плотности не только ближайших, но и более дальних соседей, однако не вызывает смещения зарядовой плотности в эту область кристалла. Взаимодействие примесного атома Al с окружением носит в значительной степени ионный характер в отличие от ковалентной связи Ti-C |
Р 39 Рентгеновские переходы для изучения электронной структуры 5d-металлов [] / Э. З. Курмаев, З. В. Пчелкина, И. А. Некрасов, А. А. Ремпель // 29-я Междунар. зимняя школа по теоретической физике "Коуровка - 2002" (24 февр.-2 мар. 2002 г.): Прогр. и тез. докл. - 2002. - С. 183 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- МЕТАЛЛЫ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОДЫ РЕНТГЕНОВСКИЕ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОВСКИЕ -- Ta -- TaC -- Ta2O5 -- ТАНТАЛ -- КАРБИД ТАНТАЛА -- ОКСИД ТАНТАЛА -- МЕТОД ЛМТО -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- СПЛАВЫ |
М 42 Медведева, Н. И. Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки [] = Titanium, vanadium and nickel impurities in a 3C-SiC: electronic structure and effects of lattice relaxation / Н. И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, N 7. - С. 805-808. - Библиогр.: с. 808 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ ТИТАНА -- ТИТАН -- Ti -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- V -- Ni -- 3C-SiC -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РЕЛАКСАЦИЯ РЕШЕТОЧНАЯ -- РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КРЕМНИЙ -- Si -- ЗАРЯДОВАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДОВАЯ Аннотация: В рамках полнопотенциального варианта метода линейных "muffin-tin" орбиталей проведено теоретическое изучение вариаций химического связывания и решеточной релаксации в кубическом карбиде кремния в присутствии примесных атомов 3d-ряда (M = Ti, V, Ni). Замещение атома кремния на M приводит к сдвигу ближайших атомов углерода в направлении от атома примеси, наибольший эффект наблюдается для атома Ti. Проводящие свойства допированного материала варьируются от полупроводникового для атома титана (электронный проводник) и никеля (дырочный) до металлического в случае ванадия. Особенности химического связывания анализируются на основе значений энергии когезии и зарядовых плотностей Полный текст |
Г 61 Головкин, Б. Г. Рентгеноденситометрический метод определения содержания кислорода, вакансий и степени окисления элементов в кристаллических фазах [] = X-Ray Densitometric Method for Determination of the Content of Oxygen, Vacancies and Oxidation Number for the Elements in Crystalline Phases / Б. Г. Головкин // Заводская лаборатория. - 2001. - N 3. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 30 (10 назв.) . - ISSN 1028-6861 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД РЕНТГЕНОДЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИЙ -- РЕНТГЕНОДЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ФАЗЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ФАЗЫ -- КИСЛОРОД -- O -- ОКИСЛЕНИЕ -- ВАКАНСИИ СТРУКТУРНЫЕ -- СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ -- ПЛОТНОСТЬ -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ ИОННАЯ -- ПОДРЕШЕТКА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДРЕШЕТКА -- АЗОТ -- N -- ГАЛОГЕНЫ Аннотация: Предложен метод, позволяющий на основе измеренного пикнометрически и рассчитанного из рентгенографических характеристик значений плотности определять количество вакансий в различных подрешетках, степень окисления элементов, входящих в состав кристаллической фазы, и содержание кислорода, азота и галогенов |
И 22 Ивановский, А. Л. Электронное строение бинарных фаз с гексагональной структурой типа WC [] = Electronic Structure of Binary Compounds with a Hexagonal WC Type Structure / А. Л. Ивановский, Н. И. Медведева // Журнал неорганической химии. - 2001. - Т. 46, N 7. - 1142-1147: табл., граф. - Библиогр.: с. 1146-1147 (22 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- БИНАРНЫЕ ФАЗЫ -- ФАЗЫ БИНАРНЫЕ -- МЕТОД ЛМТО-СС -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- ПЛОТНОСТЬ -- КОГЕЗИЯ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- ИЗОСТРУКТУРНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- СОЕДИНЕНИЯ ИЗОСТРУКТУРНЫЕ -- КАРБИД ВОЛЬФРАМА -- WC -- ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ Аннотация: Самосогласованным полнопотенциальным методом линейных muffin-tin орбиталей изучены электронное строение и межатомные взаимодействия в известных бинарных фазах металл-неметалл с гексгональной структурой типа WC. Для исследованных соединений d-металлов с 2p-неметаллами получены полные и парциальные плотности состояний, а также энергии когезии (сцепления). На их основе обсуждаются относительная химическая стабильность и некоторые физико-химические свойства рассмотренных фаз |
С 89 Суперпозиционная структура спектров кристаллического поля в высокотемпературных сверхпроводниках: передопированный режим [] / Н. О. Голосова, В. И. Бобровский, Э. Б. Митберг, А. А. Подлесняк, И. Л. Ждахин, А. В. Мирмельштейн // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2002. - Т. 121, N 5. - 1179-1193: ил. - Библиогр.: с. 1192-1193 (32 назв.) . - ISSN 0044-4510 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛЯ -- ПОЛЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- СПЕКТРЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- CuO2 -- Cu -- O -- МЕДЬ -- ОКСИД МЕДИ -- РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ -- НЕЙТРОНЫ -- КЛАСТЕРЫ -- Ca -- КАЛЬЦИЙ -- КУПРАТЫ -- ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ -- ДИАГРАММЫ ФАЗОВЫЕ -- СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ -- КУПРАТНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- СВЕРХПРОВОДНИКИ КУПРАТНЫЕ Аннотация: Эксперименты по неупругому рассеянию нейтронов показывают, что спектры кристаллического поля высокотемпературных сверхпроводников R1-yCayBa2Cu3Ox~7 (R = Ho, Er; 0 < y < 0.25) состоит из двух спектральных компонент, связанных соответственно с оптимально допированными и передопированными кластерами. Увеличение концентрации кальция не влияет на локальную плотность носителей заряда в кластерах, а изменяет концентрацию самих кластеров и, следовательно, спектральные веса компонент спектров. В свете такой "двухфазной" картины, экспериментально обнаруженной ранее в купратных сверхпроводниках при уровнях допирования ниже оптимального, при увеличении концентрации носителей заряда происходит плавный переход (кроссовер) из недодопированного режима в передопированный. Полученные результаты показывают, что эти две области фазовой диаграммы качественно различаются характером распределения заряда в ответственных за сверхпроводимость плоскостях CuO2 |
Ш 26 Шаров, В. А. Твердые растворы оксалатов металлов 3d-ряда и их соединения с гидразином как предшественники шпинелей состава MCo2O4 [] = Solid Solutions of 3d Metal Oxalates and Their Hydrazine Compounds as Precursors of MCo2O4 Splinels / В. А. Шаров, Г. В. Базуев // Журнал неорганической химии. - 2002. - Т. 47, N 6. - 880-885: ил. - Библиогр.: с. 885 (16 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СИНТЕЗ -- ОКСАЛАТЫ МЕТАЛЛОВ -- ГИДРАЗИН -- ГИДРАЗИНОКСАЛАТНЫЕ КОМПЛЕКСЫ -- КОМПЛЕКСЫ ГИДРАЗИНОКСАЛАТНЫЕ -- ШПИНЕЛИ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ИЗОТЕРМИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ -- ДИАГРАММЫ ИЗОТЕРМИЧЕСКИЕ -- РЕНТЕГНОГРАММЫ -- ИК-СПЕКТРЫ -- ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ -- КОБАЛЬТИТЫ -- Fe -- Co -- Ni -- Zn -- Cd -- ЖЕЛЕЗО -- КОБАЛЬТ -- НИКЕЛЬ -- ЦИНК -- КАДМИЙ Аннотация: Синтезированы твердые растворы состава M1/3Co2/3C2O4 * 2H2O (M = Fe, Ni, Zn, Cd). Построены изотермические диаграммы систем M1/3Co2/3C2O4 * 2H2O-N2H4-H2O (C2H5OH). Показано, что в каждой из этих систем образуются два новых гидразиноксалатных комплекса с одной и двумя молекулами гидразина. Получены их рентгенограммы, ИК-спектры, измерена пикнометрическая плотность, обсуждено строение |
Г 62 Голубев, С. В. Экспериментальные исследования свойств расплавов Cu-Ga [] / С. В. Голубев, Л. Л. Безукладникова // Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: 9-я Всерос. конф. (Екатеринбург, 15-18 сент. 1998 г.): Тез. докл. - 1998. - Т. 2. - С. 43-44 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): Cu -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- Ga -- РАСПЛАВЫ -- ПЛОТНОСТЬ -- ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ВЯЗКОСТЬ -- МЕТАЛЛЫ ЖИДКИЕ -- Cu-Ga -- СВОЙСТВА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- МЕДЬ-ГАЛЛИЙ -- МЕДЬ -- ГАЛЛИЙ |
В 49 Виноградова-Жаброва, А. С. Фазообразование в системах NdF3-Ln2O3 [] / А. С. Виноградова-Жаброва, Т. А. Патрушева, В. Г. Бамбуров // Фторидные материалы: 10-й симпозиум по химии неорганических фторидов (М., 9-11 июня 1998 г.): Тез. докл. - 1998. - С. 30 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФАЗООБРАЗОВАНИЕ -- ОКСИФТОРИДЫ РЗЭ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- РЗЭ -- КЕРАМИКА -- NdF3 -- Ln2O3 -- Ln -- Nd -- F -- ЛАНТАНОИДЫ -- НЕОДИМ -- ФТОР -- СИСТЕМЫ БИНАРНЫЕ -- БИНАРНЫЕ СИСТЕМЫ -- ФТОРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ ФТОРИДНЫЕ -- ФТОРИДЫ -- ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ПИКНОМЕТРИЧЕСКАЯ -- ПОРИСТОСТЬ -- ВАКУУМНОЕ СПЕКАНИЕ -- СПЕКАНИЕ ВАКУУМНОЕ -- ГОРЯЧЕЕ ПРЕССОВАНИЕ -- ПРЕССОВАНИЕ ГОРЯЧЕЕ Аннотация: Исследованы условия формирования плотной керамики в результате вакуумного спекания или горячего прессования порошков оксифторидных фаз РЗЭ. Данные пикнометрической плотности и пористости полученных образцов свидетельствовали о возможности достижения требуемого качества керамики не только путем горячего прессования, но и спеканием в вакууме при 1100-1200 С |
Е 55 Елфимов, И. С. Плотности электронных состояний и рентгено-электронные спектры сплавов TixVyCz [] / И. С. Елфимов, А. Л. Ивановский // Химия твердого тела и новые материалы: Всерос. конф. (14-18 окт. 1996 г.): Сб. докл. - 1996. - Т. 1. - С. 275 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛОТНОСТЬ -- СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ -- РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- СПЛАВЫ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- Ti -- ТИТАН -- V -- ВАНАДИЙ -- C -- УГЛЕРОД -- ХИМИЯ |