Инвентарный номер: нет.
   
   Ю 85


    Юрьева, Э. И.
    Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния [] = Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - 203-209: табл. - Библиогр.: с. 209 (27 назв.) . - ISSN 0136-7463
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПРИМЕСИ МЕТАЛЛОВ -- ОКСИНИТРИД КРЕМНИЯ -- Si2N2O -- КРЕМНИЙ -- Si -- МЕТОД НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ -- НЕЭМПИРИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- СИАЛОНЫ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ -- МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИЕ СИАЛОНЫ
Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем