F 56 First-principles study of deformation behavior and structural defects in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 [Текст] / N. I. Medvedeva, E. V. Shalaeva, M. V. Kuznetsov, M. V. Yakushev // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. - 2006. - Vol. 73, № 3. - С. 035207/1-035207/6. - Библиогр. : с. 035207/5 (39 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ -- СЕЛЕНИД ИНДИЯ -- СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ -- СЕЛЕНИД МЕДИ Аннотация: Electronic structure and total-energy calculations have been performed for CuInSe2 and Cu In,Ga Se2 using density-functional theory with generalized gradient corrections. To understand the fracture and deformation behavior in chalcopyrites, we calculated the cleavage and generalized stacking fault energies in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 and demonstrated a brittle character of crack propagation. Antiphase boundary and intrinsic stacking fault defects have low formation energies and are quite probable in these chalcopyrites. The main slip system and preferable cleavage plane should be (110)(112) and (112), respectively. For the (110)(001) and (110)(001) dislocations in CuInSe2, we predict a strong tendency for splitting in two partials Полный текст |
С 66 Состав и морфология химически осажденных пленок Cu2Se — Ga2Se3 / Е. А. Федорова, Л. Н. Маскаева, С. С. Туленин, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, А. Ю. Чуфаров // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14, № 4. - С. 489-495 : ил. - Библиогр.: с. 495 (20 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- СЕЛЕНИД МЕДИ -- СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системе «Ga(NO3)3 — CuCl2 — Na2SeSO3» определены граничные условия образования селенидов меди Cu2Se и галлия Ga2Se3 и их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением тонких пленок GaxCu1−xSeyO2−y на двух типах подложек. Проведены исследования их составов и морфологии Полный текст |