B 96 Burdett, J. K. Origin of Nonstoichiometriy in ScS and Other Early Transition Metal Chalcogenides [] / J. K. Burdett, S. C. Sevov, O. N. Mryasov> // Journal of Physical Chemistry. - 1995. - V. 99, N 9. - С. 2696-2700 . - ISSN 0022-3654 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): Sc -- S -- ScS -- СУЛЬФАТ СКАНДИЯ -- НЕСТЕХИОМЕТРИЯ -- МЕТАЛЛЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ПЕРЕХОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ МЕТАЛЛОВ -- СКАНДИЙ -- СЕРА |
Э 45 Электронное строение и локальные характеристики межатомных взаимодействий в кристаллических модификациях сульфида и селенида кадмия [] = Electronic Structure and Local Characteristics of Interatomic Interactions in Cadmium Sulfide and Selenide Polymorphs / Г. Г. Дивинская, Ю. Н. Макурин, А. А. Софронов, А. Л. Ивановский> // Журнал неорганической химии. - 2002. - Т. 47, N 10. - 1632-1637: табл., граф. - Библиогр.: с. 1637 (8 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖАТОМНОЕ -- МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- СУЛЬФИД КАДМИЯ -- СЕЛЕНИД КАДМИЯ -- CdS -- CdSe -- СТРУКТУРА ТИПА ВЮРТЦИТА -- СТРУКТУРА ТИПА СФАЛЕРИТА -- СТРУКТУРА ТИПА КАМЕННОЙ СОЛИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МЕТОД ЛМТО -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- ЗОННЫЙ МЕТОД -- МЕТОД ЗОННЫЙ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ХАЛЬКОГЕНИД КАДМИЯ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ Аннотация: В приближении функционала электронной плотности самосогласованными кластерным методом дискретного варьирования и зонным методом ЛМТО-сильной связи изучено электронное строение CdS и CdSe со структурами вюртцита, сфалерита и каменной соли. Проанализированы изменения локальных межатомных взаимодействий в халькогенидах кадмия в зависимости от типа их кристаллической структуры и состава неметаллической подрешетки |
Z 62 Zhukov, V. P. The calculations of electronic structure and chemical bonding in rare earth chalcogenides according to the X SW method. 1. EuO, EuS, EuSe [Text] / V. P. Zhukov, V. A. Gubanov, J. Weber> // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1981. - V.42. - P631-639 . - ISSN 0022-3697 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- EuO -- EuS -- EuSe -- ОКСИД ЕВРОПИЯ -- СУЛЬФИД ЕВРОПИЯ -- СЕЛЕНИД ЕВРОПИЯ -- РАСЧЕТЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- X-АЛЬФА МЕТОД |
Z 62 Zhukov, V. P. The calculations of electronic structure and chemical bonding in rare earth chalcogenides according to the X SW method. 2. NdS, EuS, ErS [Text] / V. P. Zhukov, V. A. Gubanov, J. Weber> // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1981. - V. 42. - P641-647 . - ISSN 0022-3697 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- РАСЧЕТЫ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- NdS -- EuS -- ErS -- СУЛЬФИД НЕОДИМА -- СУЛЬФИД ЕВРОПИЯ -- СУЛЬФИД ЭРБИЯ -- X-АЛЬФА МЕТОД |
Ш 96 Шумилкина, Е. В. О получении халькогенидов шпинели CdCrS4 [] / Е. В. Шумилкина, В. Г. Бамбуров, А. И. Образцов> // Синтез и свойства бескислородных неорганических материалов. - 1980. - С. 48-51 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- CdCrS4 -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ШПИНЕЛИ |
Б 83 Борухович, А. С. Халькогениды европия в планарных туннельных структурах [] / А. С. Борухович, В. Г. Бамбуров, Н. И. Лобачевская> // 4-я Всесоюз. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников (Новосибирск, 9-11 июня 1987 г.): Тез. докл. - 1987. - С. 156 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ХАЛЬКОГЕНИД ЕВРОПИЯ -- ПЛАНАРНЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ |
Ж 86 Жуков, В. П. Исследование электронного строения и химической связи в халькогенидах РЗЭ (EuO, EuS, EuSe, ErS, NaS) кластерным Xa методом [] / В. П. Жуков, В. А. Губанов> // 2-я Всесоюз. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников (Л., 1979 г.): Тез. докл. - 1979. - С. 4 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- РЗЭ -- EuO -- EuS -- EuSe -- ErS -- NaS -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ -- КЛАСТЕРНЫЙ МЕТОД -- МЕТОД КЛАСТЕРНЫЙ -- X-АЛЬФА МЕТОД |
В 62 Водорастворимые 2-аминометилиден-1,3-дикарбонильные соединения - новые стабилизирующие агенты халькогенидов / Д. Н. Бажин, Ю. С. Кудякова, Т. И. Горбунова, Н. С. Кожевникова, А. Ю. Сунцов, Я. В. Бургарт, А. А. Ремпель, В. И. Салоутин, О. Н. Чупахин> // Журнал органической химии. - 2013. - Т.49, №3. - С. 329-334. - Библиогр.: с. 334 (21 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- КВАТЕРНИЗАЦИЯ -- МЕТИЛИОДИД Аннотация: При взаимодействии 2-этоксиметилиденовых производных 1,3-дикарбонильных соединений с N,N-диметилэтилендиамином синтезирован ряд [(2-диметиламино)этиламино]метилиден-1,3-дикарбонильных соединений. Дальнейшая кватернизация аминометилиденовых производных с помощью метилиодида протекает региоселективно по третичному атому азота. Полученные соединения способствуют уменьшению агломерации золей сульфидов кадмия и цинка в водной среде |
С 87 Структура и состав химически осажденных тонких пленок IN2S3 / В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Л. Н. Маскаева, М. В. Кузнецов> // Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 7. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (24 назв.) Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- ОСАЖДЕНИЕ ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ -- КРИСТАЛЛИТЫ Аннотация: Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода. |