Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 18


    Шалаева, Е. В.
    Рентгеновская фотоэлектронная дифракция на поверхности (110)Nb [] = X-ray Photoelectron Diffraction by Nb(110) Surface / Е. В. Шалаева, М. В. Кузнецов // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т. 96, N 5. - 79-86: ил. - Библиогр.: с. 86 (30 назв.) . - ISSN 0015-3230
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА -- ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ -- ПРЕВРАЩЕНИЯ ФАЗОВЫЕ -- ДИФФУЗИЯ -- РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ -- Nb -- НИОБИЙ -- ПОВЕРХНОСТИ -- ЭНЕРГИЯ ЭЛЕКТРОНОВ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- СЛОИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ
Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования рентгеновской фотоэлектронной дифракции чистой грани ниобия (110)Nb и эпитаксиальных слоев Nb(Ta)/(110)Nb. Дифракционная 2пи-картина поверхности (110)Nb получена в излучении Nb3d-фотоэлектронов (E кин. ~ 1050 эВ) и обсуждается в рамках моделей однократного (SSC-SW) и многократного (MSC-SW) рассеяния фотоэлектронов. Продемонстрированы ограничения подхода однократного рассеяния при описании угловых РФД-зависимостей грани (110)Nb. Показано, что поверхность (110) ниобия хорошо описывается MSC-SW-моделью шестислойного кластера с ОЦК-структурой, рассчитаны параметры многократного рассеяния, определяющие экспериментальный эффект ослабления интенсивности фотоэмиссии (эффект "дефокусировки") для плотноупакованных направлений [100] и [111]. Осаждение тантала на (110)Nb при T ~ 2300 K приводит к формированию эпитаксиального слоя (110) неупорядоченного ОЦК-твердого раствора Nb(Ta)