В 58 Влияние давления газа (Ar) на формирование пузырьковой структуры в пленке силикатного расплава [] / В. Б. Васнецова [и др.] // Физика и химия стекла. - 2000. - Т. 26, N 5. - 711-717: ил. - Библиогр.: с. 717 (6 назв.) . - ISSN 0132-6651 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАВЛЕНИЕ ГАЗА -- СТРУКТУРА ПУЗЫРЬКОВАЯ -- ПУЗЫРЬКОВАЯ СТРУКТУРА -- РАСПЛАВЫ СИЛИКАТНЫЕ -- СИЛИКАТНЫЕ РАСПЛАВЫ -- СИЛИКАТЫ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ СИЛИКАТЫ -- КОМПЛЕКСЫ КОМПЬЮТЕРИЗОВАННЫЕ -- КОМПЬЮТЕРИЗОВАННЫЕ КОМПЛЕКСЫ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- Ar -- АРГОН -- МЕТОД ДТА -- ПОВЕРХНОСТНОЕ НАТЯЖЕНИЕ -- НАТЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ХИМИЯ Аннотация: С помощью компьютеризованного комплекса, включающего высокотемпературный микроскоп, цифровую видеокамеру, плату "ввода-вывода" и компьютер IBM-486, изучены прцессы формирования пузырьковой структуры в пленке силикатного расплава, полученного при оплавлении слоя порошка стекла. Показано, что при всех исследованных давлениях (0.2, 0.1 и 0.02 МПа) площадь удельной поверхности пузырьков и их объем со временем уменьшаются. Уменьшение числа пузырьков надежно зафиксировано только для давления 0.1 и 0.02 МПа. При давлении 0.2 МПа подобная зависимость наблюдается только на конечном этапе. Распределение пузырьков по размерам при давлениях 0.1 и 0.02 МПа описывается логарифмически нормальным законом, а при давлении 0.2 МПа существенно от него отличается |