Т 33 Теоретические основы технологии гальванической обработки диэлектриков и полупроводников в ионных расплавах [] / В. В. Малышев [и др.] // Теоретические основы химической технологии. - 2000. - Т. 34, N 4. - 435-448: ил. - Библиогр.: с. 447-448 (28 назв.) . - ISSN 0040-3571 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОБРАБОТКА ГАЛЬВОНИЧЕСКАЯ -- ГАЛЬВОНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА -- РАСПЛАВЫ ИОННЫЕ -- ИОННЫЕ РАСПЛАВЫ -- ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АЛМАЗЫ -- ПРОВОДИМОСТЬ ПОВЕРХНОСТНАЯ -- ПОВЕРХНОСТНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ЗЕРНА АЛМАЗОВ -- ИЗУЧЕНИЕ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОЕ -- ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОЕ ИЗУЧЕНИЕ -- ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ИЗУЧЕНИЕ -- ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ -- КОРРОЗИОННОЕ ИЗУЧЕНИЕ -- ИЗУЧЕНИЕ КОРРОЗИОННОЕ -- НИТРИД БОРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИД БОРА -- ПОРОШКИ АЛМАЗНЫЕ -- АЛМАЗНЫЕ ПОРОШКИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЯ -- BN -- SiC -- B4C -- B -- Si -- W -- Mo -- БОР -- КРЕМНИЙ -- ВОЛЬФРАМ -- ХИМИЯ Аннотация: Проведено термодинамическое, коррозионное и потенциометрическое изучение поведения алмаза, кубического нитрида бора, карбида кремния и карбида бора в ионных расплавах. Предположено, что в результате окислительно-восстановительных процессов, протекающих на границе диэлектрик (полупроводник) - ионный расплав, возникают электрохимический потенциал и поверхностная проводимость. Возможность управления электрохимическим потенциалом этих материалов положена в основу их гальванической обработки. Предложены технологии осаждения гальванопокрытий молибдена, вольфрама и их карбидов на зерна алмазов, нитрида бора, карбида кремния и карбида бора |
С 60 Соловьев, В. В. Физико - химические процессы на межфазной границе диэлектрик - оксидный расплав и их использование для гальванической обработки алмазных порошков [] / В. В. Соловьев, В. В. Малышев [и др.] // Теоретические основы химической технологии. - 2004. - Т. 38, N 2. - 219 - 228.: ил. - Библиогр.: с. 227-228 (62 назв.) . - ISSN 0040-3571 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АЛМАЗЫ -- ДИЭЛЕКТРИК - ОКСИДНЫЙ РАСПЛАВ -- ПРОВОДИМОСТЬ |
Н 34 Наумов, В. С. Микроструктура системы диэлектрик - металл в расплаве: галогенид щелочного металла - щелочной металл [] / В. С. Наумов // Расплавы. - 2004. - N 3. - 85 - 91.: ил. - Библиогр.: с. 91 (12 назв.) . - ISSN 0235-0106 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИЭЛЕКТРИК -- ГАЛОГЕНИД -- СПЕКТРОСКОПИЯ -- ПАРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС |
С 60 Соловьев, В. В. Теоретическое моделирование окислительно-восстановительных процессов в контактном слое диэлектрик-оксидный расплав [] / В. В. Соловьев, Л. П. Давиденко, В. И. Шаповал // Междунар. симпзиум по теоретич. и эксперимент. электрохимии, посвящ. 65-летию со дня рожд. акад. АН Украины О.В.Городиського, Укр. электрохим. съезд, 1-ый. - 1995. - С. 194. - РЖ Химия. - 1995: 22Б3380 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КАРБОНАТЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- СУЛЬФАТЫ -- АЛМАЗ -- БОРАТЫ -- ОКИСЛИТЕЛЬНО-ВОССТАНОВИТЕЛЬНЫЕ РЕАКЦИИ |
O-52 Omelchuk, A. A. Транспорт непереходных металлов через пористый диэлектрик, заполненный расплавом электролита [] / A. A. Omelchuk, O. G. Zarubitskii // Укр. електрохим. з'изд, 1: Мижнар. симп. з теоретич. та експерим. електрохимии, присвячений 65-риччю вид дня нароження акад. НАН Украини О.В.Городиського, Киив (Пуща-Водиця), 15-17 травня, 1995. - 1995. - 158. - РЖ Химия. - 1997: 1Б3306 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СОЛИ, МЕТАЛЛЫ, IN, SN, PB, BI, МЕМБРАНА, МАССООБМЕН, МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Н 76 Новоселова, И. А. Химические и электрохимические реакции на межфазной границе диэлектрик - ионный расплав [] / И. А. Новоселова, Малышев В. В. Габ А.И. // Укр. конф. з неорган. химии, 14: Тези доповидей. Киив, 10-12 вересня, 1996. - 1996. - 139. - РЖ Химия. - 1997: 2Б2407 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СОЛИ, АЛМАЗ, ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ РЕАКЦИИ |