Ф 16 Фазовая диаграмма системы Lu-Lu2S3 [] / О. В. Андреев [и др.] // Журнал неорганической химии. - 1999. - Т. 44, N 6. - С. 1024-1027. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): Lu-Lu2S3 -- Lu -- Lu2S3 -- ДИАГРАММЫ ФАЗОВЫЕ -- ЛЮТЕЦИЙ -- СУЛЬФИД ЛЮТЕЦИЯ -- ФАЗОВЫЕ ДИАГРАММЫ -- МЕТОД ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОГО АНАЛИЗА -- ХИМИЯ Аннотация: Методами физико-химического анализа изучено взаимодействие в системе Lu-Lu2S3 в интервале 1070-1870 К и построена T-x фазовая диаграмма системы от 1070 К до расплава. Впервые получена фаза вероятного состава Lu2S (микротвердость H=4700 МПа), которая разлагается по твердофазной реакции ориентировочно при 1770 К. Состав эвтектической смеси между фазами Lu и LuS определен экспериментально (7 плюс-минус ат. % S) и рассчитан по формуле Воздвиженского-Ефимова (6 ат. % S). Наличие сингулярных точек, приходящихся на состав 50 ат. % S, свидетельствует о дальтонидной природе соединения LuS. Для образцов, отожженных при 1070 К, найдено изменение микротвердости в зависимости от содержания серы. На основе LuS образуется двусторонний твердый раствор, протяженность которого с понижением температуры уменьшается от 43-56.5 ат. % S линейно возрастает от 0.5300 до 0.5348 нм, что связано с уменьшением анионных вакансий |
Э 45 Электроосаждение рения на ориентированные рениевые фольги из расплавленных солей [] / Н. О. Есина [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2001. - Т. 74, N 9. - 1420-1423: ил. - Библиогр.: с. 1423 (9 назв.) . - ISSN 0044-4618 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХИМИЯ -- ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ РЕНИЯ -- РЕНИЙ -- Re -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ СОЛИ -- СОЛИ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- РАСПЛАВЫ СОЛЕВЫЕ -- СОЛЕВЫЕ РАСПЛАВЫ -- ФОЛЬГА РЕНИЕВАЯ -- РЕНИЕВАЯ ФОЛЬГА -- ХЛОРИДНЫЕ РАСПЛАВЫ -- РАСПЛАВЫ ХЛОРИДНЫЕ -- ХЛОРИДЫ РАСПЛАВЛЕННЫЕ -- РАСПЛАВЛЕННЫЕ ХЛОРИДЫ -- МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ФОЛЬГА -- ФОЛЬГА МОНОКРИСТАЛИЧЕСКАЯ -- ОСАДКИ РЕНИЕВЫЕ -- РЕНИЕВЫЕ ОСАДКИ -- ЯЧЕЙКИ КВАРЦЕВЫЕ -- КВАРЦЕВЫЕ ЯЧЕЙКИ -- СЛОИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ПОДЛОЖКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация: Изучен эпитаксиальный рост рения, электроосажденного из хлоридных расплавов на моно- и поликристаллические подложки с ориентациями (1010), (1120), (0001). Найдены условия эпитаксиального роста на монокристаллической фольге с ориентацией (0001). Исследована морфология поверхности осадков рения и измерена микротвердость монокристаллических и поликристаллических слоев рения с ориентацией (0001) |
В 15 Валиева, Дж. А. Характер химического взаимодействия в системе TI2S3 - Pr2S3 [] / (Ахметова) Дж. А. Валиева, И. И. Алиев // Журнал неорганической химии. - 2004. - Т. 49, N 11. - 1902 - 1904.: ил. - Библиогр.: с. 1907 ( 8 назв.) . - ISSN 0044-457X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): TI2S3 - Pr2S3 -- ДИАГРАММА -- ДТА -- ПЛОТНОСТЬ -- МИКРОТВЕРДОСТЬ |
Е 83 Есина, Н. О. Эпитаксиальный рост рения на собственных и чужеродных подложках [Текст] / Н. О. Есина, Л. М. Минченко, А. А. Панкратов // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, № 6. - С. 738-744 : фото. - Библиогр.: с. 744 (10 назв.) . - ISSN 0424-8570 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ -- РАСПЛАВ -- РЕНИЙ -- ВОЛЬФРАМ -- СТРУКТУРА -- ЭПИТАКСИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛ Аннотация: Изучен эпитаксиальный рост рения, электроосажденного из хлоридного расплава CsCl-Cs2ReCl6 на монокристаллические подложки из рения с ориентациями (1010), (1120), (0001) и вольфрама с ориентациями (110),(100), (112), (111). Найдены оптимальные условия эпитаксиального роста на монокристалле рения с ориентациями (0001) и (1120). Показана принципиальная возможность гетероэпитаксиального роста рения на монокристаллических подложках из вольфрама с ориентациями (111) и (100) при определенных условиях электроосаждения из расплава. Эпитаксиальный рост рения зависит как от условий электролиза , так иот ориентации подложки. Исследована морфология поверхности осадков рения. Измерена микротвердость монокристаллических и поликристаллических слоев рения с ориентацией (0001) |