Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кульчицкий, Н. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-15 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 43


   
    Типы детекторов терагерцового излучения / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 25-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (37 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ -- ПОЛОСА ЧАСТОТ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ГЕТЕРОДИННОЕ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ПРЯМОЕ
Аннотация: Проведен сравнительный анализ основных типов детекторов терагерцового диапазона. Показано, что в настоящее время разработаны низкотемпературные терагерцовые детекторы с характеристиками, близкими к предельным. Проанализированы перспективные для широкополосного детектирования высокотемпературные детекторы

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 38


   
    Детектирование в терагерцовом диапазоне / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 28-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛОСА ЧАСТОТ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ТЕРАГЕРЦОВОЕ -- ДЕТЕКТОРЫ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ПРЯМОЕ
Аннотация: Обсуждаются проблемы, связанные с развитием технологии детекторов излучения терагерцового диапазона. Рассмотрены основные физические явления и недавний прогресс в различных методах детектирования терагерцевого излучения (прямого детектирования и гетеродинного детектирования). Обсуждаются преимущества и недостатки сенсоров прямого детектирования и сенсоров с гетеродинным детектированием

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТИВНОСТЬ КВАНТОВАЯ ВНУТРЕННЯЯ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ -- СТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ
Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81


   
    Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 30-40 : табл., рис. - Библиогр.: с. 40 (19 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ INGAN -- ФОТОДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- P-I-N-ФОТОДИОДЫ
Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на основе кремниевыхp-n- и p-i-n-фотодиодов и фотодиодов на основе твердых растворов InGa

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81


   
    Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8...14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия — ртути / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 29-37. - Библиогр.: с. 37 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОПРИЕМНИКИ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ HgCdTe
Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 8...14 мкм на основе твердых растворов HgCdTe

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 90


    Кульчицкий, Н. А.
    Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СОЛНЕЧНЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- CDTE -- СЕЛЕНИД МЕДИ-ИНДИЯ -- КРЕМНИЙ АМОРФНЫЙ
Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 13


   
    Лавинные диоды, диоды с барьером шоттки и приборы с зарядовой связью на основе кремния для фотоприемников и фотоприемных устройств видимого и ближнего инфракрасного диапазонов / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 29-37 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 37 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОДЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ -- ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- УСТРОЙСТВА ФОТОПРИЕМНЫЕ -- ДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ ЛАВИННЫЕ
Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств на основе кремниевых лавинных диодов, диодов с барьером Шоттки и приборов с зарядовой связью для видимого и ближнего ПК-диапазонов

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 97


   
    МЭМС-детекторы инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 42-49 : рис., табл. - Библиогр. : с. 49 (39 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- МЭМС -- СИСТЕМЫ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ
Аннотация: Рассмотрены особенности технологии создания микpоэлектpомеханических систем на основе неохлаждаемых тепловых детекторов инфракрасного диапазона, а также параметры дискретных и матричных детекторов данного типа. Особое внимание уделяется новому типу тепловых детекторов - микрокантилеверам с электрическим и оптическим считыванием

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 15


   
    Радиационные эффекты в кристаллах телаурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6. - С. 10-17 : рис. - Библиогр. : с. 17 (35 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ-РТУТИ -- ДЕФЕКТЫ РАДИАЦИОННЫЕ -- ФОТОДЕТЕКТОР
Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по процессам радиационного дефектообразования в КРТ, выpащенном объемными и эпитаксиальнъми методами. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры материала облучения ?-квантами, электронами и ионами. Показано сходство процессов радиационного дефектообразования в КРТ при облучении различными частицами и представлены имеющиеся модели образования радиационных дефектов

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 38


   
    Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44 : рис. - Библиогр. : с. 44 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ
Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью

Найти похожие

 1-10    11-15 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика