Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кульчицкий, Н. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-15 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 33
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 44-50: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.50 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детекторы инфракрасные--точки квантовые--ямы квантовые
Аннотация: Pассмотpены тенденции pазвития инфpакpасных детектоpов на квантовых точках. Обсуждаются преимущества таких детектоpов пеpед детектоpами на квантовых ямах, а именно чувствительность к ноpмально падающему излучению, фотоотклик в более широком спектpальном диапазоне, меньшие темновые токи, высокий коэффициент усиления фотопроводимости, более высокие значения чувствительности и обнаружительной способности, более высокие рабочие температуры, многоспектральный отклик
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 38
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 44 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детекторы инфракрасные--точки квантовые--ямы квантовые
Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 15
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г., Григорьев Д. В., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Радиационные эффекты в кристаллах телаурида кадмия-ртути
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6. - С. 10-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (35 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теллурид кадмия-ртути--дефекты радиационные--фотодетектор
Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по процессам радиационного дефектообразования в КРТ, выpащенном объемными и эпитаксиальнъми методами. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры материала облучения ?-квантами, электронами и ионами. Показано сходство процессов радиационного дефектообразования в КРТ при облучении различными частицами и представлены имеющиеся модели образования радиационных дефектов
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 65
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г., Григорьев Д. В., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7 . - С. 32-37: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (37 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): приборы с накоплением заряда--дефекты радиационные--приборы радиационно-стойкие
Аннотация: Проведен обзор имеющихся данных по радиационной стойкости приборов с накоплением заряда. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами, нейтронами, электронами и протонами на образование радиационных дефектов в различных типах приборов с накоплением заряда и изменение их характеристик
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г., Григорьев Д. В., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 48-52: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 52 (27 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотодетектор--дефекты радиационные--теллурид кадмия-ртути
Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 24
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (42 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 90
Автор(ы) : Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-xZnxTe и приборов на их основе
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 6. - С. 9-16: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обзор посвящен яровому производству CdTe, ZnTe и CdZnTe, получивших бурное развитие за последние годы. Рассмотрено современное состояние, дан анализ тенденций развития мировых рынков, обзор производителей рассматриваемых соединений, состояние российского рынка, а также современное состояние производства приборов на основе этих соединений
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 97
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : МЭМС-детекторы инфракрасного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 42-49: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 49 (39 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены особенности технологии создания микpоэлектpомеханических систем на основе неохлаждаемых тепловых детекторов инфракрасного диапазона, а также параметры дискретных и матричных детекторов данного типа. Особое внимание уделяется новому типу тепловых детекторов - микрокантилеверам с электрическим и оптическим считыванием
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 35 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 38
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А., Мальцев П. П.
Заглавие : Детектирование в терагерцовом диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 28-35: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 35 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Обсуждаются проблемы, связанные с развитием технологии детекторов излучения терагерцового диапазона. Рассмотрены основные физические явления и недавний прогресс в различных методах детектирования терагерцевого излучения (прямого детектирования и гетеродинного детектирования). Обсуждаются преимущества и недостатки сенсоров прямого детектирования и сенсоров с гетеродинным детектированием
Найти похожие

 1-10    11-15 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика