Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мозалев, А. М.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Н 25
Автор(ы) : Басаев А. С., Шулицкий Б. Г., Воробъева А. И., Прудникова Е. Л. , Лабунов В.А., Мозалев А. М., Шаман Ю. П., Кукин В. Н.
Заглавие : Нанокомпозитный углеродный материал с упорядоченной структурой, синтезированный с использованием пористого оксида алюминия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 31-38: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 38 (51 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассматривается процесс синтеза нанокомпозитного углеродного материала с упорядоченной структурой в матрице из пористого анодного оксида алюминия. Матрица с высокоупорядоченной структурой обеспечивает формирование массива ориентированных углеродных трубок с высоким аспектным отношением (больше 1000) в поликристаллическом анодном оксиде алюминия. Полученный материал исследован с помощью сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния, Оже-, ИК- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Мозалев А. М., Плиговка А. Н., Крупко А. О.
Заглавие : Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 73 (21 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки ( 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика