Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мустафаев, Аб. Г.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Заглавие : Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для моп-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 17-22: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (31 назв)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): масштабирование--моп-транзисторы--затвор
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Заглавие : Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 46 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на сапфире--эпитаксия из твердой фазы--радиационная стойкость--плотность деффектов
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 12 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на изоляторе--моделирование--моп-транзистор
Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 43 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами
Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика