Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (10)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Публикации об УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИСЛОКАЦИИ<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 35 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Мальцев П. П., Пушкарев С. С., Федоров Ю. В.
Заглавие : Полупроводниковые гетероструктуры InAlAs / InGaAs с метаморфным буфером Inx (Al yGa 1- y) 1- xAs: конструкция, технология, применение
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 14-24: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (54 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): буфер метаморфный--мнемт--дислокации несоответствия--ступень инверстная-- inalas / ingaas--релаксация эпислоя
Аннотация: Кратко рассмотрены особенности релаксации упруго-деформированных эпитаксиальных слоев и описывающие ее модели. Названы области применения полупроводниковых гетероструктур InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером In x(AlyGa 1 – y) 1 – xAs. Исследовано влияние профиля химического состава метаморфного буфера и технологических режимов его роста (температуры роста, давления мышьяка и вида его молекул) на электрофизические и структурные свойства как самого метаморфного буфера, так и всей гетероструктуры
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 53/О-74
Автор(ы) : Осипьян, Юрий Андреевич (1931-2008)
Заглавие : Избранные труды : сборник
Выходные данные : М.: Борей, 2012
Колич.характеристики :477, [2] с
Коллективы : Ин-т физики твердого тела РАН
ISBN, Цена 978-5-98393-020-9: 200.00 р.
ГРНТИ : 29
ББК : 53д(2)я43(2)
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА В ЦЕЛОМ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика