Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (4)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Расплавы (6)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИЭЛЕКТРИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Мокрушин А. Д., Мордкович В. Н., Омельяновская Н. М., Пажин Д. М.
Заглавие : Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 48 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кни-структура--полевой датчик холла--двухзатворная управляющая система--моп-транзистор--ток-затворные и холл-затворные характеристики
Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Мокров Е. А., Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е.
Заглавие : Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 31-36: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 36 (8 наим.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): системы тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические--диэлектрик деформируемый
Аннотация: Рассмотрены тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком с планарными и цилиндрическими электродами. Определены оптимальные соотношения их основных элементов
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В.
Заглавие : Особенности формирования подзатворной системы наноприборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 39 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--диэлектрик подзатворный--слой переходный
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белозубов Е. М.
Заглавие : Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 48-53: рис.
Примечания : Библиогр. : с. 53 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): системы тонкопленочные микроэлектромеханические--диэлектрик монолитный
Аннотация: Рассмотрены тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком. Показаны преимущества и недостатки различных вариантов построения таких систем
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 55
Автор(ы) : Глухова О. Е., Слепченков М. М.
Заглавие : Электронные и упругие свойства графана - нового материала электроники: квантово-химическое и эмпирическое исследования
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 22-24: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастица графановая--сжатие продольное--псевдомодуль юнга
Аннотация: С помощью молекулярно-механического метода установлено, что насыщенная водородом наночастица графена (графан) является эластичным материалом. При этом модуль упругого сжатия графана зависит от его размеров, что позволяет определить линейные параметры графана с максимальным для этого материала модулем Юнга. Полуэмпирическим методом РМ3 исследована электронная структура графановых наночастиц. Установлено, что графановые наночастицы можно характеризовать как диэлектрик, у которого энергетическая щель электронного спектра уменьшается с наращиванием длины, стремясь к определенному значению. При этом также убывает и ионизационный потенциал. Проведен сравнительный анализ рассчитанных величин с аналогичными параметрами однослойных нанотрубок
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1)
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 37 (82 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--металл-диэлектрик-полупроводник--наноэлектроника
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И.
Заглавие : Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (148 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника--металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 69
Автор(ы) : Горкунов М. В., Подивилов Е. В., Стурман Б. И.
Заглавие : Моделирование оптических свойств наноразмерных решеток металл-диэлектрик методом собственных мод
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , №3-4. - С. 92-97: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 97 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): решетки наноразмерные--метод собственных мод--структуры металл-диэлектрик
Аннотация: Показано, что широко распространенная концепция оптических собственных мод в волноводных системах без потерь, подразумевающая разделение на распространяющиеся и эванесцентные моды, требует пересмотра при приложении к структурам металл-диэлектрик. В дополнение, к известным существует последовательность аномальных собственных мод с комплексными константами распространения. Последовательный учет аномальных мод позволил разработать новый метод моделирования оптических свойств субволновых металлических решеток с наноразмерными щелями. На основе расчетов спектров пропускания и отражения продемонстрирована возможность применения таких структур для эффективной спектральной фильтрации оптических сигналов
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ш 75
Автор(ы) : Шмырева А. Н., Борисов А. В., Максимчук Н. В.
Заглавие : Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с.104 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсеры электронные--пленки наноструктурные--метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 35
Автор(ы) : Чернов В. А., Палагушкин А. Н., Прудников Н. В., Сергеев А. П., Сигейкин Г. И., Леонова Е. А.
Заглавие : Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 2-9: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 9 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроны вторичные--преобразование ядерной энергии прямое--метод магнетронного распыления--структуры мдм--метод электронно-лучевого распыления
Аннотация: Обоснованы требования к наноструктурам металл- диэлектрик-металл (МДМ-структуры), применяемым для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Описаны методы изготовления МДМ-структур - метод магнетронного ионно-плазменного распыления и метод электронно-лучевого распыления. Изложены свойства изготовленных МДМ-структур W-Al2O3-Al с толщиной слоев 10, 100 и 10 нм соответственно
Найти похожие
 1-10    11-21   21-21 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика