Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Заглавие : Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для моп-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 17-22: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (31 назв)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): масштабирование--моп-транзисторы--затвор
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/C 99
Автор(ы) : Михеев К. Г., Могилева Т. Н., Михеев Г. М., Кузнецов В. Л., Булатов Д. Л.
Заглавие : Cветомагнитный оптический затвор на основе суспензии наноуглеродных частиц с луковичной структурой
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 29-34: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 34 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): излучение лазерное--коэффициент пропускания--диамагнетизм--суспензия--углерод с луковичной структурой--затвор оптический--ограничение мощности оптическое
Аннотация: На эффектах оптического ограничения мощности (ООМ) и светоиндуцированных просветления и диамагнетизма суспензии углерода с луковичной структурой (УЛС) в диметилформамиде (ДМФ) разработан светомагнитный оптический затвор. Основными частями затвора являются: оптическая кювета с суспензией УЛС, лазер и электромагнит. Принцип работы затвора заключается в том, что в результате лазерного воздействия на кювету область взаимодействия лазерного излучения с суспензией просветляется с приобретением диамагнитных свойств. После просветления включается электромагнит, и его неоднородное поле выталкивает просветленную часть из области взаимодействия лазерного излучения с суспензией, что приводит к возрастанию коэффициента поглощения кюветы до первоначального уровня. Разработанный светомагнитный оптический затвор может работать в режимах оптического ограничения мощности, «мультивибратора» и «ждущего мультивибратора»
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□
Найти похожие

Описание базы данных

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)