Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (3)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (3)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (3)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (3)Расплавы (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ИМПЛАНТАЦИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 76
Автор(ы) : Александров П. А., Демаков К. Д., Шемардов С. Г., Кузнецов Ю. Ю.
Заглавие : Применение имплантации ионов кислорода и процесса твердофазной рекристаллизации для улучшения кристаллической структуры кремния на сапфире
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 54-56: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 56 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердофазная рекристаллизация--имплантация ионов--кислород--кремний--сапфир
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/И 88
Автор(ы) : Александров П. А., Демаков К. Д., Шемардов С. Г., Кузнецов Ю. Ю.
Заглавие : Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 30-32: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 32 (11 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 21
Автор(ы) : Тарнавский Г. А.
Заглавие : Легирование наноколонн рельефа поверхности пластины кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 20-24. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование компьютерное--легирование кремния--имплантация
Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину со сложным поверхностным нанорельефом
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Т 21
Автор(ы) : Тарнавский Г. А.
Заглавие : Имплантация легирующих примесей в подложку кремния с непланарной поверхностью
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 21-24. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 24 (7 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: МАТЕМАТИКА-- ТЕОРИЯ ВЕРОЯТНОСТЕЙ И МАТЕМАТИЧЕСКАЯ СТАТИСТИКА
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Степанов А. Л., Валеев В. Ф., Нуждин В. И., Попок В. Н.
Заглавие : Особенности синтеза наночастиц серебра в кварцевом стекле при низкоэнергетической ионной имплантации
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 7-8. - С. 108-111: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 111 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В работе представлены результаты исследования композиционных материалов на основе кварцевого стекла с наночастицами (НЧ) серебра. Синтез НЧ осуществлен методом высокодозовой низкоэнергетической (30 кэВ) имплантации ионов Ag+. После проведения имплантации образцы были подвергнуты термическому отжигу в атмосфере аргона при температуре 300 °С в течение одного часа. Синтезирование НЧ серебра демонстрируют характерную полосу оптического поглощения, связанную с эффектом поверхностного плазменного резонанса (ППР). С ростом ионной дозы наблюдается длинноволновое смещение максимума ППР полосы, которое коррелирует с увеличением размеров полусферических выступов, обнаруженных на поверхности образцов методом атомно-силовой микроскопии. Полученные результаты указывают на увеличение среднего размера НЧ. Показано, что постимплантационный термический отжиг позволяет изменять размеры НЧ, что представляет технологические возможности синтеза НЧ и контроля их размеров в тонком приповерхностном слое диэлектрика
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 21
Автор(ы) : Тарнавский Г. А., Чесноков С. С.
Заглавие : Проектирование дислокаций примесей в выступающем элементе нанорельефа поверхности кремниевой пластины
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 7-11: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 11 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование компьютерное--легирование кремния--имплантация--примеси донорные и акцепторные--наноколонны рельефа
Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину с выступающим нанорельефом поверхности
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев А. Г., Савинова А. М., Мирзаева П. М.
Заглавие : Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 23 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика