Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/I-98
Автор(ы) : Ivchenko, Eougenious L.
Заглавие : Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures
Выходные данные : Harrow: Alpha Science International, 2005
Колич.характеристики :XII, 427 с.: il.
Примечания : Библиогр.: с. 401-422. - Указ.: с. 423-427
ISBN, Цена 1-84265-150-1: 3518.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : 539.292.47
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/П 26
Автор(ы) : Минибаев Р. Ф., Багатурьянц А. А., Бажанов Д. И., Книжник А. А., Алфимов М. В.
Заглавие : Первопринципное исследование работы выхода электрона с поверхности (001) оксида индия (In2O3) и оксида индия, легированного оловом (ITO), в зависимости от степени окисления поверхности
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 9-10. - С. 88-93: рис., табл. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 93 (45 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- НЕОРГАНИЧЕСКАЯ ХИМИЯ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Форш Е. А., Марикуца А. В., Мартышов М. Н., Форш П. А., Румянцева М. Н., Гаськов А. М., Кашкаров П. К.
Заглавие : Исследование чувствительности нанокристаллического оксида индия с различными размерами нанокристаллов к диоксиду азота
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - № 3-4. - С. 87-90: табл., рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 90 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследовано влияние адсорбции NO 2 на электрическую проводимость нанокристаллического оксида индия с различным размером нанокристаллов. Чувствительность (отношение проводимостей In 2O 3 до и после адсорбции NO 2) с уменьшением размеров нанокристаллов сначала возрастает, а затем уменьшается. Предложено объяснение наблюдаемого немонотонного поведения чувствительности
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 56
Автор(ы) : Пономарев Д. С.
Заглавие : Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 17 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктуры--транзистор полевой с затвором шоттки--эпитаксия моле-кулярно-лучевая--а3в5--диаграммы наногетероструктур
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 90
Автор(ы) : Кульчицкий Н. А., Наумов А. В.
Заглавие : Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 37 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теллурид кадмия --преобразователи солнечные тонкопленочные--cdte--селенид меди-индия --кремний аморфный
Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 88
Автор(ы) : Жуков Н. Д., Глуховской Е. Г., Браташов Д. Н.
Заглавие : Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия
Место публикации : Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 56 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанозерна антимонида и арсенида индия --метод туннельной микроскопии--полупроводники--полупроводники антимонида и арсенида индия --эмиссия низкополевая--явления кулоновской блокады--фоточувствительность--проводимость
Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/Р 17
Автор(ы) : Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б.
Заглавие : Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 28-31: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 31 (6 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--азв5--молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Экспериментально исследована серия метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с различным содержанием индия в метаморфном буферном слое (0,30...0,55). Разработан полевой транзистор с барьером Шоттки с периферией 2 ´ 50 мкм, длиной затвора 0,53 мкм и предельной частотой усиления по мощности f max = 200 ГГц
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж3/N 21
Заглавие : Nanomedical Device and Systems Design. Challengels, Possibilities, Visions : сборник
Выходные данные : Boca Raton; London; New York: CRC Press: Taylor & Francis Group, 2014
Колич.характеристики :XVII, 769 с.: il.
Примечания : Указ.: с. 743-769
ISBN, Цена 978-0-8493-7498-2: 7165.00 р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : Ж377
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛЫ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Оглавление
Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)